导电沟道和源极线耦合制造技术

公开了导电沟道技术。在一个示例中，一种存储器部件可以包括源极线，具有电耦合到源极线的第一和第二导电层的导电沟道以及与导电沟道相邻的存储器单元。在一个方面，通过防止不希望的氧化物形成，增加界面接触面积，并且通过经由多个薄沟道集成方案调整材料结晶粒度和间界，相对于单层导电沟道形成方案，改善了沟道导电性和可靠性。还公开了相关的系统和方法。

【技术实现步骤摘要】
导电沟道和源极线耦合
本文描述的实施例总体上涉及半导体电子电路，更具体而言，涉及导电沟道和源极线耦合。
技术介绍
使用半导体材料(例如，多晶硅)来在各种电子器件(例如，采用互补金属氧化物半导体(CMOS)材料的器件)中形成电导管(electricalconduit)或沟道。CMOS技术用于许多电子器件和部件，包括微处理器、微控制器、计算机存储器和数字逻辑电路。诸如静态随机存取存储器(SRAM)和闪存(例如，NOR、NAND和电荷陷阱(chargetrap))的各种计算机存储器类型利用CMOS材料并且具有将源极线电耦合到存储器单元阵列的架构。通常，闪存阵列中的存储器单元被布置为使得阵列的一行中的每个存储器单元的控制栅极连接以形成诸如字线的存取线。阵列的列包括在一对选择线——源极选择线和漏极选择线——之间的源极到漏极连接的存储器单元串。闪存阵列可以是二维配置或三维(3D)配置(例如，包括堆叠存储器元件的柱(pillar)的堆叠存储器阵列，诸如垂直NAND串(string))。源极选择线包括在存储器单元串和源极选择线之间的每个交叉点处的源极选择栅极，并且漏极选择线包括在存储器单元串和漏极选择线之间的每个交叉点处的漏极选择栅极。每个源极选择栅极连接到源极线，而每个漏极选择栅极连接到数据线，例如列位线。通常，源极线和数据线由多晶硅形成，并且存储器单元经由电耦合到源极线和数据线的多晶硅沟道连接。附图说明根据下面的具体描述并结合附图，本专利技术的特征和优点将变得显而易见，附图以举例的方式一起示出了各种专利技术实施例；并且其中：图1示出了根据示例的3DNAND存储器部件的一部分；图2A示出了图1的3DNAND存储器部件的存储器柱和存储器单元的顶视图；图2B示出了图1的3DNAND存储器部件的存储器柱和存储器单元的侧视图；图3是根据示例的电耦合到源极线的导电沟道的细节图；图4A-4D示出了根据示例的用于制造闪存部件的方法；图5是根据示例的用于制造闪存部件的方法的流程图；图6是示例性存储器设备的示意图；以及图7是示例性计算系统的示意图。现在将参考示出的示例性实施例，并且本文将使用特定的语言来描述它们。然而将理解的是，并非旨在由此限制公开范围或具体的专利技术实施例。具体实施方式在公开和描述专利技术实施例之前，应该理解的是，并非旨在限制本文所公开的特定结构、过程步骤或材料，而是还包括如相关领域普通技术人员将认识到的其等同变换。还应该理解的是，本文使用的术语仅用于描述特定示例的目的，而不意图限制。不同附图中相同的附图标记表示相同的元件。流程图和过程中提供的数字是为了清楚地示出步骤和操作而提供的，并不一定指示特定的次序或顺序。除非另外定义，否则本文使用的所有技术和科学术语具有与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。如在本书面描述中所使用的，除非上下文另有明确规定，否则单数形式“一”、“一个”和“该”包括对复数指示物的明确支持。因此，例如，对“一层”的引用包括多个这样的层。在本公开内容中，“包括”、“包含”、“含有”和“具有”等可以具有美国专利法中赋予它们的含义，并且可以表示“包括”等并且通常被解释为开放式术语。术语“由……组成”或“由……构成”是封闭式术语，仅包括结合这些术语而具体列出的以及根据美国专利法的部件、结构、步骤等。“基本上由……组成”或“基本上由……构成”具有美国专利法通常赋予它们的含义。特别是，这样的术语通常是封闭式术语，除了允许包括附加的项目、材料、部件、步骤或元件，这些附加的项目、材料、部件、步骤或元件不会实质上影响与之结合使用的项目的基本和新颖特征或功能。例如，即使没有在这样的术语之后的项目列表中明确列举，如果存在于“基本上由……组成”的语言之下，则微量元素存在于组合物中，但不影响组合物的性质或特征会是允许的。当在书面描述中使用开放式术语时，如“包含”或“包含”，应该理解，也应该对“基本上由……组成”的语言以及“由……组成”的语言提供直接支持，如同明确表述了，反之亦然。如果有的话，说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等用于区分类似的元件，而不一定用于描述特定的先后顺序或时间顺序。应该理解的是，如此使用的术语在适当的情况下是可互换的，使得本文描述的实施例例如能够以不同于本文示出或以其他方式描述的顺序操作。类似地，如果本文将方法描述为包括一系列步骤，则本文给出的这些步骤的顺序不一定是可以执行这些步骤的唯一顺序，并且可以省略某些所述步骤和/或可以将本文未描述的某些其他步骤添加到该方法中。如果有的话，在说明书和权利要求书中的术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“在……上方”、“在……下方”等用于描述性目的，不一定用于描述永久的相对位置。应该理解，如此使用的术语在适当情况下是可互换的，使得本文描述的实施例例如能够以与本文示出的或以其他方式描述的取向不同的其他取向进行操作。如本文所使用的术语“耦合”被定义为以电或非电方式直接或间接连接。“直接耦合”的结构或元件彼此物理接触。本文中被描述为彼此“相邻”的对象可以彼此物理接触，彼此紧邻，或彼此在相同的整体范围或区域中，只要对于使用该短语的上下文而言是适当的。如本文所使用的，诸如“增加的”、“减少的”、“更好的”、“更差的”、“更高的”、“更低的”、“增强的”、“最大化的”和“最小化的”等的比较术语指代设备、部件或活动的与其他可比较的设备、部件或活动的显著不同的性质或者与相同设备的不同迭代或实施例的显著不同的性质，性质是指现有技术公知的性质。例如，具有“增加的”讹误风险(riskofcorruption)的数据区域可以指代存储器设备的区域，与同一存储器设备中的其他区域相比，该区域更可能具有写入错误。许多因素会导致这种增加的风险，包括位置、制造工艺、应用于该区域的编程脉冲数量等。如本文所使用的，术语“基本上”是指动作、特征、性质、状态、结构、项目或结果的完全或接近完全的程度或度。例如，“基本上”封闭的对象意味着该对象要么完全封闭，要么几乎完全封闭。准确的可允许的与绝对完全的偏离程度在某些情况下可能取决于具体情况。但是，一般而言，“完全”的接近度将会达到相同的总体效果，如同获得了绝对和全部的“完全”。“基本上”的使用在以否定的含义使用以指代完全或接近完全不包括动作、特性、性质、状态、结构、项目或结果时同样适用。例如，“基本上不含”颗粒的组合物将完全不含颗粒，或者几乎完全不含颗粒，其效果会与其完全不含颗粒相同。即，“基本上不含”成分或元素的组合物实际上仍然可以包含这样的物品，只要其没有显著的影响即可。如本文所使用的，术语“约”用于通过假设给定值可能“稍高于”或“稍低于”端点而为数值范围端点提供灵活性。如本文所使用的，为了方便起见，可以将多个项目、结构元件、组成元件和/或材料呈现在公共列表中。但是，这些列表应该被解释为列表中的每个项目都被个别标识为单独的且唯一的项目。因此，这样的列表中的任何一个个体项目都不应该仅仅基于它们存在于共同的组中而没有相反的表示而被解释为实际上等同于相同列表的任何其他项目。浓度、量、尺寸和其他数字数据可以在本文中以范围格式表示或呈现。应该理解的是，这样的范围格式仅仅为了方便和简洁而使用，因此应该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器部件，包括：源极线；导电沟道，所述导电沟道具有电耦合到所述源极线的第一导电层和第二导电层；以及存储器单元，所述存储器单元与所述导电沟道相邻。

【技术特征摘要】
2017.04.01 US 15/477,0511.一种存储器部件，包括：源极线；导电沟道，所述导电沟道具有电耦合到所述源极线的第一导电层和第二导电层；以及存储器单元，所述存储器单元与所述导电沟道相邻。2.根据权利要求1所述的存储器部件，其中，所述第一导电层与所述源极线间隔开。3.根据权利要求2所述的存储器部件，其中，所述第二导电层的一部分设置在所述源极线和所述第一导电层之间并且与所述源极线和所述第一导电层界面结合。4.根据权利要求3所述的存储器部件，其中，所述第二导电层和所述源极线的界面基本上不含氧化物材料。5.根据权利要求3所述的存储器部件，其中，所述第二导电层和所述源极线的界面是平面的。6.根据权利要求5所述的存储器部件，其中，所述第二导电层和所述源极线的界面具有大于或等于25nm的直径。7.根据权利要求2所述的存储器部件，其中，所述第二导电层的部分围绕所述第一导电层的一部分。8.根据权利要求1所述的存储器部件，其中，所述第一导电层和所述第二导电层各自包括掺杂多晶硅材料。9.根据权利要求8所述的存储器部件，其中，所述第一导电层和所述第二导电层的所述掺杂多晶硅材料是不同的。10.根据权利要求9所述的存储器部件，其中，所述第一导电层是P型掺杂或N型掺杂的，并且所述第二导电层是P型掺杂或N型掺杂中的另一者。11.根据权利要求1所述的存储器部件，还包括设置在所述导电沟道内的绝缘材料。12.根据权利要求1所述的存储器部件，还包括与所述导电沟道相邻的电介质层。13.根据权利要求12所述的存储器部件，其中，所述电介质层形成隧道电介质。14.根据权利要求1所述的存储器部件，其中，每个存储器单元包括：与所述导电沟道相邻的隧道电介质；与所述隧道电介质相邻的电荷储存结构；控制栅极；以及所述电荷储存结构和所述控制栅极之间的阻挡电介质。15.根据权利要求1所述的存储器部件，还包括与所述导电沟道相邻的源极选择栅极。16.一种存储器设备，包括：衬底；以及可操作地耦合到所述衬底的根据权利要求1所述的存储器部...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·金姆，S·M·波克，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US