【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，尤其涉及一种氧化处理方法与太阳能电池片。
技术介绍
1、topcon（tunnel oxide passivated contact）电池是一种新型高效的太阳能光伏电池，生产过程中兼容perc太阳能电池产线，已成为新一代主流太阳能电池技术。topcon电池的正面在使用硼作为掺杂元素形成的局部高掺杂发射极时，硼扩散过程可能会导致硅片表面产生一些损伤，如悬挂键、缺陷等，这些表面态会导致电子-空穴对在表面复合，降低电池的开路电压和效率。因此需要进行氧化处理，生长一层薄薄的氧化层，氧化层可以有效捕获和中和表面的悬挂键和缺陷，减少表面态，从而降低表面复合速率。
2、但现有技术形成氧化层的过程中，氧化炉与隔膜泵在进行长时间氧化工作后，析出的硼元素与氧气反应生产氧化硼并扩散至隔膜泵以及与隔膜泵连接的尾气管内，使得隔膜泵与尾气管大量沉积氧化硼颗粒，降低了隔膜泵、尾气管的工作效率与使用寿命，由此需要对隔膜泵进行定期清理维护，但清理过程需要暂停氧化过程，所需时间长，导致硅片的整体氧化效率不高。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种氧化处理方法与太阳能电池片，在保证硅片寿命与氧化质量的同时，减少氧化炉与隔膜泵的清理次数，提高氧化效率。
2、第一方面，本申请提供一种氧化处理方法，所述氧化处理方法包括如下步骤：
3、将待氧化硅片放置于氧化炉内，所述待氧化硅片包含基底层以及设置于所述基底层表面的发射极区域；
4、在所述氧化炉的升温阶段采用经过
5、在所述氧化炉的恒温阶段采用经过纯水水浴的氧气对所述发射极区域的表面进行二次氧化处理；
6、在所述氧化炉的降温阶段采用干燥氧气对所述发射极区域的表面进行三次氧化处理，所述发射极区域的表面形成氧化层。
7、在一些实施方式中，所述升温阶段、所述恒温阶段和所述降温阶段在常压环境下进行，其中，所述常压环境的压力为800mbar~1000mbar。
8、在一些实施方式中，纯水水浴的温度为30℃~70℃。
9、在一些实施方式中，所述一次氧化处理的氧气通入量为1000sccm~15000sccm。
10、在一些实施方式中，所述一次氧化处理的时间为3min~10min。
11、在一些实施方式中，所述二次氧化处理的氧气通入量为1000sccm~20000sccm，和/或，所述二次氧化处理的时间为10min~60min。
12、在一些实施方式中，所述三次氧化处理的氧气通入量为5000sccm~15000sccm。
13、在一些实施方式中，所述三次氧化处理的时间为20min~40min。
14、在一些实施方式中，所述升温阶段的温度为750℃~1060℃，所述恒温阶段的温度为1000℃~1060℃，所述降温阶段的温度为800℃~1060℃。
15、第二方面，本申请提供一种太阳能电池片，所述太阳能电池片包含氧化层，所述氧化层采用权利要求1~10任一项所述氧化处理方法进行制备。
16、采用本申请的技术方案后，至少具有如下有益效果：
17、本申请提供的氧化处理方法，在升温阶段与恒温阶段利用氧气经水浴带入水蒸气，水蒸气提供了更加均匀、稳定的温度环境，使得氧化反应可以在整个发射极区域表面同时进行，从而加快了整体氧化速度，可以更快速得到所需氧化层厚度，氧化效率；并且减少了硅片的在高温的氧化时间，降低高温对硅片的损伤，提高少子寿命；同时，水蒸气可以清洁氧化炉的炉管以及隔膜泵，带走炉内杂质，降低炉内杂质对待氧化硅片的影响，提升氧化质量，还能减少氧化炉与隔膜泵的维护次数，提高两者的使用寿命。进一步的，在后续降温阶段采用干氧氧化可以改善升温阶段与恒温阶段的湿氧氧化带来的氧化缺陷，进而得到质量更高的氧化层。
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1.一种氧化处理方法，其特征在于，所述氧化处理方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，所述升温阶段、所述恒温阶段和所述降温阶段在常压环境下进行，其中，所述常压环境的压力为800mbar~1000mbar。
3.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，纯水水浴的温度为30℃~70℃。
4.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，所述一次氧化处理的氧气通入量为1000sccm~15000sccm。
5.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，所述一次氧化处理的时间为3min~10min。
6.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，所述二次氧化处理的氧气通入量为1000sccm~20000sccm，和/或，所述二次氧化处理的时间为10min~60min。
7.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，所述三次氧化处理的氧气通入量为5000sccm~15000sccm。
8.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，所述三次氧化处理的时间为20min~40
9.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，所述升温阶段的温度为750℃~1060℃，所述恒温阶段的温度为1000℃~1060℃，所述降温阶段的温度为800℃~1060℃。
10.一种太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片包含氧化层，所述氧化层采用权利要求1~9任一项所述氧化处理方法进行制备。
...【技术特征摘要】
1.一种氧化处理方法，其特征在于，所述氧化处理方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，所述升温阶段、所述恒温阶段和所述降温阶段在常压环境下进行，其中，所述常压环境的压力为800mbar~1000mbar。
3.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，纯水水浴的温度为30℃~70℃。
4.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，所述一次氧化处理的氧气通入量为1000sccm~15000sccm。
5.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，所述一次氧化处理的时间为3min~10min。
6.根据权利要求1所述氧化处理方法，其特征在于，所述二次氧化处理的氧气通入量...
【专利技术属性】
技术研发人员：林全键，张宁，费志良，李超，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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