用联动导电连接组件的经封装的半导体装置结构及子组件制造方法及图纸

用联动导电连接组件的经封装的半导体装置结构及子组件。本实用新型专利技术关于一种经封装的半导体装置结构，包含晶粒附接垫及配置邻近于晶粒附接垫的多个引线，每个引线有引线底表面和引线末端表面。半导体晶粒连接至晶粒附接垫，导电夹具附接至半导体晶粒的部分与多个引线的部分且包含至少一联结杆。封装本体囊封半导体晶粒、导电夹具、多个引线的部分、至少一联结杆的至少部分及晶粒附接垫的至少部分。每个引线末端表面曝露于封装本体的侧边表面上，至少一联结杆的末端表面曝露于封装本体的外侧。导电层置于每个引线末端表面上但未置于至少一联结杆的末端表面上。所解决技术问题是改善经封装的半导体装置结构的电性效能与可靠度。所达到技术效果为提供改善的经封装的半导体装置结构。

【技术实现步骤摘要】
用联动导电连接组件的经封装的半导体装置结构及子组件
本技术通常相关于电子元件，特别是关于经封装的半导体装置结构。
技术介绍
在过去，经封装的功率半导体装置使用各种制造技术以沉积导电材料于导电引线框架的露出部。在离散功率半导体装置中，例如离散场效电晶体(FET)半导体装置或二极体半导体装置，制造业者使用矩阵引线框架，其通常包含晶粒附接垫的阵列，每个晶粒附接垫具有相邻配置的多个引线但是所述多个引线与所述晶粒附接垫隔离。半导体晶粒被附接至所述晶粒附接垫并且使用离散的、独立的或分离的连接结构(例如导线接合互连或夹具)电性地连接至所述引线。此子组件接着被囊封以提供模制封装本体给每个半导体晶粒。接着，所述囊封子组件被放置在电镀设备中并且导电材料被电镀到所述导电引线框架的露出的表面上。在所述电镀过程中，电流通过导电引线，其减少用以形成薄连续金属镀膜于所述导电引线框架的露出的表面上的溶解的金属阳离子。过去的方法有一个问题是，为了使电流通过整个导电引线框架，来自引线框架的相邻部分的某些引线必须结合在一起。在所述电镀制程之后，所述个别封装的半导体装置接着使用切割制程而被分隔开。所述切割制程分离所述结合的引线从而提供不具有电镀材料的引线面或侧翼(flank)表面。此留下不想要被露出的引线框架材料，其通常是铜。所述露出来的铜不与焊料附着，其产生较弱的焊料结合并且对于经组装的电子构件的可靠性有不利的影响。试图去解决此问题，制造业者在所述结合的引线中凿孔洞、在所述结合的引线中产生半蚀刻区域或在所述结合的引线中使用侧边沟槽以提供覆盖有所述电镀材料的某些侧边表面或侧翼表面。虽然这些方案使得引线面的侧边或侧翼表面具有大约20％到60％之间的可附着表面覆盖率，然而这些方案无法提供100％的覆盖率，并且因此还是产生劣质焊料结合。再者，这些方案无法提供所述组装电路板层级(assemblyboardlevel)所需的足够坚固的焊料结合保护以满足严格的汽车规格，其需要100％可附着的侧覆盖率。因此，还是期望能有一种提供经封装的半导体装置结构，其具有改善的所述引线的侧边和侧翼表面的所述可附着表面覆盖率。
技术实现思路
本技术所欲解决的技术问题是改善经封装的半导体装置结构的电性效能与可靠度。根据本技术的一态样，一种经封装的半导体装置结构，包含：晶粒附接垫；多个引线，其配置邻近于所述晶粒附接垫，每个引线具有引线底表面和引线末端表面；半导体晶粒，其耦合至所述晶粒附接垫；导电夹具，其附接至所述半导体晶粒的部分且附接至所述多个引线的部分，其中所述导电夹具包含至少一个联结杆；封装本体，其囊封所述半导体晶粒、所述导电夹具、所述多个引线的部分、所述至少一个联结杆的至少部分以及所述晶粒附接垫的至少部分，其中每个引线末端表面被曝露于所述封装本体的侧边表面上，且其中所述至少一个联结杆的末端表面被曝露于所述封装本体的外侧；以及导电层，其配置于所述每个引线末端表面上但是没有配置于所述至少一个联结杆的所述末端表面上。在一实施例中，所述经封装的半导体装置结构进一步包括导电连接结构，其电性连接所述半导体晶粒的另一部分至所述多个引线的中的一个。在一实施例中，所述晶粒附接垫的底表面被曝露于所述封装本体的外侧；以及所述导电层配置在所述晶粒附接垫的所述底表面上。在一实施例中，所述导电层配置在所述多个引线的每个引线底表面上。在一实施例中，所述导电层100％覆盖所述每个引线末端表面。在一实施例中，所述导电层包含锡。根据本技术的另一态样，一种经封装的半导体装置结构，包括：晶粒附接垫；多个引线，其配置邻近于所述晶粒附接垫，每个引线具有引线底表面和引线末端表面；半导体晶粒，其耦合至所述晶粒附接垫；导电夹具，其附接至所述半导体晶粒且附接至所述多个引线中的一个或多个引线，其中所述导电夹具包含第一联结杆，所述第一联结杆附接至所述导电夹具的第一侧边；封装本体，其囊封所述半导体晶粒、所述导电夹具、所述多个引线的部分、所述第一联结杆的至少部分以及所述晶粒附接垫的至少部分，其中每个引线末端表面被曝露于所述封装本体的侧边表面上，且其中所述第一联结杆的末端表面被曝露于所述封装本体的外侧；以及导电层，其配置于所述每个引线末端表面上但是没有配置于所述第一联结杆的所述末端表面上。在一实施例中，所述晶粒附接垫的底表面和所述引线底表面被曝露于所述封装本体的外侧；以及所述导电层配置在所述晶粒附接垫的所述底表面上且配置在所述引线底表面上。在一实施例中，所述导电夹具包括第二联结杆，所述第二联结杆附接至所述导电夹具的与所述第一侧边相对的第二侧边；所述第二联结杆的末端表面被曝露于所述封装本体的外侧；以及所述导电层不配置在所述第二联结杆的末端表面上。在一实施例中，所述导电层100％覆盖所述每个引线末端表面；以及所述第一联结杆的所述末端表面被曝露于所述封装本体的未有引线曝露的侧边表面上。根据本技术的另一态样，一种经封装的半导体装置子组件，包括：第一导电框架结构包含：第一晶粒附接垫；第二晶粒附接垫，其与所述第一晶粒附接垫分隔开；第一引线，其配置邻近所述第一晶粒附接垫；以及第二引线，其配置邻近所述第二晶粒附接垫；第一半导体晶粒，其附接至所述第一晶粒附接垫；第二半导体晶粒，其附接至所述第二晶粒附接垫；第二导电框架结构包含：第一导电夹具结构，其附接至所述第一半导体晶粒且附接至所述第一引线；以及第二导电夹具结构，其附接至所述第二半导体晶粒，其中所述第一导电夹具结构以联结杆结构来物理性地互连至所述第二导电夹具结构；以及封装本体，其囊封所述第一半导体晶粒、所述第一导电夹具结构、所述第二半导体晶粒、所述第二导电夹具结构以及所述联结杆结构的至少部分。本技术所达到的技术效果为提供改善的经封装的半导体装置结构。附图说明除了其他特征外，本技术包含一种使用导电框架结构的经封装的半导体，所述导电框架结构具有多个(即至少两个)一起联动的导电连接结构。所述联动的导电连接结构被用来传导电流到在另一导电框架结构上的导电构件，所述另一导电框架结构具有露出的导电侧翼表面有助于改善所述露出的导电侧翼表面中具有可焊材料的覆盖率。除了其他情况之外，所形成的结构提供经封装的半导体装置，其被建构以提供达到100％可附接侧翼表面。也就是，所形成的结构提供实质上覆盖有可焊材料的露出的侧边或导电侧翼表面，其有助于改善用于附接至下一层级的组件(例如印刷电路板)的可湿式附接(wettable)表面。所形成的结构具有借助于相较于先前方案较坚固的焊料接合的用于改善的可靠度。所述结构适用于具有露出的侧翼或侧边表面的经封装的半导体装置以及其他电子装置，所述侧翼或侧边表面经建构用于随后沉积可焊材料，但是所述结构不限于在所述经封装的半导体装置的两个相对侧上具有侧翼表面的功率半导体装置。图1图示根据本技术的实施例的经封装的半导体装置结构的横截面视图以及局部透视图，其中所述横截面图沿着图3A的参考线1-1截取；图2图示图1的所述经封装的半导体装置结构的部分的局部横截面视图；图3A图示图1的所述经封装的半导体装置结构的俯视图，其中所述封装本体的部分被图示为局部透明；图3B图示图3A的所述经封装的半导体装置结构的局部放大侧视图；图4图示根据本技术的实施例的导电框架结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经封装的半导体装置结构，其特征在于，包含：晶粒附接垫；多个引线，其配置邻近于所述晶粒附接垫，每个引线具有引线底表面和引线末端表面；半导体晶粒，其耦合至所述晶粒附接垫；导电夹具，其附接至所述半导体晶粒的部分且附接至所述多个引线的部分，其中所述导电夹具包含至少一个联结杆；封装本体，其囊封所述半导体晶粒、所述导电夹具、所述多个引线的部分、所述至少一个联结杆的至少部分以及所述晶粒附接垫的至少部分，其中每个引线末端表面被曝露于所述封装本体的侧边表面上，且其中所述至少一个联结杆的末端表面被曝露于所述封装本体的外侧；以及导电层，其配置于所述每个引线末端表面上但是没有配置于所述至少一个联结杆的所述末端表面上。

【技术特征摘要】
2017.03.15 US 15/460,0321.一种经封装的半导体装置结构，其特征在于，包含：晶粒附接垫；多个引线，其配置邻近于所述晶粒附接垫，每个引线具有引线底表面和引线末端表面；半导体晶粒，其耦合至所述晶粒附接垫；导电夹具，其附接至所述半导体晶粒的部分且附接至所述多个引线的部分，其中所述导电夹具包含至少一个联结杆；封装本体，其囊封所述半导体晶粒、所述导电夹具、所述多个引线的部分、所述至少一个联结杆的至少部分以及所述晶粒附接垫的至少部分，其中每个引线末端表面被曝露于所述封装本体的侧边表面上，且其中所述至少一个联结杆的末端表面被曝露于所述封装本体的外侧；以及导电层，其配置于所述每个引线末端表面上但是没有配置于所述至少一个联结杆的所述末端表面上。2.根据权利要求1的经封装的半导体装置结构，其特征在于，进一步包括导电连接结构，其电性连接所述半导体晶粒的另一部分至所述多个引线的中的一个。3.根据权利要求1的经封装的半导体装置结构，其特征在于，所述晶粒附接垫的底表面被曝露于所述封装本体的外侧；以及所述导电层配置在所述晶粒附接垫的所述底表面上。4.根据权利要求1的经封装的半导体装置结构，其特征在于，所述导电层配置在所述多个引线的每个引线底表面上。5.根据权利要求1的经封装的半导体装置结构，其特征在于，所述导电层100％覆盖所述每个引线末端表面。6.根据权利要求1的经封装的半导体装置结构，其特征在于，所述导电层包含锡。7.一种经封装的半导体装置结构，其特征在于，包括：晶粒附接垫；多个引线，其配置邻近于所述晶粒附接垫，每个引线具有引线底表面和引线末端表面；半导体晶粒，其耦合至所述晶粒附接垫；导电夹具，其附接至所述半导体晶粒且附接至所述多个引线中的一个或多个引线，其中所述导电夹具包含第一联结杆，所述第一联结杆附接至所述导电夹具的第一侧边；...

【专利技术属性】
技术研发人员：明姚祥，莫哈末·哈斯卢·滨·朱基菲，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：新型
国别省市：美国,US