存储器存储装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器存储装置及其操作方法，具有多种操作模式。存储器存储装置包括存储器控制电路以及存储器存储单元阵列电路。存储器控制电路用以控制存储器存储装置操作在多种操作模式其中之一。存储器控制电路控制存储器存储装置操作在第一操作模式，并且控制存储器存储装置从第一操作模式切换至第二操作模式，以刷新存储器存储单元阵列电路当中的存储数据。存储器存储装置操作在第三操作模式以刷新存储器存储装置当中的存储数据。存储器存储装置操作在第二操作模式的操作电压小于存储器存储装置操作在第三操作模式的操作电压。本发明专利技术技术方案既省电又可维持数据不消失。

【技术实现步骤摘要】
存储器存储装置及其操作方法
本专利技术是有关于一种存储装置及其操作方法，且特别是有关于一种存储器存储装置及其操作方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特的"1"或"0"，因此DRAM的每个存储器存储单元至少利用一个电容及一个开关(或是晶体管)来存储数据。实际操作时，DRAM中的电容会有漏电现象，而导致电容的电位差不足，使得DRAM所存储的数据消失，因此DRAM必须进入刷新(refresh)模式以对全部的存储器存储单元周期性地进行刷新(也可称为数据充电/数据刷新)操作，以确保DRAM中存储信息的正确性。然而，现在随身设备的应用渐趋普及，低功耗的装置一直被高度重视。因此，如何提供一个省电且可维持数据不消失的存储器存储装置及操作方法实为本领域技术人员重要的课题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器存储装置及其操作方法，其省电且可维持数据不消失。本专利技术的存储器存储装置具有多种操作模式。存储器存储装置包括存储器控制电路以及存储器存储单元阵列电路。存储器控制电路用以控制存储器存储装置操作在多种操作模式其中之一。存储器存储单元阵列(ce本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器存储装置，具有多种操作模式，并且所述存储器存储装置包括：存储器控制电路，用以控制所述存储器存储装置操作在所述多种操作模式其中之一；以及存储器存储单元阵列电路，电性连接至所述存储器控制电路，用以存储数据，其中所述存储器存储装置接收电源以操作在所述多种操作模式其中之一，所述存储器控制电路控制所述存储器存储装置操作在第一操作模式，并且控制所述存储器存储装置从所述第一操作模式切换至第二操作模式，以刷新所述存储器存储单元阵列电路当中的存储数据，其中所述存储器存储装置操作在第三操作模式以刷新所述存储器存储装置当中的存储数据，以及所述存储器存储装置操作在所述第二操作模式的操作电压小于所述存储器存储...

【技术特征摘要】
1.一种存储器存储装置，具有多种操作模式，并且所述存储器存储装置包括：存储器控制电路，用以控制所述存储器存储装置操作在所述多种操作模式其中之一；以及存储器存储单元阵列电路，电性连接至所述存储器控制电路，用以存储数据，其中所述存储器存储装置接收电源以操作在所述多种操作模式其中之一，所述存储器控制电路控制所述存储器存储装置操作在第一操作模式，并且控制所述存储器存储装置从所述第一操作模式切换至第二操作模式，以刷新所述存储器存储单元阵列电路当中的存储数据，其中所述存储器存储装置操作在第三操作模式以刷新所述存储器存储装置当中的存储数据，以及所述存储器存储装置操作在所述第二操作模式的操作电压小于所述存储器存储装置操作在所述第三操作模式的操作电压。2.根据权利要求1所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路控制所述存储器存储装置从所述第一操作模式切换至所述第三操作模式，以刷新所述存储器存储装置当中的存储数据。3.根据权利要求2所述的存储器存储装置，其中所述存储器存储装置从所述第二操作模式切换回所述第一操作模式的切换时间大于所述存储器存储装置从所述第三操作模式切换回所述第一操作模式的切换时间。4.根据权利要求1所述的存储器存储装置，，其中所述存储器控制电路控制所述存储器存储装置从所述第一操作模式切换至第四操作模式，其中在所述第四操作模式中，所述存储器存储装置当中的存储数据不刷新。5.根据权利要求4所述的存储器存储装置，其中所述存储器存储装置从所述第二操作模式切换回所述第一操作模式的切换...

【专利技术属性】
技术研发人员：林哲民，王锡源，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71