一种晶圆切割时间计算方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供的晶圆切割时间计算方法及装置，通过获取晶圆的参数信息、芯片的参数信息和晶圆切割速度，根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度，再根据所述晶圆的总切割长度和所述晶圆切割速度，计算得到晶圆切割时间。本发明专利技术提供了一种通用的晶圆切割时间计算方法及装置，通过晶圆和芯片的参数信息换算出晶圆切割的整体长度，经过与晶圆切割速度做换算，即可精准得到晶圆切割时间，从而实现在半导体新产品前期评估时和晶圆实际切割作业前，能够预先得到精准的晶圆切割时间，进而完成精准度较高的成本及产能的核算，同时避免了按照晶圆切割的实际作业时间做产能核算时的一些异常因素干扰导致核算精准度较低的问题。

Method and device for calculating wafer cutting time

The invention provides a method and a device for calculating the cutting time of the wafer, by parameter information, obtain the parameter information of chip wafer and wafer cutting speed is determined according to the total length of the wafer cutting parameter information of the wafer and chip parameter information, and then according to the total length of the wafer and the wafer cutting cutting the calculated velocity, wafer cutting time. The present invention provides a universal wafer cutting time calculation method and device, through wafer and chip parameter information converted from the whole length of cutting wafer, and the wafer cutting speed after conversion, can get accurate wafer cutting time, in order to achieve in the early evaluation of semiconductor new product and actual wafer cutting operation, can advance get the wafer cutting time accurate, and then complete the cost and capacity of high precision calculation, while avoiding some abnormal factors production accounting according to the actual operating time of the wafer cutting interference leads to low precision problem of accounting.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆切割时间计算方法及装置
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种晶圆切割时间计算方法及装置。
技术介绍
随着半导体工艺的发展，芯片的集成度越来越高，而对应的芯片尺寸越来越小。在半导体制程中，需要将晶圆切割成一个个芯片，然后将这些芯片做成不同的半导体封装结构。晶圆切割作为半导体封装工艺的关键制程，使得整个工艺的成本主要通过晶圆切割时间来核算，而且成本核算要求较高的精准度。现有技术中，晶圆切割不仅是半导体封装工艺的关键制程，同时也是整个半导体封装流程中的产能瓶颈工艺，目前主要通过记录实际晶圆切割过程中的作业时间作为成本和产能核算的依据。由于缺少通用的晶圆切割时间计算方法，而以实际的晶圆切割作业时间作为核算依据，会存在一定的核算滞后性，无法对不同封装尺寸的产品在做新产品前期评估时做精准核算。同时，新产品晶圆切割实际作业记录的时间会被调试过程中发生的一些异常事件所干扰，如调试过程中的异常报警时间、操作人员的异常操作时间和程序调试时间等，会存在很大的误差，往往无法得到十分精准的产能核算数据。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中因缺少通用的晶圆切割时间计算方法从而使晶圆切割成本和产能核算的精准度较低的缺陷。本专利技术提供一种晶圆切割时间计算方法，包括：获取晶圆的参数信息、芯片的参数信息和晶圆切割速度；根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度；根据所述晶圆的总切割长度和所述晶圆切割速度，计算得到晶圆切割时间。优选地，所述根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度，包括：确定四分之一晶圆切割长度；根据所述四分之一晶圆切割长度，确定所述晶圆的总切割长度。优选地，所述晶圆的参数信息包括晶圆直径，所述芯片的参数信息包括芯片长度、芯片宽度，所述确定四分之一晶圆切割长度，包括：根据四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的芯片个数、从晶圆直径沿芯片长度方向的多个芯片的四分之一晶圆切割长度，确定四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的切割长度；根据四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的芯片个数、从晶圆直径沿芯片宽度方向的多个芯片的四分之一晶圆切割长度，确定四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的切割长度；根据所述四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的切割长度和所述四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的切割长度，确定四分之一晶圆切割长度。优选地，根据式(1)确定四分之一晶圆切割长度：式(1)中，n为四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的芯片个数，d1x为从晶圆直径沿芯片长度方向的一个芯片的四分之一晶圆切割长度，d2x为从晶圆直径沿芯片长度方向的两个芯片的四分之一晶圆切割长度，dnx为从晶圆直径沿芯片长度方向的n个芯片的四分之一晶圆切割长度；m为四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的芯片个数，d1y为从晶圆直径沿芯片宽度方向的一个芯片的四分之一晶圆切割长度，d2y为从晶圆直径沿芯片宽度方向的两个芯片的四分之一晶圆切割长度，dmy为从晶圆直径沿芯片宽度方向的m个芯片的四分之一晶圆切割长度。优选地，所述晶圆的参数信息还包括晶圆切割外切单边长度，根据式(2)确定所述晶圆的总切割长度：式(2)中，L为所述晶圆的总切割长度，D为晶圆直径，E为晶圆切割外切单边长度。优选地，根据式(3)计算得到晶圆切割时间：T＝L/s(3)式(3)中，T为晶圆切割时间，s为晶圆切割速度。本专利技术还提供一种晶圆切割时间计算装置，包括：至少一个处理器；以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器执行以下方法：获取晶圆的参数信息、芯片的参数信息和晶圆切割速度；根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度；根据所述晶圆的总切割长度和所述晶圆切割速度，计算得到晶圆切割时间。本专利技术技术方案，具有如下优点：本专利技术提供的晶圆切割时间计算方法及装置，通过获取晶圆的参数信息、芯片的参数信息和晶圆切割速度，根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度，再根据所述晶圆的总切割长度和所述晶圆切割速度，计算得到晶圆切割时间。本专利技术提供了一种通用的晶圆切割时间计算方法及装置，通过晶圆和芯片的参数信息换算出晶圆切割的整体长度，经过与晶圆切割速度做换算，即可精准得到晶圆切割时间，从而实现在半导体新产品前期评估时和晶圆实际切割作业前，能够预先得到精准的晶圆切割时间，进而完成精准度较高的成本及产能的核算，同时避免了按照晶圆切割的实际作业时间做产能核算时的一些异常因素干扰导致核算精准度较低的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为一种晶圆切割时间计算方法的流程图；图2为图1所示的晶圆切割时间计算方法的示意图；图3为一种晶圆切割时间计算装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。实施例1本实施例提供一种晶圆切割时间计算方法，该方法的流程图如图1所示，包括如下步骤：S1：获取晶圆的参数信息、芯片的参数信息和晶圆切割速度。具体地，可以通过将晶圆的基础资料信息、所需切割芯片的尺寸以及晶圆切割设备的切割速度输入电子设备从而读取出晶圆的参数信息、芯片的参数信息和晶圆切割速度。从晶圆的基础资料信息中，可得到晶圆直径等晶圆的参数信息；根据半导体产品信息，可得到所需切割芯片的尺寸，即芯片长度和芯片宽度，所述芯片长度和芯片宽度均包含切割道宽度；根据晶圆的参数信息以及所需切割芯片的尺寸，可进一步得到芯片个数等与晶圆切割时间计算的相关信息。晶圆切割速度为切割设备上设置的通用数值，一般为20mm/s到60mm/s范围之间，具体可参照半导体产品及晶圆切割设备的实际状况来设定。S2：根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度。在晶圆上根据芯片尺寸切割出所需的多个芯片，需分别在晶圆的横向和纵向往复运动，通过对往复运动中切割路径的总长度进行计算，可得所述晶圆的总切割长度。作为一个具体的实施方式，上述步骤S2还包括如下子步骤：S21：确定四分之一晶圆切割长度。根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息，可知在四分之一晶圆区域内分别沿芯片长度方向和芯片宽度方向的切割路径，从而确定出四分之一晶圆区域内的晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆切割时间计算方法，其特征在于，包括：获取晶圆的参数信息、芯片的参数信息和晶圆切割速度；根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度；根据所述晶圆的总切割长度和所述晶圆切割速度，计算得到晶圆切割时间。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割时间计算方法，其特征在于，包括：获取晶圆的参数信息、芯片的参数信息和晶圆切割速度；根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度；根据所述晶圆的总切割长度和所述晶圆切割速度，计算得到晶圆切割时间。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度，包括：确定四分之一晶圆切割长度；根据所述四分之一晶圆切割长度，确定所述晶圆的总切割长度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述晶圆的参数信息包括晶圆直径，所述芯片的参数信息包括芯片长度、芯片宽度，所述确定四分之一晶圆切割长度，包括：根据四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的芯片个数、从晶圆直径沿芯片长度方向的多个芯片的四分之一晶圆切割长度，确定四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的切割长度；根据四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的芯片个数、从晶圆直径沿芯片宽度方向的多个芯片的四分之一晶圆切割长度，确定四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的切割长度；根据所述四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的切割长度和所述四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的切割长度，确定四分之一晶圆切割长度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据下式确定四分之一晶圆切割长度：其中，n为四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的芯片个数，d1x为从晶圆直径沿芯片长度方向的一个芯片的四分之一晶圆切割长度，d2x...

【专利技术属性】
技术研发人员：金国庆，鲁学山，张俊龙，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32