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一种竖直存储器装置包括模具结构和沟道。模具结构包括设置在衬底上的栅电极和绝缘图案，其中栅电极在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平。绝缘图案布置在邻近的栅电极之间。沟道在孔中在竖直方向上延伸穿过模具结构，并且在所述孔中在基本...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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