电子封装件及其承载结构与制法制造技术

一种电子封装件及其承载结构与制法，通过于设有电子元件的承载结构上插设一屏蔽件，且以包覆层包覆该电子元件与该屏蔽件，并于该包覆层上形成一接触该屏蔽件的遮蔽层，以通过插设方式设置该屏蔽件，因而能降低其超出该承载结构的高度，进而降低该电子封装件的整体高度。

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其承载结构与制法
本专利技术有关一种封装技术，尤指一种能防止电磁干扰的半导体封装件及其制法。
技术介绍
随着半导体技术的演进，半导体产品已开发出不同封装产品型态，而为提升电性品质，多种半导体产品具有屏蔽的功能，以防止电磁干扰(ElectromagneticInterference，简称EMI)产生。如图1A所示，现有避免EMI的射频(Radiofrequency，简称RF)模组1将多个如射频及非射频式芯片的电子元件11电性连接在一基板10上侧，且将金属框架12设于该基板10上并位于各该电子元件11之间，再以如环氧树脂的封装层13包覆各该电子元件11与该金属框架12，并于该封装层13上形成一接触该金属框架12的金属层14，之后于该基板10下侧植设多个焊球15，以通过该金属框架12与该金属层14保护该些电子元件11免受外界EMI影响。然而，如图1B所示，现有射频模组1中，该金属框架12通过焊锡材料16结合至该基板10上，故该焊锡材料16会承受来自该金属框架12的内应力及后续热制程的膨胀，致使该焊锡材料16的结构容易受损，导致焊料扩散(solderextension)，以致于该焊锡材料16会溢流至该基板10的电性接触垫100，因而造成该电子元件11短路。此外，该金属框架12超出该基板10表面的高度H(可忽略该焊锡材料16的高度)大致等于该金属框架12的整体高度H，故该射频模组1的整体高度难以降低，导致后续应用该射频模组1的电子产品难以符合轻、薄、短、小的需求。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺失，本专利技术提供一种电子封装件及其承载结构与制法，以降低该电子封装件的整体高度。本专利技术的电子封装件，包括：承载结构；至少一电子元件，其设于该承载结构上；至少一屏蔽件，其插设于该承载结构上；包覆层，其形成于该承载结构上以包覆该电子元件与该屏蔽件；以及遮蔽层，其形成于该包覆层上并电性连接该屏蔽件。本专利技术复提供一种电子封装件的制法，其包括：于一承载结构上设置至少一电子元件及插设至少一屏蔽件；于该承载结构上形成包覆该电子元件与该屏蔽件的包覆层；以及于该包覆层上形成电性连接该屏蔽件的遮蔽层。前述的电子封装件及其制法中，该承载结构形成有至少一凹部，以供该屏蔽件插设于其中。例如，该承载结构包含有绝缘层，且该绝缘层形成有至少一开孔以构成该凹部；进一步地，该开孔的孔壁上形成有金属层。前述的电子封装件及其制法中，该承载结构包含有电性连接该电子元件的线路层。前述的电子封装件及其制法中，该承载结构上设有多个该电子元件，且该屏蔽件插设于任二该电子元件之间。前述的电子封装件及其制法中，该屏蔽件电性连接该承载结构的接地部。前述的电子封装件及其制法中，该遮蔽层接触该屏蔽件。本专利技术亦提供一种承载结构，其定义有相邻的布线区及插设区，包括：绝缘体；线路部，其形成于该些绝缘体上且位于该布线区中；以及至少一凹部，其形成于该绝缘体上且位于该插设区中。前述的承载结构中，该绝缘体包含多个绝缘层，且该凹部包含形成于该绝缘层上的开孔。进一步地，该凹部复包含金属层，其形成于该开孔的孔壁上。由上可知，本专利技术的电子封装件及其承载结构制法，主要通过于承载结构中形成有凹部，以供屏蔽件插设于该承载结构的凹部，以避免现有焊料扩散甚或短路问题。此外，由于该屏蔽件插设于该承载结构上，故该屏蔽件超出该承载结构的高度会小于该屏蔽件的整体高度，故相较于现有技术，该电子封装件的整体高度得以降低，以利于后续应用该电子封装件的电子产品符合轻、薄、短、小的需求。附图说明图1A为现有射频模组的剖面示意图；图1B为对应图1A的局部放大图；图2A至图2C为本专利技术的电子封装件的制法的剖面示意图；图2A’为对应图2A的屏蔽件的其中一实施例的平面示意图；图3A至图3D为本专利技术的电子封装件的承载结构及其凹部的第一实施例的制法的剖面示意图；图4为对应图3D的另一实施例；图5A至图5D为本专利技术的电子封装件的承载结构及其凹部的第二实施例的制法的剖面示意图；以及图6为对应图5D的另一实施例。符号说明：1射频模组10基板100电性接触垫11,21,21’电子元件12金属框架13封装层14金属层15焊球16焊锡材料2电子封装件20,3,4,5,6承载结构20a第一侧20b第二侧200绝缘体201线路部202,3a,4a,5a,6a凹部21a作用面21b非作用面210导电凸块210’焊线22屏蔽件22a端部23包覆层23a第一表面23b第二表面24遮蔽层25导电元件250凸块底下金属层30内部绝缘层30a第一绝缘层30b第二绝缘层31内部线路层31’接地部31a第一线路层31b第二线路层32a,52a第一开孔32b,42b,52b第二开孔33a第一金属层33b第二金属层331第一凹口332第二凹口34绝缘保护层340开口53第三金属层530第三凹口A布线区B插设区H,h高度。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”、“第三”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。图2A至图2C为本专利技术的电子封装件2的制法的剖面示意图。如图2A所示，提供一承载结构20，其具有相对的第一侧20a与第二侧20b，且于该承载结构20的第一侧20a上设有相互分隔的电子元件21,21’，并插设一屏蔽件22于该承载结构20的第一侧20a上。于本实施例中，该承载结构20为具有核心层的线路构造或无核心层(coreless)的线路构造，其具有绝缘体200与设于该绝缘体200上的线路部201，如扇出(fanout)型重布线路层(redistributionlayer，简称RDL)，且形成该线路部201的材质为铜，而形成该绝缘体200的材质为如聚对二唑苯(Polybenzoxazole，简称PBO)、聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)、预浸材(Prepreg，简称PP)等介电材。应可理解地，该承载结构20也可为其它承载芯片的载体，如有机板材、晶圆(wafer)、或其它具有金属布线(routing)的载板，并不限于上述。此外，有关该线路部201的制程可于一承载件(图未示)上形成该绝缘体200与该线路部201，且该承载件的种类繁多，例如，该承载件为晶圆、玻璃板、铝板、或表面具铝层的板体，并无特别限制。又，该电子元件21,21’为封装件、主动元件、被动元件或其组合等，其中，该主动元件为例如半导体芯片，且该被动元件为例如电阻、电容及电感。具体地，该电子元件21,21’为射频芯片(例如：蓝牙芯片或Wi-Fi芯片)，但也可为其它不受电磁波干本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子封装件，其特征为，该电子封装件包括：承载结构；至少一电子元件，其设于该承载结构上；至少一屏蔽件，其插设于该承载结构上；包覆层，其形成于该承载结构上以包覆该电子元件与该屏蔽件；以及遮蔽层，其形成于该包覆层上并电性连接该屏蔽件。

【技术特征摘要】
2017.04.12 TW 1061121771.一种电子封装件，其特征为，该电子封装件包括：承载结构；至少一电子元件，其设于该承载结构上；至少一屏蔽件，其插设于该承载结构上；包覆层，其形成于该承载结构上以包覆该电子元件与该屏蔽件；以及遮蔽层，其形成于该包覆层上并电性连接该屏蔽件。2.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该承载结构形成有供插设该屏蔽件的至少一凹部。3.根据权利要求2所述的电子封装件，其特征为，该承载结构包含有绝缘层，且该绝缘层形成有至少一开孔以构成该凹部。4.根据权利要求3所述的电子封装件，其特征为，该开孔的孔壁上形成有金属层。5.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该承载结构包含有电性连接该电子元件的线路层。6.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该承载结构上设有多个该电子元件，且该屏蔽件插设于任二该电子元件之间。7.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该屏蔽件电性连接该承载结构的接地部。8.一种电子封装件的制法，其特征为，该制法包括：于一承载结构上设置至少一电子元件及插设至少一屏蔽件；该承载结构上形成包覆该电子元件与该屏蔽...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴柏毅，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71