半导体封装结构及其制造方法技术

本揭露实施例提供一种半导体封装结构及其制造方法。该方法包括提供经形成于载体衬底上方的堆叠结构，其中所述堆叠结构具有含开口的通道。将所述堆叠结构浸入到流体模制材料中以使所述流体模制材料通过所述开口流入到所述通道中。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制造方法
本揭露实施例涉及一种半导体封装结构及其制造方法。
技术介绍
为进一步提高电路密度且降低成本，已开发三维(3D)半导体封装结构。在半导体封装结构中，若干裸片经堆叠且模制层经形成以封装堆叠裸片。然而，针对在裸片之间具有通道的半导体封装结构，空隙趋向于在形成模制层时出现于通道中，且需要若干模制操作。
技术实现思路
根据本揭露的一实施例，一种制造半导体封装结构的方法包括：提供经形成于载体衬底上方的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括位于所述载体衬底上方且彼此间隔的多个第一裸片及位于所述多个第一裸片上方的第二裸片，且所述载体衬底、所述多个第一裸片及所述第二裸片界定具有开口的通道；及将所述堆叠结构浸入到流体模制材料中以使所述流体模制材料通过所述开口流入到所述通道中。根据本揭露的一实施例，一种半导体封装结构包括：多个第一裸片，所述多个第一裸片彼此间隔；模制层，其介于所述第一裸片之间；第二裸片，其位于所述多个第一裸片及所述模制层上方；及粘附层，其介于所述多个第一裸片与所述第二裸片之间且介于所述模制层与所述第二裸片之间，其中所述粘附层与所述模制层之间的第一界面及所述粘附层与所述多个第一裸片之间的第二界面位于不同阶层处。根据本揭露的一实施例，一种半导体封装结构包括：多个第一裸片，所述多个第一裸片彼此间隔；第二裸片，其位于所述多个第一裸片上方，所述多个第一裸片及所述第二裸片界定具有开口的通道；模制层，其包围所述多个第一裸片及所述第二裸片且位于所述通道中；多个第一导体，所述多个第一导体位于所述模制层中且位于所述第一裸片上方且电连接到所述第一裸片；多个第二导体，所述多个第二导体位于所述模制层中且位于所述第二裸片上方且电连接到所述第二裸片；及重布层，其位于所述模制层上方，其中所述第一导体及所述第二导体通过所述重布层而彼此电连接。附图说明从结合附图阅读的以下详细描述最好地理解本揭露的实施例的方面。应注意，根据标准工业实践，各种结构未按比例绘制。事实上，为使论述清楚，可任意增大或减小各种结构的尺寸。图1是绘示根据本揭露的一或多个实施例的各种方面的用于制造半导体封装结构的方法的流程图。图2是绘示根据本揭露的一或多个实施例的各种方面的用于制造通道结构的方法的流程图。图3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G、3H及3I是根据本揭露的一或多个实施例的制造半导体封装结构的各种操作的一种中的示意图。图4A、4B、4C及4D是根据本揭露的一或多个实施例的制造半导体封装结构的各种操作的一种中的示意图。图5A、5B、5C及5D是根据本揭露的一或多个实施例的制造半导体封装结构的各种操作的一种中的示意图。图6是根据本揭露的一或多个实施例的半导体封装结构的示意性剖面图。图7是根据本揭露的一或多个实施例的半导体封装结构的示意性剖面图。具体实施方式以下公开提供用于实施所提供主题的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文将描述元件及布置的特定实例以简化本揭露实施例。当然，这些仅为实例且不意在限制。例如，在以下描述中，使第一装置形成于第二装置上方或第二装置上可包含其中形成直接接触的所述第一装置及所述第二装置的实施例，且还可包含其中可在所述第一装置与所述第二装置之间形成额外装置使得所述第一装置及所述第二装置可不直接接触的实施例。另外，本揭露实施例可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简化及清楚且其本身不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为便于描述，空间相对术语(例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等等)可在本文中用于描述元件或装置与另一(些)元件或装置的关系，如图中所绘示。空间相对术语除涵盖图中所描绘的定向以外，还意图涵盖装置在使用中或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或呈其它定向)且还可据此解译本文中所使用的空间相对描述词。如本文中所使用，尽管例如“第一”及“第二”的术语描述各种元件、组件、区域、层及/或区段，但是这些元件、组件、区域、层及/或区段不应受限于这些术语。这些术语可仅用于使元件、组件、区域、层或区段彼此区别。如本文中所使用，例如“第一”、“第二”及“第三”的术语不隐含序列或顺序，除非内文清楚指示。在本揭露的一或多个实施例中，提供一种制造半导体封装结构的方法。所述方法包含：通过浸入模制操作而在通道中形成模制层。所述通道是具有由若干堆叠裸片界定的小开口的窄通孔。在所述浸入模制操作中，将具有开口的所述通道逐渐浸入于流体模制材料中，使得所述流体模制材料通过所述开口持续流入到所述通道中。同时，通过所述通道的所述开口带走所述通道中的残留空气。据此，避免在所述通道中形成空隙。接着，使所述流体模制材料固化而形成所述模制层。在一些实施例中，在被抽成真空的反应室中实施所述浸入模制操作，使得残留空气通过真空带走。在本揭露的一或多个实施例中，提供一种制造通道结构的方法。所述方法包含：将具有含开口的通道的通道结构安置到流体材料中以使所述流体材料通过所述开口流入到所述通道中。使所述通道按第一深度安置于所述流体材料中，使得所述开口的第一部分被浸入到所述流体材料中，而所述开口的第二部分从所述流体材料暴露。据此，通过所述通道的所述开口的所述第二部分带走所述通道中的残留空气。接着，使所述通道按第二深度安置于所述流体材料中，使得所述开口的所述第二部分被浸入到所述流体材料中以使所述流体材料流入到所述通道中。在一或多个实施例中，所述通道结构是(但不限于)具有含(若干)开口的通道的半导体封装结构的一部分。在本揭露的一或多个实施例中，一种半导体封装结构包含：第一裸片，所述第一裸片彼此间隔；模制层，其介于所述第一裸片之间；第二裸片，其位于所述第一裸片及所述模制层上方；及粘附层，其介于所述第一裸片与所述第二裸片之间且介于所述模制层与所述第二裸片之间。所述模制层包含朝向所述第二裸片延伸的突出部分或远离所述第二裸片凹陷的凹陷部分，使得所述模制层与所述粘附层接合，借此增强所述模制层与所述粘附层之间的粘附性。图1是绘示根据本揭露的一或多个实施例的各种方面的用于制造半导体封装结构的方法的流程图。方法100以操作110开始，其中提供经形成于载体衬底上方的堆叠结构。所述堆叠结构包括位于所述载体衬底上方且彼此间隔的多个第一裸片及位于所述第一裸片上方的第二裸片，且所述载体衬底、所述第一裸片及所述第二裸片界定具有开口的通道。方法100继续进行操作120，其中将所述堆叠结构浸入到流体模制材料中以使所述流体模制材料通过所述开口流入到所述通道中。方法100仅为一实例，且不意图限制本揭露实施例超出权利要求书中明确叙述的内容。可在方法100之前、在方法100期间及在方法100之后提供额外操作，且可针对方法的额外实施例替换、消除或移动所描述的一些操作。图2是绘示根据本揭露的一或多个实施例的各种方面的用于制造通道结构的方法的流程图。方法200以操作210开始，其中提供具有含开口的通道的通道结构。方法200继续操作220，其中使所述通道按第一深度安置于流体材料中。在操作220中，使所述开口的第一部分按所述第一深度浸入到所述流体材料中以使所述流体材料通过所述开口的所述第一部分流入到所述通道中且从所述开口的第二部分排出所述通道中的残留空气。方法200继续进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体封装结构的方法，其包括：提供经形成于载体衬底上方的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括位于所述载体衬底上方且彼此间隔的多个第一裸片及位于所述多个第一裸片上方的第二裸片，且所述载体衬底、所述多个第一裸片及所述第二裸片界定具有开口的通道；及将所述堆叠结构浸入到流体模制材料中以使所述流体模制材料通过所述开口流入到所述通道中。

【技术特征摘要】
2016.11.29 US 62/427,664;2017.02.24 US 15/441,9011.一种制造半导体封装结构的方法，其包括：提供经形成于载体衬底上方的...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪政男，余俊辉，余国宠，蔡易达，林威宏，郑明达，谢静华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71