一种焊盘、半导体器件及其制作方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种焊盘、半导体器件及其制作方法、电子装置，该焊盘包括：包括：焊盘本体和位于所述焊盘本体边缘的若干焊盘侧墙，所述焊盘侧墙间隔分布在所述焊盘本体的外周。采用该焊盘结构的半导体器件可以降低相邻焊盘之间的钝化层发送破裂的风险。该半导体器件的制作方法和电子装置具体类似的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种焊盘、半导体器件及其制作方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种焊盘、半导体器件及其制作方法、电子装置。
技术介绍
在集成电路制造中不仅需要形成诸如NMOS、PMOS、CMOS等各种晶体管器件，而且还需要形成互连结构来实现这些器件之间以及器件与外部信号之间的连接。当制作完互连结构后，即在其上形成用于与封装基板连接的焊盘和覆盖器件互连结构并暴露焊盘的钝化层。目前在65nm和55nm的逻辑器件中，在使用比较高的焊盘厚度(例如28k)，同时具有很小的焊盘空间(例如小于3um)的产品中发现钝化层破裂问题，并且通过对出现缺陷的器件进行测试分析发现钝化层破裂发生在较大的铝图形区域(这些区域形成有焊盘以及互连线)附近。因此，需要提出一种焊盘、半导体器件及其制作方法、电子装置，以至少部分地解决上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。针对现有技术的不足，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体器件的焊盘，其特征在于，包括：焊盘本体和位于所述焊盘本体边缘的若干焊盘侧墙，所述焊盘侧墙间隔分布在所述焊盘本体的外周上。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件的焊盘，其特征在于，包括：焊盘本体和位于所述焊盘本体边缘的若干焊盘侧墙，所述焊盘侧墙间隔分布在所述焊盘本体的外周上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘上的相邻的所述焊盘侧墙的间距大于等于3um。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘侧墙长度为1um～2um。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘侧墙的宽度为3um～5um。5.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有至少一个如权利要求1-4中的任意一项所述的焊盘。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，相邻的所述焊盘上的所述焊盘侧墙交错分布。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，还包括：形成在所述半导体衬底上的第一钝化层，在所述第一钝化层中形成有暴露下方金属层的第一开口，所述焊盘本体位于所述第一开口中并与所述金属层电连接，所述焊盘侧墙位于所述第一钝化层表面上。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一钝化层上形成有第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述焊盘侧墙并具有暴露所述焊盘本体的第二开口。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11