The invention discloses an etching method for polycrystalline silicon, which changes the morphology of polycrystalline silicon by incorporating different types of impurities into different parts of polycrystalline silicon to be etched, or by incorporating the same type of impurities with different concentrations, and then controlling the etching rate of different parts by etching.
【技术实现步骤摘要】
多晶硅的刻蚀方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体是指一种多晶硅的刻蚀方法。
技术介绍
多晶硅刻蚀是半导体器件制造中不可或缺的工艺步骤，通常都是通过改变刻蚀气体来调节多晶硅的形貌，常见的多晶硅刻蚀气体为氯气、溴气或者两者的混合气体。氯气能产生各向异性的硅侧壁剖面并对氧化硅有很好的选择比，溴基气体同样是各向异性的并对氧化硅和氮化硅的选择比很高。但刻蚀受到不同刻蚀率的影响，在有些情况下，改变刻蚀气体并不能完全满足器件对多晶硅的形貌要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种多晶硅的刻蚀方法，调节多晶硅刻蚀速率，从而改变多晶硅形貌。为解决上述问题，本专利技术提供一种多晶硅的刻蚀方法，通过对需要刻蚀的多晶硅的不同部分掺入不同类型的杂质，或者掺入同类型但不同浓度的杂质，然后进行刻蚀来控制不同部位的刻蚀速率。进一步地，所述的掺杂，当多晶硅掺入N型杂质时，刻蚀速率会变快，杂质浓度越高刻蚀速率越快；当多晶硅掺入P型杂质时，刻蚀速率会变慢，杂质浓度越高刻蚀速率越慢。进一步地，所述的掺杂是掺入能形成N型或者P型的所有杂质。进一步地，通过对掺杂类型或者掺杂的浓度进行调整，能刻蚀出不同的多晶硅形貌。进一步地，当多晶硅上层为N型掺杂，下层为P型掺杂，或者多晶硅上下层为同类型的N型杂质且上层浓度高于下层，则多晶硅刻蚀时上层的刻蚀速率快于下层；当多晶硅上层为P型掺杂，下层为N型掺杂，或者多晶硅上下层为同类型的P型杂质且上层浓度高于下层，则多晶硅刻蚀时上层的刻蚀速率慢于下层。本专利技术在不改变刻蚀气体的情况下，通过多晶硅掺杂物质或浓度的改变，调节多晶硅刻蚀速率，从而改变多晶硅的形貌。...
【技术保护点】
1.一种多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：通过对需要刻蚀的多晶硅的不同部分掺入不同类型的杂质，或者掺入同类型但不同浓度的杂质，然后进行刻蚀来控制不同部位的刻蚀速率。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：通过对需要刻蚀的多晶硅的不同部分掺入不同类型的杂质，或者掺入同类型但不同浓度的杂质，然后进行刻蚀来控制不同部位的刻蚀速率。2.如权利要求1所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：所述的掺杂，当多晶硅掺入N型杂质时，刻蚀速率会变快，杂质浓度越高刻蚀速率越快；当多晶硅掺入P型杂质时，刻蚀速率会变慢，杂质浓度越高刻蚀速率越慢。3.如权利要求1所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：所述的掺杂是掺入能形成N型或者P型...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈曦，黄景丰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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