半导体封装、半导体封装组件以及制造半导体封装的方法技术

半导体封装、半导体封装组件以及制造半导体封装的方法。本发明专利技术揭示一种具有EMI屏蔽功能的半导体封装以及其制造方法。在一实施例中，半导体封装的制造方法包括：形成基板；将半导体装置附接至基板的顶部；使用囊封物囊封半导体装置；在囊封物中形成沟槽；以及在囊封物的表面上形成屏蔽层。

Semiconductor package, semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package

Semiconductor package, semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package. The invention discloses a semiconductor package with EMI shielding function and a manufacturing method thereof. In one embodiment, a semiconductor package is fabricated by forming a substrate; attaching a semiconductor device to the top of the substrate; encapsulating the semiconductor device with a capsule; forming a groove in the capsule; and forming a shielding layer on the surface of the capsule.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装、半导体封装组件以及制造半导体封装的方法
本专利技术的某些实施例涉及半导体封装、半导体封装组件以及制造半导体封装的方法，并且更特别地涉及形成包括多个半导体晶粒的半导体封装。
技术介绍
各种电子设备可包括具有各种结构的半导体装置以及电子装置以用于交换各种讯号，其中半导体装置和电子装置在操作期间会发射电磁波。电磁波会干扰半导体装置和电子装置的操作，因为这些装置会非常靠近地一起安装于主机板上。据此，屏蔽电磁波的结构和/或方法是有需要的。通过比较这些系统与如在本申请中参照附图的其余部分阐述的本揭示的某些实施例，对于本领域的技术人员而言，常规和传统方法的进一步限制和缺点将变得显而易见。
技术实现思路
本专利技术的半导体封装以及其制造方法大致上示于附图的至少一者中和/或结合附图的至少一者来描述，并在权利要求书中进行更完整的阐述。本专利技术的各种优点、态样和新颖性特征，以及其实施例所例示的细节，将从下面的描述和附图而更充分地理解。一种制造半导体封装的方法，其包括：形成基板；将第一半导体装置附接至所述基板的顶部；使用囊封物囊封所述第一半导体装置；在所述囊封物中形成沟槽；以及在所述囊封物的表面上形成屏蔽层。进一步地，其中前述形成所述基板包括：在支撑层上形成第一基板部分，所述第一基板部分包括第一传导结构和第一介电结构；将第一载体附接至所述第一基板部分的顶部；移除所述支撑层；以及在所述第一基板部分上形成第二基板部分，所述第二基板部分包括第二传导结构和第二介电结构。进一步地，其包括：在形成所述屏蔽层之后，将第二载体附接至形成在所述囊封物的顶侧上的所述屏蔽层；移除所述第一载体；以及在所述第一基板部分上形成传导凸块。进一步地，其包括：将第二半导体装置附接至所述第一基板部分，所述第二半导体装置的高度小于所述传导凸块。进一步地，其中所述沟槽被形成以穿过所述囊封物和所述基板。进一步地，其中所述屏蔽层被形成在所述囊封物的顶表面、所述囊封物的侧表面以及所述基板的侧表面上。进一步地，其中所述屏蔽层被电性连接至所述基板的接地。进一步地，其中所述基板是具有核心的印刷电路板。进一步地，其包括：在所述囊封之后，在所述基板上形成传导凸块。进一步地，其包括：将载体附接至所述囊封物的顶部；以及形成所述沟槽以穿过所述囊封物和所述基板。进一步地，其在形成所述屏蔽层之前包括：将黏合构件附接至所述基板，以包围所述传导凸块；以及移除所述载体。一种制造半导体封装的方法，其包括：在支撑层上形成第一基板部分；将半导体装置附接至所述第一基板部分的顶侧；使用囊封物囊封所述半导体装置；在所述囊封物中形成沟槽；在所述囊封物的表面上形成屏蔽层；以及在所述第一基板部分上形成第二基板部分。进一步地，其中形成所述第一基板部分包括形成含有传导结构和介电结构的所述第一基板部分。进一步地，其中形成所述沟槽包括形成所述沟槽以穿过所述囊封物、所述第一基板部分以及所述支撑层的部分。进一步地，其中形成所述第二基板部分包括：将载体附接至形成在所述囊封物的顶侧上的所述屏蔽层上；移除所述支撑层；以及在所述第一基板部分上形成第二基板部分，其中所述第二基板部分包括传导结构和介电结构。进一步地，其包括：将光阻材料注入到所述沟槽中。进一步地，其包括：在形成所述第二基板部分之后，在所述第二基板部分上形成传导凸块。一种半导体封装组件，其包括：基板；第一半导体装置，其附接至所述基板的顶部；囊封物，其囊封所述第一半导体装置；沟槽，其形成在所述囊封物中；以及屏蔽层，其形成在所述囊封物的表面上。进一步地，其中所述基板包括：第一基板部分，其包括第一传导结构和第一介电结构；以及第二基板部分，其包括第二传导结构和第二介电结构。进一步地，其包括：传导凸块，其形成在所述第一基板部分上。进一步地，其包括：高度小于所述传导凸块的第二半导体装置，其被附接至所述第一基板部分。进一步地，其中所述沟槽被形成以穿过所述囊封物和所述基板。进一步地，其中所述屏蔽层被形成在所述囊封物的顶表面、所述囊封物的侧表面以及所述基板的侧表面上。进一步地，其中所述屏蔽层被形成在所述沟槽的底部上并且被电性连接至所述基板的接地。进一步地，其中所述基板是具有核心的印刷电路板。进一步地，其包括：传导凸块，其形成在所述基板上。进一步地，其中所述沟槽被形成以穿过所述囊封物和所述基板。进一步地，其包括：黏合构件，其被附接至所述基板，以包围所述传导凸块。一种半导体封装组件，其包括：第一基板部分；半导体装置，其被附接至所述第一基板部分的顶侧；囊封物，其囊封所述半导体装置；沟槽，其形成在所述囊封物中；屏蔽层，其形成在所述囊封物的表面上；以及第二基板部分，其形成在所述第一基板部分上。进一步地，其中所述第一基板部分包括传导结构和介电结构。进一步地，其中所述沟槽被形成以穿过所述囊封物以及所述第一基板部分。进一步地，其中所述屏蔽层被形成在所述囊封物的顶表面、所述囊封物的侧表面、所述第一基板部分的侧表面以及所述沟槽的底部上。进一步地，其中所述屏蔽层被电性连接至所述第一基板部分和所述第二基板部分中的一或两者的接地。进一步地，其包括：光阻材料，其被注入到所述沟槽中。进一步地，其包括：传导凸块，其被形成在所述第二基板部分上。一种半导体封装，其包括：基板；半导体装置，其被附接至所述基板；囊封物，其囊封在所述基板上的所述半导体装置；以及屏蔽层，其被形成在所述囊封物的表面上。进一步地，其中所述屏蔽层被形成在所述囊封物的顶表面、所述囊封物的侧表面以及所述基板的侧表面上。进一步地，其中所述屏蔽层被电性连接至所述基板的接地。附图说明图1A至图1J是根据本专利技术的实施例依序地例示半导体封装的制造方法的制程步骤的截面图。图2A至图2H是根据本专利技术的另一实施例依序地例示半导体封装的制造方法的制程步骤的截面图。图3A至图3G是根据本专利技术的又另一实施例依序地例示半导体封装的制造方法的制程步骤的截面图。具体实施方式以下配合图式及本专利技术的较佳实施例，进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段。本专利技术的实施例不应被解释为限于本文所阐述的描述。相反地，这些实施例被提供作示例(诸如(但不限于)，一形状所投影的表面的变化、投影到此表面上的入射角的变化、所投影的元件的性质和结构的变化等等)，以使本专利技术更为详尽和完整，并且将向本领域技术人员充分地表达本专利技术的范围。所附权利要求书说明本揭示的一些实施例。在以下讨论中，“举例而言”、“例如”、“范例性”等词是非限制性的，并且一般而言与“举例来说而无限制”、“举例而言且无限制”和类似者同义。如在此所用，“和/或”即由“和/或”结合所列的项目当中任一或更多者。举例来说，“x和/或y”即三元素组{(x)、(y)、(x，y)}当中的任一元素。换言之，“x和/或y”即“x和y当中一或二者”。举另一例来说，“x、y和/或z”即七元素组{(x)、(y)、(z)、(x，y)、(x，z)、(y，z)、(x，y，z)}当中的任一元素。换言之，“x、y和/或z”即“x、y和z当中一或更多者”。在此所用的辞汇只是为了描述特殊的范例，并且不打算限制本揭示。如在此所用，单数形式打算也包括复数形式，除非上下文明确另有所指。将进一步了解“包括”、“包含”、“含有”、“具有”、“拥有”、“有”和类似的词当用于本说本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体封装的方法，其特征在于，其包括：形成基板；将第一半导体装置附接至所述基板的顶部；使用囊封物囊封所述第一半导体装置；在所述囊封物中形成沟槽；以及在所述囊封物的表面上形成屏蔽层。

【技术特征摘要】
2017.03.02 US 15/447,8311.一种制造半导体封装的方法，其特征在于，其包括：形成基板；将第一半导体装置附接至所述基板的顶部；使用囊封物囊封所述第一半导体装置；在所述囊封物中形成沟槽；以及在所述囊封物的表面上形成屏蔽层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，前述形成所述基板包括：在支撑层上形成第一基板部分，所述第一基板部分包括第一传导结构和第一介电结构；将第一载体附接至所述第一基板部分的顶部；移除所述支撑层；以及在所述第一基板部分上形成第二基板部分，所述第二基板部分包括第二传导结构和第二介电结构。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其包括：在形成所述屏蔽层之后，将第二载体附接至形成于所述囊封物的顶侧上的所述屏蔽层；移除所述第一载体；以及在所述第一基板部分上形成传导凸块。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其包括：将第二半导体装置附接至所述第一基板部分，所述第二半导体装置的高度小于所述传导凸块。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽被形成以穿过所述囊封物和所述基板。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽层被形成在所述囊封物的顶表面、所述囊封物的侧表面以及所述基板的侧表面上。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽层被电性连接至所述基板的接地。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板是具有核心的印刷电路板。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其包括：在所述囊封之后，在所述基板上形成传导凸块。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，其包括：将载体附接至所述囊封物的顶部；以及形成所述沟槽以穿过所述囊封物和所述基板。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，其在形成所述屏蔽层之前包括：将黏合构件附接至所述基板，以包围所述传导凸块；以及移除所述载体。12.一种制造半导体封装的方法，其特征在于，其包括：在支撑层上形成第一基板部分；将半导体装置附接至所述第一基板部分的顶侧；使用囊封物囊封所述半导体装置；在所述囊封物中形成沟槽；在所述囊封物的表面上形成屏蔽层；以及在所述第一基板部分上形成第二基板部分。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述第一基板部分包括形成含有传导结构和介电结构的所述第一基板部分。14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述沟槽包括形成所述沟槽以穿过所述囊封物、所述第一基板部分以及所述支撑层的部分。15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述第二基板部分包括：将载体附接至形成在所述囊封物的顶侧上的所述屏蔽层上；移除所述支撑层；以及在所述第一基板部分上形成第二基板部分，其中所述第二基板部分包括传导结构和介电结构。16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，其包括：将光阻材料注入到所述沟槽中。17.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，其包括：在形成所述第二基板部分之后，在所述第二基板部分上形成传导凸块。18.一种半导体封装，其特征在于，其包括：基板；半导体装置，其被附接至...

【专利技术属性】
技术研发人员：金何松，古永炳，康德本，李宰金，金俊东，金东尚，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US