【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种晶圆的处理方法。
技术介绍
1、随着半导体发展，对于半导体加工的要求越来越高。例如在磁头的制造过程中，晶圆作为磁头的集合体被整体加工，经一系列处理后被切割成单独的磁头。其中一种传统的加工工艺是先对晶圆进行切割成长形条，继而将长形条切割成磁头，再对磁头进行研磨以获得磁头所需的表面。但此种方法效率低下。另一种传统的加工工艺是先将晶圆整体进行研磨减薄，再进行长形条以及磁头的切割。该种方法较前一种方法效率高，但是仍然存在一些问题。例如，切割成长形条时，在长形条产生的内应力使得长形条发生形变，从而使长形条甚至后续的分离的磁头上产生高度差。
2、因此，亟待提供一种改进的晶圆的处理方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种改进的晶圆的处理方法，以减少切割分离后长形条的形变。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种晶圆的处理方法，所述晶圆界定内圈区域及位于所述内圈区域之外的外圈区域，其中所述内圈区域的正面具有以最大...
【技术保护点】
1.一种晶圆的处理方法，所述晶圆界定内圈区域及位于所述内圈区域之外的外圈区域，其中所述内圈区域的正面具有以最大面积排列的长形条阵列，所述外圈区域不具有长形条，所述处理方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于：在所述内圈区域的背面形成凹陷的步骤包括：采用磨轮对所述内圈区域的背面进行第一次研磨以及对所述内圈区域的背面进行第二次研磨。
3.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于：第一次研磨的所述磨轮的转速小于第二次研磨的所述磨轮的转速，第一次研磨的所述磨轮的进给速率大于第二次研磨的所述磨轮的进给速率。
4.如权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的处理方法，所述晶圆界定内圈区域及位于所述内圈区域之外的外圈区域，其中所述内圈区域的正面具有以最大面积排列的长形条阵列，所述外圈区域不具有长形条，所述处理方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于：在所述内圈区域的背面形成凹陷的步骤包括：采用磨轮对所述内圈区域的背面进行第一次研磨以及对所述内圈区域的背面进行第二次研磨。
3.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于：第一次研磨的所述磨轮的转速小于第二次研磨的所述磨轮的转速，第一次研磨的所述磨轮的进给速率大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：宿志影，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。