存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种存储器装置，包含多条字符线沿一第一方向延伸，以及至少一存储器单元。该至少一存储器单元包含多个存储器元件沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线沿该第二方向延伸，且用以传输一被选择的存储器元件的数据；以及至少一条列字符线沿该第二方向延伸。其中，该存储器元件包含一储存元件用以储存数据，以及至少二存取晶体管。其中，该存储器元件的该至少二存取晶体管的其中之一的一控制端是耦接于该至少一条列字符线，且该存储器元件的另一存取晶体管的一控制端是耦接于相对应的字符线。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置
本专利技术相关于一种存储器装置，尤指一种具有低功耗的存储器装置。
技术介绍
一般而言，存储器装置包含多条字符线，多条位线，以及多个存储器元件以阵列型式设置。每一条字符线是耦接至一行存储器元件。每一条位线是耦接至一列存储器元件。请参考图1，图1是已知存储器元件的示意图。如图1所示，存储器元件为一5TSRAM存储器元件，其由5个晶体管所构成。存储器元件包含一储存元件SC以及一存取晶体管T。存取晶体管T具有一第一端耦接于储存元件SC，一第二端耦接于一相对应的位线，以及一控制端耦接于一相对应的字符线。因此，当存取晶体管被字符线开启时，储存元件SC可耦接于位线以进行读取或写入操作。请参考图2，图2是已知另一存储器元件的示意图。如图2所示，存储器元件为一6TSRAM存储器元件，其由6个晶体管所构成。存储器元件包含一储存元件SC以及两个存取晶体管Ta、Tb。每一存取晶体管Ta、Tb是用于控制储存元件SC和一相对应位线之间的导通状态。存取晶体管Ta、Tb的控制端能依据设计需求耦接于相同的字符线或两条相异的字符线。因此，当存取晶体管Ta、Tb被字符线开启时，储存元件SC可耦接于位线以进行读取或写入操作。在已知存储器装置中，当其中的一条字符线选择一相对应行的存储器元件时，存储器装置的全部位线皆会耦接至被选择的相对应存储器元件以进行读取或写入操作。然而，在读取或写入操作中，有些位线不需要传输数据。闲置的位线会于读取或写入操作中消耗电力，因此已知存储器装置具有较高的功率消耗。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有低功耗的存储器装置，以解决先前技术的问题。本专利技术提供一种存储器装置，包含多条字符线沿一第一方向延伸，以及至少一存储器单元。该至少一存储器单元包含多个存储器元件，沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线，沿该第二方向延伸，且用以传输一被选择的存储器元件的数据；以及至少一条列字符线，沿该第二方向延伸；其中该存储器元件包含一储存元件用以储存数据，以及至少二存取晶体管；其中该存储器元件的该至少二存取晶体管的其中之一的一控制端是耦接于该至少一条列字符线，且该存储器元件的另一存取晶体管的一控制端是耦接于相对应的字符线。本专利技术另提供一种存储器装置，包含多条字符线沿一第一方向延伸，以及至少一存储器单元。该至少一存储器单元包含多个存储器元件，沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线，沿该第二方向延伸，且用以传输一被选择的存储器元件的数据；以及至少一条列字符线，沿该第二方向延伸；其中该存储器元件包含一储存元件用以储存数据，以及至少一存取晶体管；其中该至少一存取晶体管是一双栅极晶体管；其中该存储器元件的该双栅极晶体管的一控制端是耦接于该至少一条列字符线，且该双栅极晶体管的另一个控制端是耦接于相对应的字符线。本专利技术另提供一种存储器装置，包含多条字符线沿一第一方向延伸，以及多个存储器单元。每一存储器单元包含多个存储器元件，沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线，沿该第二方向延伸，且用以传输一被选择的存储器元件的数据；以及至少一条列字符线，沿该第二方向延伸；其中，其中该被选择的存储器元件是被一相对应的字符线及该至少一条列字符线所选择。本专利技术有益效果在于，本专利技术存储器装置可以进一步选择特定的存储器元件以耦接至相对应的位线，而对应于未被选择的存储器元件的其他位线不会被驱动以传输数据。因此，本专利技术存储器装置具有较低的功耗。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是已知存储器元件的示意图。图2是已知另一存储器元件的示意图。图3是本专利技术存储器元件的第一实施例的示意图。图4是本专利技术存储器元件的第二实施例的示意图。图5是本专利技术存储器元件的第三实施例的示意图。图6是本专利技术存储器元件的第四实施例的示意图。图7是本专利技术存储器单元具有第一实施例的存储器元件的示意图。图8是本专利技术存储器单元具有第三实施例的存储器元件的示意图。图9是本专利技术存储器装置的第一实施例的示意图。图10是本专利技术存储器装置的第二实施例的示意图。附图标号：100a、100b存储器装置A第一方向B第二方向bk0至bk7存储器区块CWL0至CWL7列字符线MC、MC1、MC2、MC3、MC4存储器元件MUX、MUX0至MUX31多工器SC储存元件WL0至WL255字符线bit0_bk0至bit31_bk7位线VDD高电压GND接地电压T、Ta、Tb、T1至T4存取晶体管DT、DT1、DT2双栅极晶体管具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域相关技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护的范围。请参考图3。图3是本专利技术存储器元件的第一实施例的示意图。如图3所示，本专利技术存储器元件MC1包含一储存元件SC，以及两个存取晶体管T1、T2。图3中的储存元件SC的配置可相似于图1中的储存元件SC的配置，但本专利技术不以此为限。存取晶体管T1、T2是串接于储存元件SC和一位线(bitline)之间。储存元件SC是用以储存数据。存取晶体管T1、T2是用以控制储存元件SC和位线之间的导通状态。当存取晶体管T1、T2的控制端的电压皆被上拉以开启存取晶体管T1、T2时，储存元件SC和位线之间的数据传输被使能，以进行存储器元件MC1的读取或写入操作。请参考图4。图4是本专利技术存储器元件的第二实施例的示意图。如图4所示，本专利技术存储器元件MC2包含一储存元件SC，以及四个存取晶体管T1-T4。图4中的储存元件SC的配置可相似于图2中的储存元件SC的配置，但本专利技术不以此为限。存取晶体管T1、T2是串接于储存元件SC和一第一位线之间，而存取晶体管T3、T4是串接于储存元件SC和一第二位线之间。储存元件SC是用以储存数据。存取晶体管T1、T2是用以控制储存元件SC和第一位线之间的导通状态。当存取晶体管T1、T2的控制端的电压皆被上拉以开启存取晶体管T1、T2时，储存元件SC和第一位线之间的数据传输被使能，以进行存储器元件MC2的读取或写入操作。相似地，存取晶体管T3、T4是用以控制储存元件SC和第二位线之间的导通状态。当存取晶体管T3、T4的控制端的电压皆被上拉以开启存取晶体管T3、T4时，储存元件SC和第二位线之间的数据传输被使能，以进行存储器元件MC2的读取或写入操作。请参考图5。图5是本专利技术存储器元件的第三实施例的示意图。如图5所示，本专利技术存储器元件MC3包含一储存元件SC，以及一个双栅极晶体管DT。图5中的储存元件SC的配置可相似于图1中的储存元件SC的配置，但本专利技术不以此为限。双栅极晶体管DT是连接于储存元件SC和一位线之间。储存元件SC是用以储存数据，双栅极晶体管DT是用以控制储存元件SC和位线之间的导通状态。当双栅极晶体管DT的两个控制端的电压皆被上拉以开启双栅极晶体管DT时，储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，其特征在于，包含：多条字符线沿一第一方向延伸；以及至少一存储器单元，包含：多个存储器元件，沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线，沿该第二方向延伸，且用以传输一被选择的存储器元件的数据；以及至少一条列字符线，沿该第二方向延伸；其中该存储器元件包含一储存元件用以储存数据，以及至少二存取晶体管；其中该存储器元件的该至少二存取晶体管的其中之一的一控制端是耦接于该至少一条列字符线，且该存储器元件的另一存取晶体管的一控制端是耦接于相对应的字符线。

【技术特征摘要】
2016.06.23 US 62/353,558;2017.04.26 US 15/497,2291.一种存储器装置，其特征在于，包含：多条字符线沿一第一方向延伸；以及至少一存储器单元，包含：多个存储器元件，沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线，沿该第二方向延伸，且用以传输一被选择的存储器元件的数据；以及至少一条列字符线，沿该第二方向延伸；其中该存储器元件包含一储存元件用以储存数据，以及至少二存取晶体管；其中该存储器元件的该至少二存取晶体管的其中之一的一控制端是耦接于该至少一条列字符线，且该存储器元件的另一存取晶体管的一控制端是耦接于相对应的字符线。2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该被选择的存储器元件是被一相对应的字符线及该至少一条列字符线所选择。3.如权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，该存储器装置包含多个存储器单元沿该第一方向设置，一预定数目的存储器单元形成一存储器区块，该些存储器单元的列字符线被分组以分别控制相对应的存储器区块的存储器元件的存取晶体管的相对应控制端。4.一种存储器装置，其特征在于，包含：多条字符线沿一第一方向延伸；以及至少一存储器单元，包含：多个存储器元件，沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线，沿该...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧志成，
申请(专利权)人：萧志成，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71