【技术实现步骤摘要】
三维存储器
本专利技术主要涉及半导体制造领域，尤其涉及一种三维存储器。
技术介绍
为了克服二维存储器件的限制，业界已经研发了具有三维(3D)结构的存储器件，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。在例如3DNAND闪存的三维存储器件中，存储阵列可包括核心(core)区和阶梯区。阶梯区用来供存储阵列各层中的栅极层引出接触部。这些栅极层作为存储阵列的字线，执行编程、擦写、读取等操作。在3DNAND闪存的制作过程中，在阶梯区的各级阶梯结构上刻蚀形成接触孔，然后填充接触孔，从而引出栅极层的电信号。在实际生产过程中，由于3D-NAND闪存阶梯层数多，在接触孔刻蚀步骤中，为了保证下层阶梯能够被顺利引出，上层阶梯容易被过刻蚀(OverEtch)，出现刻蚀穿通(PunchThrough)，导致无法满足工艺要求，降低产品良率。为了解决上述问题，往往需要进行多次光照和刻蚀，从而降低每次刻蚀时的深度差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是一种制作三维存储器，可以克服字线连接区的刻蚀缺陷等问题，且不必进行多次光照和刻蚀。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种三维存储器，...
【技术保护点】
1.一种三维存储器，包括虚拟阶梯结构和堆叠结构，所述虚拟阶梯结构包括多级台阶，每级所述台阶具有不同的高度；所述堆叠结构共形地形成于所述虚拟阶梯结构上，所述堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和介质层；所述堆叠结构位于第N级所述台阶上的叠层数量和第N+1级所述台阶上的叠层数量不同，N为大于等于1的整数；所述栅极层的至少部分上形成有导电触点，所述导电触点上对应形成有接触部。
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，包括虚拟阶梯结构和堆叠结构，所述虚拟阶梯结构包括多级台阶，每级所述台阶具有不同的高度；所述堆叠结构共形地形成于所述虚拟阶梯结构上，所述堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和介质层；所述堆叠结构位于第N级所述台阶上的叠层数量和第N+1级所述台阶上的叠层数量不同，N为大于等于1的整数；所述栅极层的至少部分上形成有导电触点，所述导电触点上对应形成有接触部。2.根据权利要求所述的三维存储器，其特征在于，所述虚拟阶梯结构的高度沿远离所述半导体结构的中心方向增加，且所述堆叠结构位于第N级所述台阶上的叠层数量大于第N+1级所述台阶上的叠层数量。3.根据权利要求所述的三维存储器，其特征在于，所述导电触点与所述栅极层的材质相同...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖莉红，胡斌，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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