电子部件组件制造技术

本发明专利技术提供一种电子部件组件，其能够在集合基板的状态下形成屏蔽膜，能够提高生产率。电子部件组件具有：具有导电性图案的基板；设置于上述基板的电子部件；覆盖上述电子部件和上述基板的密封部，该密封部包括上表面和与上述上表面构成角部的侧面；与上述导电性图案电连接的设置于上述基板的接触部，该接触部具有与上述密封部的侧面接续形成的垂直面和与上述垂直面连续形成的水平面；覆盖上述密封部的上表面、上述侧面和上述接触部的屏蔽膜。

【技术实现步骤摘要】
电子部件组件
本专利技术涉及电子部件组件。
技术介绍
众所周知为了抑制由半导体装置产生的EMI(ElectroMagneticInterference：电磁干扰)而在表面形成有电磁屏蔽的半导体封装件。在这种半导体装置的制造中，例如，在将由集合基板单片化而成的多个半导体封装件以规定间隔排列并固定在输送载体上以后，通过溅射等成膜方法形成屏蔽膜(例如，专利文献1)。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，单片化后的半导体封装件的向输送载体的排列及固定既费时又费力。另外，因为要在输送载体上隔开规定的间隔地配置半导体封装件，所以生产率会下降。进而，通过成膜装置，成膜材料会蔓延(扩散)到半导体封装件的背面，成为质量下降的原因。另外，当用切割装置进行单片化时，在基板的侧面露出的接地电极其面积就会受限制，存在接触电阻上升的问题。因此，本专利技术的目的在于，提供一种电子部件组件，其能够在集合基板的状态下形成屏蔽膜，能够提高生产率。本专利技术的上述以外的目的通过整个说明书的记载即可明了。用于解决课题的技术方案本专利技术的一个实施方式的电子部件组件包括：具有导电性图案的基板；设置于所述基板的电子部件；覆盖所述电子部件和所述基板的密封部，该密封部包括上表面和与所述上表面构成角部的侧面；与所述导电性图案电连接的接触部，该接触部具有与所述密封部的侧面接续形成的垂直面和与所述垂直面连续形成的水平面；覆盖所述密封部的上表面、所述侧面和所述接触部的屏蔽膜。专利技术效果根据本专利技术，因为能够在集合基板的状态下形成屏蔽膜，所以能够提高电子部件组件的生产率。附图说明图1是第一实施方式的电子部件组件的概略图。图2A是表示从上表面侧观察形成于图1的电子部件组件的内部的通孔(或贯通孔)的位置关系的图。图2B是表示从上表面侧观察形成于图1的电子部件组件的内部的通孔(或贯通孔)的位置关系的图。图3A是在第一实施方式的电子部件组件中使用所得的概略图。图3B是在第一实施方式的电子部件组件中使用了整面接地部件的概略图。图4A是在第一实施方式的电子部件组件中设有天线区域的概略图。图4B是在第一实施方式的电子部件组件中设有天线区域的概略图。图5A是表示图1的电子部件组件的制造过程中的、在集合基板上载置电子部件的工序的概略图。图5B是表示图1的电子部件组件的制造过程中的、在集合基板上载置电子部件的工序的概略图。图6A是表示图1的电子部件组件的制造过程中的、用绝缘材料密封集合基板和电子部件的工序的概略图。图6B是表示图1的电子部件组件的制造过程中的、用绝缘材料密封集合基板和电子部件的工序的概略图。图7A是表示图1的电子部件组件的制造过程中的、形成槽的工序的概略图。图7B是表示图1的电子部件组件的制造过程中的、形成槽的工序的概略图。图8是表示图1的电子部件组件的制造过程中的、形成屏蔽膜的工序的概略图。图9是表示图1的电子部件组件的制造过程中的、将电子部件组件单片化的工序的概略图。图10是详细表示图7B所示的第一槽的形成工序的图。图11是详细表示图8所示的屏蔽膜的成膜工序的图。图12是第一实施方式的变形例1的电子部件组件的概略图。图13是第二实施方式的电子部件组件的概略图。图14A是表示图13的电子部件组件的制造过程中的、在集合基板上载置电子部件的工序的概略图。图14B是表示图13的电子部件组件的制造过程中的、在集合基板上载置电子部件的工序的概略图。图15A是表示图13的电子部件组件的制造过程中的、用绝缘材料密封集合基板和电子部件的工序的概略图。图15B是表示图13的电子部件组件的制造过程中的、用绝缘材料密封集合基板和电子部件的工序的概略图。图16A是表示图13的电子部件组件的制造过程中的、形成槽的工序的概略图。图16B是表示图13的电子部件组件的制造过程中的、形成槽的工序的概略图。图17A是表示图13的电子部件组件的制造过程中的、形成切除部的工序的概略图。图17B是表示图13的电子部件组件的制造过程中的、形成切除部的工序的概略图。图18是表示图13的电子部件组件的制造过程中的、形成屏蔽膜的工序的概略图。图19是表示图13的电子部件组件的制造过程中的、将电子部件组件单片化的工序的概略图。图20是详细表示图16B和图17B所示的槽及切除部的形成工序的图。图21是详细表示图18所示的屏蔽膜的成膜工序的图。图22是第三实施方式的电子部件组件的概略图。图23是详细表示图22的电子部件组件的制造工序中的、槽和切除部的形成工序的图。图24是详细表示图22的电子部件组件的制造工序中的、屏蔽膜的成膜工序的图。图25是第三实施方式的变形例1的电子部件组件的概略图。符号说明1、2、3、4、5电子部件组件10、110、210、310、410、510基板11、111、211、311、411、511导电性图案20、120、220、320、420、520电子部件30、130、230、330、430、530密封部40、140、240、340、440、540接触部41、141、241、341、441、541垂直面42、142、242、342、442、542水平面51、151、251、351、451、551端子52、152、252、352、452、552电极53、153、253、353、453、553通孔(或贯通孔)54、154、254、354、454、554整面接地部件60、160、260、360、460、560屏蔽膜100无线区域101天线区域具体实施方式下面，适当参照附图对本专利技术的各种实施方式进行说明。在附图中，对共通的或类似的构成要素标注相同或类似的参照符号。在下面的说明中，为了方便，使用如下所述的坐标轴。即，将Z轴的正向设为铅直向上。将Y轴的正向设为与Z轴正交并且从跟前朝向附图的纸面进深的方向。将X轴设为与Y轴及Z轴正交的方向。因此，在说上和下的情况下，指的是Z轴的正侧和负侧，在说右和左的情况下，指的是X轴的正侧和负侧。＝＝＝第一实施方式＝＝＝＝＝电子部件组件1的构造＝＝参照图1～图4B对第一实施方式的电子部件组件1的构造进行说明。图1是第一实施方式的电子部件组件1的概略图。图2A、图2B是表示从电子部件组件1的上表面侧观察形成于电子部件组件1的内部的通孔53(或贯通孔)看到的位置关系的图。图3A、图3B是在第一实施方式的电子部件组件1使用整面接地部件54的概略图。图4A、图4B是在第一实施方式的电子部件组件1设有天线区域101的概略图。如图1所示，电子部件组件1具有：基板10、电子部件20、密封部30、接触部40和屏蔽膜60。基板10例如由树脂、硅、氧化铝、玻璃、陶瓷、复合材料这样的绝缘材料形成，在内部具有导电性图案11(例如，接地配线、Vcc等)。导电性图案11例如与GND连接。这里，例如，使用了硅的基板10是所谓的硅内插器(SiliconInterposer)。在硅基板10可以形成有由PN结构成的半导体元件，也可以是本征半导体，不形成任何元件。另外，导电性图案11是在硅基板10的上层覆盖了无机类绝缘层或有机类绝缘层的基础上而设置，至少形成一层。例如，图1的基板10可看作是形成于Si基板上的基板。如图1所示，基板10至少形成有一层导电性图案11。这里，是具有形成于芯层的两面的四层导电性图案11的基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子部件组件，其特征在于，包括：具有导电性图案的基板；设置于所述基板的电子部件；覆盖所述电子部件和所述基板的密封部，该密封部包括上表面和与所述上表面构成角部的侧面；与所述导电性图案电连接的设置于所述基板的接触部，该接触部具有与所述密封部的侧面接续形成的垂直面和与所述垂直面连续形成的水平面；覆盖所述密封部的上表面、所述侧面和所述接触部的屏蔽膜。

【技术特征摘要】
2017.03.30 JP 2017-0670501.一种电子部件组件，其特征在于，包括：具有导电性图案的基板；设置于所述基板的电子部件；覆盖所述电子部件和所述基板的密封部，该密封部包括上表面和与所述上表面构成角部的侧面；与所述导电性图案电连接的设置于所述基板的接触部，该接触部具有与所述密封部的侧面接续形成的垂直面和与所述垂直面连续形成的水平面；覆盖所述密封部的上表面、所述侧面和所述接触部的屏蔽膜。2.根据权利要求1所述的电子部件组件，其特征在于：所述基板具有：设置有所述导电性图案的能够配置所述电子部件的无线区域；和配置成为天线的配线图案的天线区域，所述电子部件是与所述导电性图案电连接的、设置于所述无线区域的无线电路用部件。3.根据权利要求1所述的电子部件组件，其特征在于：所述接触部包括与所述导电性图案电连接的设置于所述基板的表层或内层的电极、以连接所述电极的上层或下层的方式设置的通孔、或设置于所述电极的上层或下层的贯通孔中的至少一者。4.根据权利要求1所述的电子部件组件，其特征在于：所述接触部的电极包括整面接地部件。5.根据权利要求3所述的电子部件组件，其特征在于：所述通孔或贯通孔在与所述密封部的侧面对应的部分以成排地形成的方式设置有多个，或者以随机地配置的方式设置有多个。6.根据权利要求1所述的电子部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：北崎健三，甲斐岳彦，岛村雅哉，青木干雄，三田仁，伊藤泰治，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP