半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括：初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体；位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分焊盘上的钝化结构层，所述钝化结构层中具有凹槽，所述凹槽的底部暴露出所述焊盘本体；位于所述钝化结构层上的感光保护层，所述感光保护层覆盖所述凹槽的侧壁，所述感光保护层中具有位于所述焊盘本体上的感光开口，所述感光开口延伸至所述凹槽中，且所述感光开口的口径小于所述凹槽的口径。所述半导体器件的性能得到提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
快闪存储器(FlashMemory)又称为闪存，闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因此成为非挥发性存储器的主流存储器。根据结构的不同，闪存分为非门闪存(NORFlashMemory)和与非门闪存(NANDFlashMemory)。相比NORFlashMemory，NANDFlashMemory能提供及高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也更快。随着平面型闪存的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是目前平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，如曝光技术极限、显影技术极限及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面型闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，三维(3D)闪存应用而生，例如3D-NAND闪存。现有的3D-NAND闪存表面需要形成一层保护层。然而，基于现有的保护层的工艺，3D-NAND闪存构成的半导体器件的性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件，以提高半导体器件的性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体器件，包括：初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体；位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分焊盘上的钝化结构层，所述钝化结构层中具有凹槽，所述凹槽的底部暴露出所述焊盘本体；位于所述钝化结构层上的感光保护层，所述感光保护层覆盖所述凹槽的侧壁，所述感光保护层中具有位于所述焊盘本体上的感光开口，所述感光开口延伸至所述凹槽中，且所述感光开口的口径小于所述凹槽的口径。可选的，所述感光保护层的材料包括聚酰亚胺材料。可选的，所述钝化结构层包括第一钝化层和位于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述第一钝化层位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分所述焊盘上。可选的，所述第一钝化层的材料包括氧化硅。可选的，所述第二钝化层的材料包括氮化硅。可选的，所述焊盘本体的材料包括铝。可选的，所述焊盘还包括位于焊盘本体的部分顶部表面的焊盘保护层，所述焊盘保护层中具有焊盘开口，所述焊盘开口位于所述感光开口的底部，且所述感光开口的侧壁与所述焊盘开口的侧壁对齐。可选的，所述焊盘保护层的材料包括氮化钛。可选的，所述凹槽的底部口径大于所述焊盘开口的口径；对于所述焊盘保护层突出于所述凹槽侧壁的部分，所述焊盘保护层的顶部表面被所述感光保护层覆盖。可选的，所述凹槽的底部口径小于所述凹槽的顶部口径；所述凹槽的底部侧壁分别与所述感光开口的侧壁以及所述焊盘开口的侧壁对齐。可选的，所述初始器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交错层叠的绝缘层和导电层，所述堆叠结构的顶层和底层均为绝缘层；贯穿所述堆叠结构的沟道结构；位于所述沟道结构和堆叠结构上的介质层；所述焊盘位于介质层的表面；所述焊盘与所述沟道结构电学连接。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术技术方案提供的半导体器件中，所述焊盘本体的表面适于与键合金属线连接。所述感光保护层不会被去除，所述感光保护层可作为保护层可以减少环境对半导体器件的影响，所述感光保护层还可起到缓冲作用，减少应力。所述感光保护层不仅位于所述钝化结构层上，还位于所述凹槽的侧壁，因此所述感光保护层对半导体器件的保护作用增强。综上，提高了半导体器件的性能。附图说明图1至图3是一种半导体器件形成过程的结构示意图；图4至图14是本专利技术一实施例中半导体器件形成过程的结构示意图；图15至图21是本专利技术另一实施例中半导体器件形成过程的结构示意图。具体实施方式图1至图3是一种半导体器件形成过程的结构示意图。参考图1，提供初始器件，所述初始器件包括焊盘100，所述焊盘100位于所述初始器件的表面，所述焊盘100包括焊盘本体101和位于焊盘本体101顶部的焊盘保护层102；在所述焊盘100上以及焊盘100周围的初始器件上形成钝化结构层110。参考图2，在钝化结构层110上形成图形化的感光保护层120，所述感光保护层120中具有开口121，所述开口121位于焊盘100上。所述感光保护层120的材料为聚酰亚胺材料。参考图3，以所述感光保护层120为掩膜，刻蚀开口121底部的钝化结构层110和焊盘保护层102直至暴露出焊盘本体101的表面。具体的，以所述感光保护层120为掩膜，刻蚀开口121底部的钝化结构层110，在钝化结构层110中形成凹槽；之后，以感光保护层120为掩膜刻蚀开口121底部的焊盘保护层102直至暴露出焊盘本体101的表面。所述感光保护层120不被去除，会被保留下来。所述感光保护层120用于作为半导体器件的保护层，可以减少环境对半导体器件的影响，所述感光保护层120还用于起到缓冲作用，减少应力。通常，在刻蚀开口121底部的钝化结构层110的步骤和刻蚀开口121底部的焊盘保护层102的步骤之间，还需要进行用于形成其他结构部件的工艺步骤，在这些步骤包括退火处理。然而，若进行所述退火处理，所述感光保护层120无法承受所述退火处理的高温，所述退火处理会使感光保护层120受到严重的损伤，导致感光保护层120的性能降低。在此基础上，本专利技术提供一种半导体器件，包括：初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体；位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分焊盘上的钝化结构层，所述钝化结构层中具有凹槽，所述凹槽的底部暴露出所述焊盘本体；位于所述钝化结构层上的感光保护层，所述感光保护层覆盖所述凹槽的侧壁，所述感光保护层中具有位于所述焊盘本体上的感光开口，所述感光开口延伸至所述凹槽中，且所述感光开口的口径小于所述凹槽的口径。所述半导体器件的性能得到提高。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图4至图14是本专利技术一实施例中半导体器件形成过程的结构示意图。参考图4，提供初始器件，所述初始器件包括焊盘200，所述焊盘200位于所述初始器件的表面，所述焊盘200包括焊盘本体201和位于焊盘本体201顶部的焊盘保护层202。在一个实施例中，所述初始器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交错层叠的绝缘层和导电层，所述堆叠结构的顶层和底层均为绝缘层；贯穿所述堆叠结构的沟道结构；位于所述沟道结构和堆叠结构上的介质层；所述焊盘200位于介质层的表面。所述焊盘200可与沟道结构电学连接。所述焊盘本体201的材料包括铝，所述焊盘保护层202的材料包括氮化钛。所述焊盘保护层202的厚度为100埃～900埃。所述焊盘保护层202适于保护焊盘本体201。参考图5，在所述焊盘200上以及焊盘200周围的初始器件上形成钝化结构层210。形成所述钝化结构层210的方法包括：在所述焊盘200上以及焊盘200周围的初始器件上形成第一钝化层211；在第一钝化层211上形成第二钝化层212。所述第一钝化层211的材料包括氧化硅；所述第二钝化层212的材料包括氮化硅。第一钝化层211的形成工艺为沉积工艺，第二钝化层212的形成工艺为沉积工艺。第一钝化层211的作用包括：第一钝化层211作为应力本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体；位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分焊盘上的钝化结构层，所述钝化结构层中具有凹槽，所述凹槽的底部暴露出所述焊盘本体；位于所述钝化结构层上的感光保护层，所述感光保护层覆盖所述凹槽的侧壁，所述感光保护层中具有位于所述焊盘本体上的感光开口，所述感光开口延伸至所述凹槽中，且所述感光开口的口径小于所述凹槽的口径。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体；位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分焊盘上的钝化结构层，所述钝化结构层中具有凹槽，所述凹槽的底部暴露出所述焊盘本体；位于所述钝化结构层上的感光保护层，所述感光保护层覆盖所述凹槽的侧壁，所述感光保护层中具有位于所述焊盘本体上的感光开口，所述感光开口延伸至所述凹槽中，且所述感光开口的口径小于所述凹槽的口径。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述感光保护层的材料包括聚酰亚胺材料。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化结构层包括第一钝化层和位于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述第一钝化层位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分所述焊盘上。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一钝化层的材料包括氧化硅。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二钝化层的材料包括氮化硅。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘本体的材料包括铝。7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，胡小龙，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42