存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种存储器装置，包含多条字符线沿一第一方向延伸，以及至少一存储器单元。该至少一存储器单元包含多个存储器元件沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线沿该第二方向延伸，且用以传输一被选择的存储器元件的数据；以及至少一条列字符线沿该第二方向延伸。其中，该存储器元件包含一储存元件用以储存数据，以及至少二存取晶体管。其中，该存储器元件的该至少二存取晶体管的其中之一的一控制端是耦接于该至少一条列字符线，且该存储器元件的另一存取晶体管的一控制端是耦接于相对应的字符线。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置
本专利技术相关于一种存储器装置，尤指一种具有低功耗的存储器装置。
技术介绍
一般而言，存储器装置包含多条字符线，多条位线，以及多个存储器元件以阵列型式设置。每一条字符线是耦接至一行存储器元件。每一条位线是耦接至一列存储器元件。请参考图1，图1是已知存储器元件的示意图。如图1所示，存储器元件为一5TSRAM存储器元件，其由5个晶体管所构成。存储器元件包含一储存元件SC以及一存取晶体管T。存取晶体管T具有一第一端耦接于储存元件SC，一第二端耦接于一相对应的位线，以及一控制端耦接于一相对应的字符线。因此，当存取晶体管被字符线开启时，储存元件SC可耦接于位线以进行读取或写入操作。请参考图2，图2是已知另一存储器元件的示意图。如图2所示，存储器元件为一6TSRAM存储器元件，其由6个晶体管所构成。存储器元件包含一储存元件SC以及两个存取晶体管Ta、Tb。每一存取晶体管Ta、Tb是用于控制储存元件SC和一相对应位线之间的导通状态。存取晶体管Ta、Tb的控制端能依据设计需求耦接于相同的字符线或两条相异的字符线。因此，当存取晶体管Ta、Tb被字符线开启时，储存元件SC可耦接于位线以进行读本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，其特征在于，包含：多条字符线沿一第一方向延伸；以及至少一存储器单元，包含：多个存储器元件，沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线，沿该第二方向延伸，且用以传输一被选择的存储器元件的数据；以及至少一条列字符线，沿该第二方向延伸；其中该存储器元件包含一储存元件用以储存数据，以及至少二存取晶体管；其中该存储器元件的该至少二存取晶体管的其中之一的一控制端是耦接于该至少一条列字符线，且该存储器元件的另一存取晶体管的一控制端是耦接于相对应的字符线。

【技术特征摘要】
2016.06.23 US 62/353,558;2017.04.26 US 15/497,2291.一种存储器装置，其特征在于，包含：多条字符线沿一第一方向延伸；以及至少一存储器单元，包含：多个存储器元件，沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线，沿该第二方向延伸，且用以传输一被选择的存储器元件的数据；以及至少一条列字符线，沿该第二方向延伸；其中该存储器元件包含一储存元件用以储存数据，以及至少二存取晶体管；其中该存储器元件的该至少二存取晶体管的其中之一的一控制端是耦接于该至少一条列字符线，且该存储器元件的另一存取晶体管的一控制端是耦接于相对应的字符线。2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该被选择的存储器元件是被一相对应的字符线及该至少一条列字符线所选择。3.如权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，该存储器装置包含多个存储器单元沿该第一方向设置，一预定数目的存储器单元形成一存储器区块，该些存储器单元的列字符线被分组以分别控制相对应的存储器区块的存储器元件的存取晶体管的相对应控制端。4.一种存储器装置，其特征在于，包含：多条字符线沿一第一方向延伸；以及至少一存储器单元，包含：多个存储器元件，沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线，沿该...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧志成，
申请(专利权)人：萧志成，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71