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公开了导电沟道技术。在一个示例中，一种存储器部件可以包括源极线，具有电耦合到源极线的第一和第二导电层的导电沟道以及与导电沟道相邻的存储器单元。在一个方面，通过防止不希望的氧化物形成，增加界面接触面积，并且通过经由多个薄沟道集成方案调整材料结...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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