一种半导体器件及其制作方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制作方法和电子装置。所述方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构；提供支撑晶圆，并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；在所述器件晶圆的背面形成封装结构；对所述器件晶圆进行切割；进行解键合，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。本发明专利技术切割过程中晶圆还是键合的状态，芯片表面被保护，且厚片切割品质容易保证；切割之后采用化学解键合(chemical De‑bond)，采用平台(bench)式作业，产量(throughput)高，安全可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法和电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置。
技术介绍
在电子消费领域，多功能设备越来越受到消费者的喜爱，相比于功能简单的设备，多功能设备制作过程将更加复杂，比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片，因而出现了3D集成电路(integratedcircuit，IC)技术，3D集成电路(integratedcircuit，IC)被定义为一种系统级集成结构，将多个芯片在垂直平面方向堆叠，从而节省空间。在集成电路中指纹识别芯片的制备变的越来越广泛，如今指纹识别已成为手机标配，市场上出现越来越多的生产指纹识别的厂家，不同的厂家其设计原理也是不一样的，其中基于电容结构方式的指纹识别器得到广泛应用。指纹识别芯片的晶圆级封装需要将正常晶圆的厚度减薄到100～200um左右，然后在背部完成硅通孔(TSV)、重布线层(RDL)、铜柱(Cupillar)后出货。目前TSV、RDL和铜柱(Cupillar)都属于成熟工艺，而影响目前封装良率主要是薄晶圆(thinwafer)的处理，通常是采用临时键合和解键合工艺来完成相关的制程。目前的流程存在以下问题：1.目前通常采用热滑落解键合(ThermalSlideDe-bond)的方法解键合，所述方法产量(throughput)低，且因为热应力存在经常发生破片；2.热滑落解键合(ThermalSlideDe-bond)后需要手工处理薄晶圆安装(handlethinwafermount)，该步骤破片风险极大；3.解键合(De-bond)之后进行切割，造成芯片表面的污染，且薄晶圆(thinwafer)切割的品质难以保证。因此，为了解决上述技术问题，有必要提出一种新的半导体器件的制作方法。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了克服目前存在的问题，本专利技术提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构；提供支撑晶圆，并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；在所述器件晶圆的背面形成封装结构；对所述器件晶圆进行切割；进行解键合，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。可选地，所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面通过临时键合材料层进行所述临时键合。可选地，所述临时键合材料层使用在化学溶剂中溶解的材料。可选地，将所述器件晶圆和所述支撑晶圆浸入化学溶剂中，将所述临时键合材料层溶解，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。可选地，所述临时键合的键合温度为100～400℃，时间为3～20分钟。可选地，所述解键合采用浸入平台式或者旋转单片作业式。可选地，在所述器件晶圆的背面形成所述封装结构的方法包括：在所述器件晶圆的背面形成硅通孔；在所述器件晶圆的背面形成重布线层；在所述器件晶圆的背面形成焊球。可选地，在对所述器件晶圆进行切割之前还包括将所述器件晶圆安装于切割框架上的步骤。本专利技术还提供了一种半导体器件，所述半导体器件通过上述方法制作得到。本专利技术还提供了一种电子装置，包括上述的半导体器件。综上所述，本专利技术的制作方法将器件晶圆和支撑晶圆接合之后，先在所述器件晶圆的背面形成封装结构，然后进行切割最后进行解键合，解决整个制程过程薄晶圆破片的问题；本专利技术切割过程中晶圆还是键合的状态，芯片表面被保护，且厚片切割品质容易保证；切割之后采用化学解键合(chemicalDe-bond)，采用平台(bench)式作业，产量(throughput)高，安全可靠。本专利技术的半导体器件，由于采用了上述制造方法，因而同样具有上述优点。本专利技术的电子装置，由于采用了上述半导体器件，因而同样具有上述优点。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1示出了根据现有技术的方法依次实施步骤的工艺流程图；图2A-2B示出了根据本专利技术实施例一的方法依次实施所获得器件的剖面示意图；图3示出了根据本专利技术一实施方式的电子装置的示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。为了解决目前工艺中存在的问题，本专利技术提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构；提供支撑晶圆，并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；在所述器件晶圆的背面形成封装结构；对所述器件晶圆进行切割；进行解键合，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构；提供支撑晶圆，并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；在所述器件晶圆的背面形成封装结构；对所述器件晶圆进行切割；进行解键合，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面通过临时键合材料层进行所述临时键合。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述临时键合材料层使用在化学溶剂中溶解的材料。4.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，将所述器件晶圆和所述支撑晶圆浸入化学溶剂中，将所述支撑晶圆与所述器件晶圆之间的临时键合材料层溶解，以使所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：施林波，陈福成，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31