【技术实现步骤摘要】
本技术实施例是有关于一种冷却盖和包括其的封装的半导体装置。
技术介绍
1、由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高是由于最小特征尺寸的迭代减小，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着对缩小电子设备的需求不断增长，出现了更小的半导体晶粒封装技术。
2、随着半导体技术的进一步发展，堆叠和键合的半导体装置已成为进一步减小半导体装置物理尺寸的有效替代方案。在堆叠的半导体装置中，诸如逻辑、存储器、处理器电路等的有源电路至少部分地制造在单独的基底上，然后物理地和电性地结合在一起以形成功能装置。这种结合工艺利用复杂的技术，并且需要改进。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种用于半导体装置的冷却盖，包括：入口；出口；以及冷却室，与所述入口和所述出口流体连通，所述冷却室在截面视图中具有梯形形状。
2、本技术实施例提供一种包括冷却盖的封装的半导体装置，包括：封装的半导体装置，所述封装的半导体装置包括第一集成电路晶片，所述第一集成电路晶片包括位于所述第一集成电路晶片背面的多个通道；以及冷却盖，位于所述封装的半导体装置上，其中所述冷却盖包括：冷却室，位于所述第一集成电路晶片上；以及垫片，围绕所述冷却室并接触所述封装的半导体装置。
【技术保护点】
1.一种用于半导体装置的冷却盖，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的冷却盖，其特征在于，所述冷却室具有邻近所述入口的第一高度，其中所述冷却室具有邻近所述出口的第二高度，并且其中所述第一高度大于所述第二高度。
3.根据权利要求2所述的冷却盖，其特征在于，所述第一高度与所述第二高度的比值为1至50。
4.根据权利要求1所述的冷却盖，其特征在于，还包括围绕所述冷却室的粘着剂。
5.根据权利要求2所述的冷却盖，其特征在于，所述第一高度小于2000μm，并且其中所述第二高度小于1000μm。
6.一种包括权利要求1所述的冷却盖的封装的半导体装置，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述冷却盖通过螺钉型紧固件附接到所述封装的半导体装置，其中所述螺钉型紧固件延伸穿过所述封装的半导体装置的一部分和所述冷却盖的一部分。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述冷却盖通过夹式紧固件附接到所述封装的半导体装置，所述夹式紧固件接触所述冷却盖相对于所述封装的半导体装置的第
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述冷却盖配置成使液体冷却剂以增加的质量通量流过所述多个通道。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述冷却室配置成使液体冷却剂沿垂直于所述多个通道的纵轴的方向流过所述多个通道。
...【技术特征摘要】
1.一种用于半导体装置的冷却盖，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的冷却盖，其特征在于，所述冷却室具有邻近所述入口的第一高度，其中所述冷却室具有邻近所述出口的第二高度，并且其中所述第一高度大于所述第二高度。
3.根据权利要求2所述的冷却盖，其特征在于，所述第一高度与所述第二高度的比值为1至50。
4.根据权利要求1所述的冷却盖，其特征在于，还包括围绕所述冷却室的粘着剂。
5.根据权利要求2所述的冷却盖，其特征在于，所述第一高度小于2000μm，并且其中所述第二高度小于1000μm。
6.一种包括权利要求1所述的冷却盖的封装的半导体装置，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴仲融，萧胜聪，王仁佑，邵栋梁，董志航，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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