半导体封装制造技术

提供一种半导体封装及半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括：重布线层、位在重布线层上的至少一管芯、位在重布线层上且于管芯旁侧的贯穿层间通孔以及包覆设置于重布线层上的管芯及贯穿层间通孔的模塑料体。所述半导体封装具有连接至贯穿层间通孔的连接结构，以及覆盖模塑料体与管芯的保护膜。其保护膜系由印刷工艺所形成。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
本专利技术实施例是有关于一种半导体封装及其制造方法。
技术介绍
晶片级封装技术需要不断进展，以满足系统级封装(system-in-package)或甚至系统单芯片(system-on-chip)的技术需求，诸如：尺寸缩减、高效能内连件与异质集成(heterogeneousintegration)等。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半导体封装，所述半导体封装具有重布线层、至少一管芯、模塑料体、贯穿层间通孔、保护膜、连接结构与导电组件。至少一管芯设置在重布线层上。模塑料体设置在重布线层上，且包覆所述至少一管芯。贯穿过模塑料体的贯穿层间通孔设置在重布线层上且电性连接至重布线层和所述至少一管芯。保护膜设置在模塑料体与所述至少一管芯上。位在所述至少一管芯上的保护膜包括具有实质上平坦底部的沟槽的沟槽图案。连接结构设置在贯穿层间通孔上。导电组件电性连接至重布线层。基于上述，依照本专利技术实施例的制造方法不需额外的激光标记工艺来形成背侧标记，因此可以避免激光标记工艺造成的膜层损伤或脱层，导致封装可有更高的产量和良率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A至1J为依照本专利技术实施例的部分实施例的各种阶段的半导体封装制造方法的剖面示意图。图2A-2B为依照本专利技术实施例的部分实施例的半导体封装的剖面示意图。图3A至3D为依照本专利技术实施例的部分实施例的各种阶段的半导体封装制造方法的剖面示意图。图4-7为依照本专利技术实施例的部分实施例的多种半导体封装的剖面示意图。附图标记说明：10、30：半导体封装20：第二半导体封装22：背侧102：载具104：脱黏层106：介电材料层106a、106b：介电图案108：种层108a：种层图案110：掩膜图案120：贯穿层间通孔130：第一管芯132：接点160：模塑料体170、210：重布线层172：底金属层180：导电组件190：保护膜190a：顶表面192：沟槽图案193：沟槽194：平坦底部196：通孔图案200、220：连接结构200a：顶部230：互连线结构250、270：管芯300：载具膜400：底部填充材料A1：标记区域A2：开放区域S：开口S’：通孔开口W1：开口尺寸W2：通孔开口尺寸。具体实施方式以下揭露内容提供用于实施所提供的目标的不同特征的许多不同实施例或实例。以下所描述的构件及设置的具体实例是为了以简化的方式传达本专利技术实施例为目的。当然，这些仅仅为实例而非用以限制。举例来说，于以下描述中，在第一特征上方或在第一特征上形成第二特征可包括第二特征与第一特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括第二特征与第一特征之间可形成有额外特征使得第二特征与第一特征可不直接接触的实施例。此外，本专利技术实施例在各种实例中可使用相同的组件符号及/或字母来指代相同或类似的部件。组件符号的重复使用是为了简单及清楚起见，且并不表示所欲讨论的各个实施例及/或设置本身之间的关系。另外，为了易于描述附图中所绘示的一个构件或特征与另一组件或特征的关系，本文中可使用例如“在...下”、“在...下方”、“下部”、“在…上”、“在…上方”、“上部”及类似术语的空间相对术语。除了附图中所绘示的定向之外，所述空间相对术语意欲涵盖组件在使用或操作时的不同定向。设备可被另外定向(旋转90度或在其他定向)，而本文所用的空间相对术语相应地作出解释。此外，文中所述用语诸如“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等，其在文中的使用主要是便于描述图中所示相似或不同的组件或特征，并且可以根据叙述出现的顺序或上下文的描述而相互调换使用。图1A至1J为依照本专利技术实施例的部分实施例的各种阶段的半导体封装制造方法的剖面示意图。在例示实施例中，半导体的制造方法是封装制造过程的一部分。在例示实施例中，所显示的两个管芯可代表晶片(wafer)的复数个管芯(dies)；所显示的一或多个封装10可代表由半导体制造方法所制得的多个半导体封装。参考图1A，在一些实施例中，提供载具102，载具102可以是玻璃载具或任何适合用于半导体封装制造流程的载具。在一些实施例中，所提供的载具102上覆有一层脱黏层104，而脱黏层104的材料可以是适合使载具102与其上的层或设置于其上的晶片黏合及脱黏的任意材料。参考图1A，在一些实施例中，形成介电材料层106在载具102之上。在一些实施例中，脱黏层104包括例如光热转换层(light-to-heatconversionlayer,LTHC)，其可使膜层经由激光照射在室温下从载具表面剥离。在一些实施例中，介电材料层106的材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸酯树脂、酚醛树脂、苯并环丁烯(benzocyclobutene,BCB)、聚苯并恶唑(polybenzoxazole,PBO)或任何其他合适的聚合物类介电材料。在一些实施例中，介电材料层106乃作为缓冲层。如图1A所示，在特定实施例中，形成种层108在介电材料层106上。参考图1B，在一些实施例中，形成贯穿层间通孔(throughinterlayervias,TIVs)120在位于载具102上的种层108上。在一些实施例中，贯穿层间通孔120为贯穿整合扇出型通孔(throughintegratedfan-outvias,throughInFOvias)。在一些实施例中，贯穿层间通孔120的形成可先在种层108上形成具开口的掩膜图案110以部份暴露种层108，并且以电镀法或沉积法形成金属材料填满开口而形成贯穿层间通孔。参考图1C，在移除掩膜图案110后，以贯穿层间通孔120做为掩膜来图案化种层108，而形成种层图案108a，其暴露出部分的介电材料层106。在一些实施例中，种层108的图案化工艺包括执行至少一各向同性刻蚀或各向异性刻蚀工艺。在一些实施例中，会先溅镀共形于载具102表面的钛层与铜种层的复合层(未绘示)而形成种层108，再以电镀法形成铜层或铜合金层(未绘示)填入掩膜图案110的开口而形成贯穿层间通孔120。然而，本专利技术实施例的范围并不限于上述所揭露的材料和描述。参考图1D，提供第一管芯130且设置于载具102上所暴露出的介电材料层106上。在一些实施例中，第一管芯130可包括不同类型或相同类型的管芯，且可选自特殊应用集成电路(application-specificintegratedcircuit,ASIC)芯片、模拟芯片、传感器芯片、无线射频芯片、电压调节器芯片或存储器芯片。在某些实施例中，可提供管芯贴附膜(未绘示)配置在第一管芯130与介电材料层106之间，以优化贴附效果。在某些实施例中，如图1D所示，第一管芯130的背侧贴附至载具102。在一些实施例中，第一管芯130设置在载具102之上且排列于贯穿层间通孔120旁侧(在贯穿层间通孔120所围绕的区域范围内)。在一些实施例中，如图1D所示，虚线代表封装10的切割线，有些贯穿层间通孔120的排列邻近但不位于切割在线，且围绕着第一管芯130排列。参考图1D，在一些实施例中，将位在载具102上且在第一管芯旁侧的贯穿层间通孔120与第一管芯130模制且包覆于模塑料体160内。在一些实施例中，模塑料体160填入至第一管芯130与贯穿层间通孔12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，包括：重布线层；至少一管芯，设置在所述重布线层上；模塑料体，设置在所述重布线层上且包覆所述至少一管芯；贯穿层间通孔，设置在所述重布线层上且贯穿过所述模塑料体，其中，所述贯穿层间通孔电性连接至所述重布线层和所述至少一管芯；保护膜，设置在所述模塑料体与所述至少一管芯上，其中，位在所述至少一管芯上的所述保护膜包括具有实质上平坦底部的沟槽的沟槽图案；连接结构，设置在所述贯穿层间通孔上；以及导电组件，电性连接至所述重布线层。

【技术特征摘要】
2016.06.30 US 62/356,549;2016.08.12 US 15/235,1181.一种半导体封装，包括：重布线层；至少一管芯，设置在所述重布线层上；模塑料体，设置在所述重布线层上且包覆所述至少一管芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑礼辉，林俊成，蔡柏豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71