本发明公开一种内存装置，其包含多条沿一第一方向延伸的字符线，及至少一内存单元。至少一内存单元包含沿相异于第一方向的一第二方向排列的多个内存组件群组，每一内存组件群组包含多个内存组件；及至少一条位元线沿第二方向延伸；及至少一条列字符线沿第...

本发明提出了一种存储器装置，包含多条字符线沿一第一方向延伸，以及至少一存储器单元。该至少一存储器单元包含多个存储器元件沿相异于该第一方向的一第二方向设置；至少一条位线沿该第二方向延伸，且用以传输一被选择的存储器元件的数据；以及至少一条列...

本发明公开一种内存装置，该内存装置包含多条沿一第一方向延伸字符线，以及至少一内存单元。该至少一内存单元包含多个内存组件，至少一条位元线，以及至少一条行字符线。该多个内存组件沿相异于该第一方向的一第二方向排列。该至少一条位元线沿该第二方向...

本实用新型公开一种内存装置，该内存装置包含多条沿一第一方向延伸字符线，以及至少一内存单元。该至少一内存单元包含多个内存组件，至少一条位元线，以及至少一条行字符线。该多个内存组件沿相异于该第一方向的一第二方向排列。该至少一条位元线沿该第二...

一种低功耗存储器，包含多个存储器元件、一个读取位元线单元，及多个二态高阻抗缓冲器。该读取位元线单元包括多个第一读取位元线及一个第二读取位元线，每一个第一读取位元线电连接至少一个存储器元件。每一个二态高阻抗缓冲器的输入端及输出端分别电连接...

一种低功率存储器，包含多个呈行列排列的存储器模块、多个读取位元线单元、多个呈行列排列的可控制读取元件，及多个读取控制讯号线单元。每一个存储器模块具有多个存储器元件。每一个读取位元线单元对应一列存储器模块，并包括多个第一读取位元线及一个第...

一种六个晶体管的静态随机存取存储器单元，包含一个写入反相器、一个与该写入反相器交叉耦接的读取反相器、一个写入传送闸晶体管，及一个读取传送闸晶体管。于一个写入期间，一个写入数据经由该写入传送闸晶体管单边写入，于一个读取期间，一个读取数据经...

一种不需要感测放大器的半导体存储器，包含：多个讯号电极、多个控制电极、多个存储器元件、多个三态缓冲器，及一个电平调整单元。所述存储器元件呈阵列排列于所述讯号电极及所述控制电极间。所述三态缓冲器电连接于该讯号电极及所述存储器元件间，接收所...

一种半导体存储器，包含：一个包括多个讯号电极的讯号电极单元、一个包括多个控制电极的控制电极单元、多个阵列排列的存储器元件、一个电位调整单元，及多个设置于该讯号电极的三态缓冲器。该电位调整单元用于将所述讯号电极的电压调整至一个预定电压，通...