一种多晶硅电池片链式背抛光方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于太阳能电池片刻蚀技术领域。本发明专利技术公开了一种多晶硅电池片链式背抛光方法，将扩散后的多晶硅电池片正面喷洒水形成均匀水膜保护层，将多晶硅电池片与氢氟酸硝酸混合液接触除去多晶硅四周及背面的氧化层，将经上述处理后的多晶硅电池片与碱液接触进行腐蚀抛光，将处理后的多晶硅电池片用水清洗，将用水清洗后的多晶硅电池片依次用碱、酸进行清洗并干燥；本发明专利技术还公开了一种多晶硅电池片链式背抛光装置。本发明专利技术中的多晶硅电池片链式背抛光方法能够保证电池的效率和稳定性，不易形成“刻蚀印”而影响外观，还能降低酸使用量、漏电比例低、背抛光效果好；本发明专利技术中的多晶硅电池片链式背抛光装置能够良好的实现上述方法，保证连续化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅电池片链式背抛光方法及其装置
本专利技术涉及太阳能电池片刻蚀
，尤其是涉及一种多晶硅电池片链式背抛光方法及其装置。
技术介绍
随着现代工业化的发展，常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的新能源中，太阳能无疑是一种绿色环保的替代能源，电池片可以将太阳光直接转换成电能，其发电原理是PN结的光生伏特效应。目前常规电池工艺受到技术限制，转换效率已经没有太大提升空间，电池转换效率必须依靠升级现有的技术和新的电池结构类型。目前行业内PERC电池技术无疑是最有效提升效率手段，而PERC电池核心技术之一是背抛工艺，PERC电池背抛要求是电池片背面整面绒面光滑、一致性、反射率高等要求。背抛技术是使硅片背面抛光减少背面复合与改善太阳能硅片的光学效益增强吸收长波段光普，从而提升太阳能电池的光电转换效率，并且可以与太阳能电池下一步技术叠加，具有兼容性好等优点。现有技术中采用Schmid刻蚀工艺，其工艺中采用Schmid刻蚀槽，现有Schmid刻蚀槽见图3所示，其由刻蚀一号反应槽101、刻蚀二号反应槽102、中间旋转台103、储液槽104和带液滚轮组成105，刻蚀一号反应槽和刻蚀二号反应槽公用一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅电池片链式背抛光方法，其特征在于包括以下步骤：a)将扩散后的多晶硅电池片正面喷洒水形成均匀水膜保护层；b)将多晶硅电池片四周及背面与氢氟酸硝酸混合液接触除去多晶硅四周及背面的氧化层；c)将经上述处理后的多晶硅电池片的四周及背面与温度为60～90℃的碱液接触进行腐蚀抛光；d)将经步骤c)处理后的多晶硅电池片用水清洗；e)将用水清洗后的多晶硅电池片依次用碱、酸进行清洗并干燥。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅电池片链式背抛光方法，其特征在于包括以下步骤：a)将扩散后的多晶硅电池片正面喷洒水形成均匀水膜保护层；b)将多晶硅电池片四周及背面与氢氟酸硝酸混合液接触除去多晶硅四周及背面的氧化层；c)将经上述处理后的多晶硅电池片的四周及背面与温度为60～90℃的碱液接触进行腐蚀抛光；d)将经步骤c)处理后的多晶硅电池片用水清洗；e)将用水清洗后的多晶硅电池片依次用碱、酸进行清洗并干燥。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅电池片链式背抛光方法，其特征在于：所述步骤b)中的氢氟酸硝酸混合液由氢氟酸和硝酸按体积比(2～5)：(17～23)组成。3.根据权利要求1所述的一种多晶硅电池片链式背抛光方法，其特征在于：所述碱液为氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液。4.根据权利要求3所述的一种多晶硅电池片链式背抛光方法，其特征在于：所述氢氧化钾溶液的浓度为1.0～20.0wt％，所述氢氧化钠溶液的浓度为1.0～20.0wt％。5.一种根据权利要求1或2或3或4所述的多晶硅电池片链式背抛光装置，其特征在于：其包括第一刻蚀装置、第二刻蚀装置、带液滚轮和抛光滚轮；所述的第一刻蚀装置包括第一反应槽和第一储液槽，所述的第一刻蚀槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：许成德，李鑫，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33