半导体封装及其制造方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括第一布线层、位于第一布线层之上的第一管芯、包覆位于第一布线层上的至少一第二管芯与至少一第三管芯的封装模塑体以及连接至第一布线层的至少一第四管芯与导电部件。第一管芯的导通孔电性连接至穿透封装模塑体的贯穿介层孔且电性连接至第一布线层。半导体封装更可包括第二布线层，其位于封装模塑体上且位于第一管芯、第二管芯与第三管芯之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其制造方法
本专利技术实施例是有关于一种半导体封装及其制造方法。
技术介绍
通常可以在整片半导体芯片上制造半导体组件和集成电路。在芯片层级工艺中，针对芯片中的管芯进行加工处理，并且可以将管芯与其他的半导体组件一起封装。目前各方正努力开发适用于芯片级封装的不同技术。
技术实现思路
本专利技术实施例提供半导体封装结构，能有效地改善半导体封装电性性能。根据本专利技术的一些实施例，半导体封装包括第一布线层、第一管芯、至少一第二管芯、至少一第三管芯、封装模塑体、贯穿介层孔、导电部件以及至少一第四管芯。第一管芯位于第一布线层之上且具有至少一导通孔。第一管芯包括至少一个传感器。第二管芯与第三管芯设置于第一布线层上且位于第一布线层与第一管芯之间。封装模塑体设置于第一布线层上且位于第一布线层与第一管芯之间，并且封装模塑体包覆第二管芯与第三管芯。穿透封装模塑体的贯穿介层孔位于第一布线层与第一管芯之间且位于所述至少一第二管芯与所述至少一第三管芯旁边。贯穿介层孔电性连接至第一管芯的至少一导通孔且电性连接至第一布线层。导电部件电性连接至第一布线层。第四管芯电性连接至第一布线层且设置于导电部件旁边。根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，包括：第一布线层；第一管芯，设置于所述第一布线层之上且具有至少一导通孔于其内，其中所述第一管芯包括至少一传感器；至少一第二管芯与至少一第三管芯，设置于所述第一布线层上且位于所述第一布线层与所述第一管芯之间；封装模塑体，设置于第一布线层上且位于第一布线层与第一管芯之间，而且所述封装模塑体包覆所述至少一第二管芯与所述至少一第三管芯；多个贯穿介层孔，设置为穿透所述封装模塑体、位于所述至少一第二管芯与所述至少一第三管芯旁边并且位于所述第一布线层与所述第一管芯之间，其中所述多个贯穿介层孔电性连接至所述第一布线层以及所述第一管芯的所述至少一导通孔；多个导电部件，电性连接至所述第一布线层；以...

【技术特征摘要】
2016.07.05 US 15/202,5411.一种半导体封装，包括：第一布线层；第一管芯，设置于所述第一布线层之上且具有至少一导通孔于其内，其中所述第一管芯包括至少一传感器；至少一第二管芯与至少一第三管芯，设置于所述第一布线层上且位于所述第一布线层与所述第一管芯之间；封装模塑体，设置于第一布线层上且位于第一布线层与第一管芯之间，而...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，余俊辉，余国宠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71