三维存储器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种三维存储器及其制造方法，该存储器包括栅极/介质层叠层结构，包括核心区和位于所述核心区一侧的台阶区；第一沟道孔，穿过所述核心区的栅极/介质层叠层结构；第二沟道孔，穿过所述台阶区的栅极/介质层叠层结构；所述第二沟道孔的开口小于所述第一沟道孔的开口。依照本发明专利技术的三维存储器及其制造方法，通过随着与核心区之间距离增大而减小台阶区沟道孔的尺寸，使得沟道孔底部凸台高度保持一致，提高了器件的可靠性。

Three dimensional memory and its manufacturing method

The invention discloses a three-dimensional memory and a manufacturing method thereof, which comprises a gate/dielectric layer stacked structure including a core area and a step area located on one side of the core area; a first channel hole passing through the gate/dielectric layer stacked structure of the core area; and a second channel hole passing through the gate/dielectric layer of the step area. The opening of the second channel hole is smaller than the opening of the first channel hole. According to the three-dimensional memory of the invention and its manufacturing method, the size of the channel hole in the step area is reduced with the distance between the channel hole and the core area increasing, so that the height of the bottom bump of the channel hole is consistent, and the reliability of the device is improved.

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制造方法
本专利技术涉及一种三维存储器及其制造方法，特别是涉及一种三维与非门存储器单元晶体管及其制造方法。
技术介绍
为了改善存储器件的密度，业界已经广泛致力于研发减小二维布置的存储器单元的尺寸的方法。随着二维(2D)存储器件的存储器单元尺寸持续缩减，信号冲突和干扰会显著增大，以至于难以执行多电平单元(MLC)操作。为了克服2D存储器件的限制，业界已经研发了具有三维(3D)结构的存储器件，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。典型的3DNAND器件结构的制造过程中的剖视图如图1所示，在通常为Si的衬底(分别对应于虚线右侧的核心区1c和虚线左侧的台阶(dummy)区1d)上沉积多个介质层堆叠构成的叠层结构，例如氮化物的第一层2a和氧化物的第二层2b交替的结构，并且优选地，最底部的一个氧化物层2b厚度较大以提高底部驱动晶体管与上部NAND晶体管串之间的绝缘隔离效果。其中，在存储器阵列的核心区1c中的晶体管串内所含的串接晶体管数目较多，因此层2a/2b循环层叠数目较多，而台阶区1d中串接晶体管数目较少并朝外围区域逐渐减少至0，因此层2a/2b循环数目逐渐减少，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：栅极/介质层叠层结构，包括核心区和位于所述核心区一侧的台阶区；第一沟道孔，穿过所述核心区的栅极/介质层叠层结构；第二沟道孔，穿过所述台阶区的栅极/介质层叠层结构；所述第二沟道孔的开口小于所述第一沟道孔的开口。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：栅极/介质层叠层结构，包括核心区和位于所述核心区一侧的台阶区；第一沟道孔，穿过所述核心区的栅极/介质层叠层结构；第二沟道孔，穿过所述台阶区的栅极/介质层叠层结构；所述第二沟道孔的开口小于所述第一沟道孔的开口。2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第二沟道孔的数量为两个以上；所述台阶区的所述第二沟道孔中，距离所述核心区越远的所述第二沟道孔的开口越小。3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一沟道孔、第二沟道孔至少其中之一为圆孔。4.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，自所述核心区指向台阶区的方向，所述台阶区的所述第二沟道孔的开口呈线性或步进式减小。5.如权利要求1至4任一项所述的三维存储器，其特征在于，进一步包括：分布在所述第一沟道孔底部的第一半导体凸台；分布在所述第二沟道孔底部的第二半导体凸台。6.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，其中，所述第一半导体凸台和第二半导体凸台的顶部齐平或接近；任选地，所述第二半导体凸台的顶部至少超过最下方介质层的底部，优选地，所述第一半导体凸台的顶部至少超过最下方介质层高度的1/3处。7.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成由多个第一介质层与多个第二介质层交替堆叠构成的介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘隆冬，苏恒，王猛，朱喜峰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42