封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体制造技术

技术编号:19414830 阅读:30 留言:0更新日期:2018-11-14 01:53
本实用新型专利技术涉及封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体。根据本实用新型专利技术一实施例的封装基板,该封装基板包括第一叠合电路结构、第二叠合电路结构和第一介电层。其中,该第一叠合电路结构包括第一线路层、第二线路层以及位于该第一线路层与该第二线路层之间的电容介质层。该电容介质层包括仅与第一线路层的第二表面以及第二线路层的第三表面中的一者直接接触的至少一第一区域,以及与第一线路层的第二表面和第二线路层的第三表面同时直接接触构成内埋电容的至少一第二区域。本实用新型专利技术提供的封装基板兼具埋入式电阻、埋入式电容以及微细线路的布局特征,实现了封装基板内部元件的精细布局。

【技术实现步骤摘要】
封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体
本技术涉及半导体
,特别涉及封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体。
技术介绍
在目前的半导体封装技术中,将电阻和电容设置于封装基板内部是实现电子系统小型化的一种解决方案。通过这种方式,不仅可以提高产品的稳定性和可靠性,而且缩小了产品的物理尺寸。传统技术通常采用在封装基板内部挖孔洞的方式,将电阻元件和电容元件放置在预留的孔洞中,从而实现将电阻和电容埋入封装基板。但是,随着技术的不断发展,在具有埋入式电阻和埋入式电容的封装基板的表面上,对线路布局的精细化程度要求越来越高,传统技术的做法难以满足线路进一步密集化的要求。因此,业内亟需对现有的封装基板进行改进,以解决现有技术所存在的上述问题。
技术实现思路
本技术实施例的目的之一在于提供封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体,其将埋入式电阻、埋入式电容与埋入式线路相结合,满足了线路进一步密集化的要求。本技术的一实施例提供一种封装基板,该封装基板包括第一叠合电路结构、第二叠合电路结构以及第一介电层。其中,该第一叠合电路结构包括具有相对的第一表面与第二表面的第一线路层、具有相对的第三表面与第四表面的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装基板,其特征在于,其包括:第一叠合电路结构,其包括具有相对的第一表面与第二表面的第一线路层、具有相对的第三表面与第四表面的第二线路层以及位于所述第一线路层与所述第二线路层之间的电容介质层,所述电容介质层包括:至少一第一区域,所述至少一第一区域仅与所述第一线路层的所述第二表面以及所述第二线路层的所述第三表面中的一者直接接触;以及至少一第二区域,所述至少一第二区域与所述第一线路层的所述第二表面以及所述第二线路层的所述第三表面同时直接接触构成内埋电容;第二叠合电路结构,其包括具有相对的第五表面与第六表面的第三线路层以及电阻层,且所述电阻层包括电阻区域以及非电阻区域,所述电阻区域裸露于所述...

【技术特征摘要】
1.一种封装基板,其特征在于,其包括:第一叠合电路结构,其包括具有相对的第一表面与第二表面的第一线路层、具有相对的第三表面与第四表面的第二线路层以及位于所述第一线路层与所述第二线路层之间的电容介质层,所述电容介质层包括:至少一第一区域,所述至少一第一区域仅与所述第一线路层的所述第二表面以及所述第二线路层的所述第三表面中的一者直接接触;以及至少一第二区域,所述至少一第二区域与所述第一线路层的所述第二表面以及所述第二线路层的所述第三表面同时直接接触构成内埋电容;第二叠合电路结构,其包括具有相对的第五表面与第六表面的第三线路层以及电阻层,且所述电阻层包括电阻区域以及非电阻区域,所述电阻区域裸露于所述第三线路层,所述非电阻区域位于所述第三线路层的下方且与所述第三线路层的第五表面直接接触;以及第一介电层,其位于所述第一叠合电路结构与所述第二叠合电路结构之间。2.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板进一步包括第二介电层,其靠近所述第二叠合电路结构,且与所述第二叠合电路结构的所述电阻层直接接触。3.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板进一步包括第二介电层,其靠近所述第一叠合电路结构,且与所述第一叠合电路结构的所述第一线路层直接接触。4.根据权利要求2或3所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板进一步包括第四线路层,所述第四线路层内埋于所述第二介电层中,且所述第四线路层的底面与所述第二介电层的底面平齐。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩建华欧宪勋罗光淋程晓玲徐志前
申请(专利权)人:日月光半导体上海有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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