竖直存储器装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
竖直存储器装置相关申请的交叉引用本申请要求于2016年12月22日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2016-0176705的优先权，该申请的内容以引用方式并入本文中。
本专利技术构思整体涉及竖直存储器装置，并且更具体地说，本专利技术构思涉及包括竖直地延伸的沟道的竖直非易失性存储器装置。
技术介绍
随着在VNAND闪速存储器装置中竖直地堆叠的台阶数量增大，形成沟道孔由于其高的宽高比而变得更加困难。而且，如果沟道孔的宽度增大，则在这种情况下，VNAND闪速存储器装置的面积增大。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例提供了一种具有改进的特征的竖直存储器装置。根据本专利技术构思的实施例，提供了一种竖直存储器装置。竖直存储器装置可包括模具结构和多个沟道。模具结构可包括布置在衬底上的栅电极和绝缘图案。栅电极可在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平，并且绝缘图案可布置在所述栅电极中的邻近的栅电极之间。沟道可在孔中在竖直方向上延伸穿过模具结构，并且可在所述孔中在基本平行于衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开。栅电极中的每一个可包括在水平方向...
【技术保护点】
1.一种竖直存储器装置，包括：模具结构，其包括设置在衬底上的栅电极和绝缘图案，所述栅电极在实质上垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平处，并且所述绝缘图案布置在所述栅电极中的邻近的栅电极之间；以及多个沟道，其设置在在竖直方向上延伸穿过所述模具结构的孔中，所述多个沟道在所述孔中在实质上平行于所述衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开，其中，所述栅电极中的每一个包括在水平方向上彼此间隔开的多个第一栅电极，并且其中，所述孔延伸穿过包括在所述栅电极中的每一个中的所述多个第一栅电极中的一个。
【技术特征摘要】
2016.12.22 KR 10-2016-01767051.一种竖直存储器装置，包括：模具结构，其包括设置在衬底上的栅电极和绝缘图案，所述栅电极在实质上垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平处，并且所述绝缘图案布置在所述栅电极中的邻近的栅电极之间；以及多个沟道，其设置在在竖直方向上延伸穿过所述模具结构的孔中，所述多个沟道在所述孔中在实质上平行于所述衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开，其中，所述栅电极中的每一个包括在水平方向上彼此间隔开的多个第一栅电极，并且其中，所述孔延伸穿过包括在所述栅电极中的每一个中的所述多个第一栅电极中的一个。2.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中，分隔图案延伸穿过所述多个第一栅电极中的一个的孔，并且将所述孔划分为多个子沟道。3.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，还包括在所述孔的内壁上在水平方向上按次序堆叠的阻挡图案、电荷存储图案和隧道绝缘图案，其中，所述隧道绝缘图案覆盖所述多个沟道中的每一个的侧壁。4.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中，所述多个第一栅电极中的每一个在实质上平行于所述衬底的上表面的第一方向上延伸，并且所述多个第一栅电极在实质上平行于所述衬底的上表面并且实质上垂直于所述第一方向的第二方向上布置。5.根据权利要求4所述的竖直存储器装置，还包括多个孔，其在所述多个第一栅电极中的一个中在所述第一方向上彼此间隔开。6.根据权利要求5所述的竖直存储器装置，其中，所述沟道形成在所述多个孔中的每一个中，并且被包括绝缘材料的分隔图案划分。7.根据权利要求6所述的竖直存储器装置，其中，所述分隔图案包括多个分隔图案，它们分别至少部分地设置在所述多个孔中的每一个中，并且其中所述多个孔彼此间隔开。8.根据权利要求6所述的竖直存储器装置，其中，所述分隔图案包括多个分隔图案，它们分别至少部分地设置在所述多个孔中的每一个中，并且所述分隔图案分别彼此连接，并且所述分隔图案的侧壁被所述多个第一栅电极中的一个包围。9.根据权利要求4所述的竖直存储器装置，还包括共源极线，其在所述多个第一栅电极之间在所述第一方向上延伸。10.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，还包括多个孔，其在所述多个第一栅电极中的一个中彼此间隔开，其中，仅一个沟道形成在所述多个孔的第一孔中的每一个中。11.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，还包括半导体图案，其在所述孔中接触所述衬底的上表面，所述半导体图案分别接触所述沟道的下表面，并且彼此间隔开。12.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，还包括半导体图案，其在所述孔中布置在所述衬底的上表面上，所述半...
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