太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请实施例涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面和背面；位于基底正面上的隧穿介质层；覆盖隧穿层远离基底的表面的第一掺杂导电层；覆盖基底的背面的本征介质层；覆盖本征介质层远离基底的表面的第二掺杂导电层；覆盖第二掺杂导电层远离基底的表面的透明导电层；增强层，增强层覆盖透明导电层远离基底的表面的至少部分区域，增强层包括沿第一方向层叠设置的至少两个反射增强单元，反射增强单元包括沿第一方向层叠设置的第一加强层和第二加强层，且第二加强层朝向基底，第一加强层的折射率低于第二加强层的折射率，其中，第一方向垂直于基底的背面。至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及太阳能电池，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

1、化石能源存在大气污染并且储量有限，而太阳能具有清洁、无污染和资源丰富等优点，因此，太阳能正在逐步成为替代化石能源的核心清洁能源，由于太阳能电池具有良好的光电转化效率，太阳能电池成为了清洁能源利用的发展重心。

2、目前的太阳能电池主要包括ibc电池(交叉背电极接触电池，interdigitatedback contact)、topcon(tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)电池、perc电池(钝化发射极和背面电池，passivated emitter and real cel l)以及异质结电池等。为了尽可能提高太阳能电池的效率和对入射光线的利用率，当前常用的方式是通过设置钝化膜层或者减反射膜层尽可能提高太阳能电池的光电转换效率，但是，当前的太阳能电池的光电转换效率仍有待提升。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向，相邻所述反射增强单元的所述第一加强层之间厚度的比值为0.95至1.05，相邻所述反射增强单元的所述第二加强层之间厚度的比值为0.95至1.05。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向，所述第一加强层的厚度为50nm至500nm，所述第二加强层的厚度为50nm至500nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二加强层的材料包括碳化硅、氮化硅、氧化铪、多晶硅、非晶硅、微晶硅或者二氧化钛，所述第一加强层的材...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向，相邻所述反射增强单元的所述第一加强层之间厚度的比值为0.95至1.05，相邻所述反射增强单元的所述第二加强层之间厚度的比值为0.95至1.05。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向，所述第一加强层的厚度为50nm至500nm，所述第二加强层的厚度为50nm至500nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二加强层的材料包括碳化硅、氮化硅、氧化铪、多晶硅、非晶硅、微晶硅或者二氧化钛，所述第一加强层的材料包括氧化硅、氟化镁、氢氧化铝或者氧化铝。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，任一所述反射增强单元中，所述第一加强层的折射率与所述第二加强层的折射率的差值为0.25至2.5。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述反射增强单元的数量为3个至8个。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，任意两个所述反射增强单元的所述第一加强层之间的折射率偏差小于或等于10％，且任意两个所述反射增强单元的所述第二加强层之间的折射率偏差小于或等于10％。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层具有远离所述基底的第一表面，所述太阳能电池还包括：位于所述第一表面上的多个底电极；

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张远方，徐孟雷，杨洁，郑霈霆，张昕宇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：