晶片的加工方法技术

提供一种晶片的加工方法，即使从在外周侧形成有环状加强部的晶片将环状加强部去除，也能够对晶片进行合适地对位。一种晶片的加工方法，从在器件区域(A1)的周围形成有环状加强部(71)的晶片(W)将环状加强部去除，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：借助粘合带(T)将晶片支承在框架(F)上的步骤；在比环状加强部与器件区域之间的边界部(73)靠内径侧的位置形成与凹口(N)对应的标记(M)的步骤；将环状加强部与器件区域之间的边界部与粘合带一同切断而将器件区域与环状加强部分离的步骤；以及使环状加强部与框架一同从保持工作台脱离而将环状加强部去除的步骤。

Wafer processing method

A method of processing wafers is provided, and even if a wafer with a ring-shaped reinforcing portion is formed on the peripheral side, the annular reinforcing part is removed, and the wafer can be properly positioned. A method for processing a wafer, from the device region (A1) formed around the ring reinforcement (71) wafer (W) will strengthen the Department of ring removal, the wafer processing method, comprising the steps of: using adhesive tape (T) supporting wafers in the framework (F) on the steps in an annular reinforcing part; and the device area at the boundary of (73) on the inner diameter side position formed with the notch (N) corresponding to the marker (M) steps; the annular part and strengthen device area at the boundary of the adhesive tape and cut off the device together with the annular part from the strengthening of regional steps; and the ring part and strengthen frame together from keep table from the annular reinforcing remove steps.

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，将形成于器件区域的周围的环状加强部从晶片去除。
技术介绍
通过切割装置等将形成有IC、LSI等多个器件的晶片按照每个器件分割成各个芯片，分割后的芯片被安装在各种电子设备中广泛地使用。为了实现电子设备的小型化、轻量化等，使晶片的厚度例如较薄地形成为50μm～100μm。由于这样的晶片的刚性降低，再加上产生翘曲，所以很难操作。因此，提出了如下方法：仅对晶片的与形成有器件的器件区域对应的背面侧进行磨削而在晶片的外周形成环状加强部从而提高晶片的刚性(例如，参照专利文献1)。提出了如下方法：在沿着分割预定线对形成有环状加强部的晶片进行分割之前将环状加强部从晶片去除(例如，参照专利文献2)。在专利文献2所记载的方法中，在晶片的正面上粘贴有粘合带，借助粘合带将晶片支承在环状的框架的内侧而实现一体化。在该状态下，在通过激光加工将晶片的器件区域与环状加强部(外周剩余区域)的边界部与粘合带一同切断之后，将从晶片分离出的环状加强部与框架一同去除。专利文献1：日本特开2007-019461号公报专利文献2：日本特开2015-147231号公报但是，在专利文献2所记载的晶片的加工方法中，当将环状加强部从晶片去除时，由于形成于环状加强部的对位用的凹口不复存在，所以存在很难在后续的工序中进行对位的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该点而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法，即使从在外周侧形成有环状加强部的晶片将环状加强部去除，也能够对晶片进行合适地对位。根据本专利技术，提供晶片的加工方法，该晶片在正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，在外周缘具有表示晶体取向的凹口，并且在背面上形成有与该器件区域对应的圆形凹部和与该外周剩余区域对应的环状加强部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：晶片支承步骤，在具有对晶片进行收纳的开口部的环状框架的该开口部中收纳晶片，将该晶片的正面粘贴在外周部被安装在环状框架上的粘合带上，借助该粘合带将该晶片支承在该环状框架上；环状加强部分离步骤，利用保持工作台对支承在该环状框架上的晶片进行保持，照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而将该环状加强部与该器件区域之间的边界部与该粘合带一同切断而将该器件区域与该环状加强部分离；标记形成步骤，在该环状加强部分离步骤之前或之后，在该环状加强部与该器件区域之间的边界部的内径侧形成与凹口对应的标记；以及环状加强部去除步骤，在实施了该环状加强部分离步骤和该标记形成步骤之后，使借助该粘合带而支承在该环状框架上的该环状加强部与该环状框架一同从该保持工作台脱离而将该环状加强部去除。根据该结构，沿着器件区域与环状加强部的边界部照射激光光线而使环状加强部从晶片的器件区域分离。然后，通过使分离后的环状加强部从保持工作台脱离而将环状加强部从晶片去除。此时，由于在比器件区域与环状加强部的边界部靠内径侧的位置形成有与环状加强部的外周缘的凹口对应的标记，所以即使将环状加强部从晶片去除，标记也不会从晶片消失。因此，在后续的工序中，能够代替凹口而以标记为基准对晶片进行合适地对位。优选本专利技术的晶片的加工方法还具有如下的位置关系检测步骤：在该标记形成步骤之后而且在该环状加强部分离步骤之前，利用检测单元对形成在晶片上的该标记与该凹口的位置关系进行检测。根据本专利技术，通过在比器件区域与环状加强部的边界部靠内径侧的位置形成与环状加强部的外周缘的凹口对应的标记，即使将环状加强部从晶片去除，也能够在后续的工序中对晶片进行合适地对位。附图说明图1是本实施方式的激光加工装置的立体图。图2是本实施方式的晶片和保持工作台的示意性剖视图。图3是示出晶片支承步骤的一例的示意性剖视图。图4的(A)、(B)和(C)是示出标记形成步骤的一例的示意性剖视图。图5是示出环状加强部分离步骤的一例的示意性剖视图。图6是示出环状加强部去除步骤的一例的图。图7是示出位置关系检测步骤的一例的图。标号说明1：激光加工装置；30：保持工作台；71：环状加强部；72：外周边缘；73：边界部；A1：器件区域；A2：外周剩余区域；F：框架；M：标记；N：凹口；T：粘合带；W：晶片。具体实施方式以下，参照附图对本实施方式的晶片的加工方法进行说明。图1是在本实施方式的晶片的加工方法中使用的激光加工装置的立体图。另外，只要激光加工装置能够在本实施方式的晶片的加工方法中使用，则并不仅限于图1所示的结构。如图1所示，激光加工装置1构成为使照射激光光线的激光光线照射单元40和保持有晶片W的保持工作台30相对移动而对晶片W进行加工。晶片W被正面上排列的格子状的分割预定线(未图示)划分成多个区域，在分割预定线所划分的各区域内形成有器件(未图示)。晶片W的正面被分为形成有多个器件的器件区域A1和围绕器件区域A1的外周剩余区域A2。并且，在晶片W的外周缘形成有示出晶体取向的凹口N(参照图4的(B))。关于晶片W，对器件区域A1的背面进行磨削而形成圆形凹部，在外周剩余区域A2的背面形成凸状的环状加强部71。本说明书中，有时将该晶片W称为TAIKO晶片。由于仅对晶片W的器件区域A1进行薄化，所以通过器件区域A1的周围的环状加强部71来提高晶片W的刚性。由此，通过环状加强部71来补充因晶片W的器件区域A1薄化而导致的刚性不足，从而抑制晶片W的翘曲而防止搬送时等的破损。另外，晶片W可以是硅、砷化镓等半导体晶片，也可以是陶瓷、玻璃、蓝宝石类的光器件晶片。并且，将粘合带T的中央部分粘贴在晶片W的正面上，并将环状的框架F粘贴在粘合带T的外周部分。在对形成有该环状加强部71的晶片W实施规定的加工之后，通过激光加工装置1将环状加强部71去除。与使用切削刀具的机械切割相比，凭借激光加工能够不与环状加强部71干涉地进行切除。另外，规定的加工是对形成有环状加强部71的晶片W实施的加工，例如，是在晶片W的器件区域A1的背面形成反射膜的加工。在激光加工装置1的基台10上设置有使保持工作台30在X轴方向和Y轴方向上移动的保持工作台移动机构20。保持工作台移动机构20具有：一对导轨21，它们配置在基台10上并与X轴方向平行；以及由电动机驱动的X轴工作台22，其以能够在一对导轨21上滑动的方式设置。并且，保持工作台移动机构20具有：一对导轨23，它们配置在X轴工作台22的上表面上并与Y轴方向平行；以及由电动机驱动的Y轴工作台24，其以能够在一对导轨23上滑动的方式设置。在X轴工作台22和Y轴工作台24的背面侧分别形成有未图示的螺母部，这些螺母部与滚珠丝杠25、26螺合。并且，通过使与滚珠丝杠25、26的一端部连结的驱动电动机27、28旋转驱动而使保持工作台30沿着导轨21、23在X轴方向和Y轴方向上移动。并且，在Y轴工作台24上设置有对晶片W进行保持的保持工作台30，该保持工作台30能够绕Z轴旋转。在保持工作台30的上表面上形成有保持面31，在保持工作台30的周围设置有对晶片W的周围的框架F进行夹持固定的夹持部32。在保持工作台30的后方的立壁部11上突出设置有臂部12，在臂部12的前端以在上下方向上与保持工作台30对置的方式设置有激光光线照射单元40。在激光光线照射单元40的加工头41中，从未图示的振荡器振荡出的激光光线被聚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片在正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，在外周缘具有表示晶体取向的凹口，并且在背面上形成有与该器件区域对应的圆形凹部和与该外周剩余区域对应的环状加强部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：晶片支承步骤，在具有对晶片进行收纳的开口部的环状框架的该开口部中收纳晶片，将该晶片的正面粘贴在外周部被安装在环状框架上的粘合带上，借助该粘合带将该晶片支承在该环状框架上；环状加强部分离步骤，利用保持工作台对支承在该环状框架上的晶片进行保持，照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而将该环状加强部与该器件区域之间的边界部与该粘合带一同切断而将该器件区域与该环状加强部分离；标记形成步骤，在该环状加强部分离步骤之前或之后，在该环状加强部与该器件区域之间的边界部的内径侧形成与凹口对应的标记；以及环状加强部去除步骤，在实施了该环状加强部分离步骤和该标记形成步骤之后，使借助该粘合带而支承在该环状框架上的该环状加强部与该环状框架一同从该保持工作台脱离而将该环状加强部去除。

【技术特征摘要】
2016.04.18 JP 2016-0827811.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，在外周缘具有表示晶体取向的凹口，并且在背面上形成有与该器件区域对应的圆形凹部和与该外周剩余区域对应的环状加强部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：晶片支承步骤，在具有对晶片进行收纳的开口部的环状框架的该开口部中收纳晶片，将该晶片的正面粘贴在外周部被安装在环状框架上的粘合带上，借助该粘合带将该晶片支承在该环状框架上；环状加强部分离步骤，利用保持工作台对支承在该环状框架上的晶片进行保持，照射对于晶片具有吸收性...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋利夫，星野仁志，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP