元件芯片及其制造方法技术

一种元件芯片及其制造方法。元件芯片的制造方法包括激光划片工序，对具备第1层和第2层的基板的分割区域从第2层侧照射激光，从而在分割区域形成具备露出第1层的露出部的开口，并且在包含露出部的第1层的表层部形成第1损伤区域，在第1损伤区域的附近且被第2层覆盖的第1层的表层部形成第2损伤区域。而且，包括各向同性蚀刻工序，在激光划片工序之后，通过使基板暴露于第1等离子体从而各向同性地蚀刻第1层，从而除去第1损伤区域和第2损伤区域。还包括等离子体切割工序，在各向同性蚀刻工序之后，在用支承构件支承了第2主面的状态下，将基板暴露于第2等离子体，各向异性地蚀刻第1层，从而将基板分割为具备元件区域的多个元件芯片。

Component chip and manufacturing method thereof

Element chip and manufacturing method thereof. Method of manufacturing a device chip includes a laser scribing process, the substrate having first layers and second layers of the segmented regions from the second layer to form the laser irradiation side, with opening exposing the exposed part of the first layer in the divided region, and in the first layer contains the exposed portion of the surface area of the formation of first damage area, first layer in first the damaged area and is near the second layer covering the surface of the formation of second damage region. Further, including an isotropic etching step, the first damage region and the second damage region are removed by exposing the substrate to the first plasma, thereby etching the first layer in an isotropic manner after the laser scribing process. Also includes a plasma cutting process, after the isotropic etching process, with supporting members for supporting second main surface condition, the substrate is exposed to the second plasma anisotropic etching of layer first, which will be divided into a plurality of elements with substrate chip element region.

【技术实现步骤摘要】
元件芯片及其制造方法
本公开涉及包含激光划片工序的元件芯片的制造方法以及元件芯片。
技术介绍
如图5A～C所示，元件芯片通过切割包含作为半导体层的第1层31和包含绝缘膜的第2层32的基板30来制造。基板30具备对基板30进行区划的分割区域R11和由分割区域R11划定的多个元件区域R12(图5A)。通过除去基板30的分割区域R11，从而基板30被切割，形成多个元件芯片130。专利文献1教导了利用激光L划刻了分割区域R11之后(图5B)，利用等离子体P进行蚀刻(图5C)，从而切割基板30。现有技术文献专利文献专利文献1：JP特表2013-535114号公报
技术实现思路
在激光划片工序(图5B)中，通常通过热效应在基板30形成损伤区域DR。损伤区域DR由于热传播而形成得比照射激光的分割区域R11宽。因此，之后，即使通过等离子体蚀刻除去分割区域R11，在元件区域R12，即，在被切割的元件芯片130的端面也残留损伤区域DR(图5C)。在损伤区域DR中，在结晶紊乱或多结晶的情况下，会发生晶粒的粗大化。因此，尤其是残留在第1层31的损伤区域DR，易成为第1层31解理的起点，会成为元件芯片130损伤的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种元件芯片的制造方法，包括：准备基板的工序，所述基板具备第1主面以及第2主面，并且具备作为半导体层的第1层和包含形成在所述第1层的所述第1主面一侧的绝缘膜的第2层，所述基板具备多个元件区域和划定所述元件区域的分割区域；激光划片工序，对所述分割区域从所述第1主面一侧照射激光，从而在所述分割区域形成具备露出所述第1层的露出部的开口，并且在包含所述露出部的所述第1层的表层部形成第1损伤区域，在所述第1损伤区域的附近且被所述第2层覆盖的所述第1层的表层部形成第2损伤区域；各向同性蚀刻工序，在所述激光划片工序之后，通过使所述基板暴露于第1等离子体从而各向同性地蚀刻所述第1层，从而除去所述第1损伤区域和...

【技术特征摘要】
2016.03.11 JP 2016-0480031.一种元件芯片的制造方法，包括：准备基板的工序，所述基板具备第1主面以及第2主面，并且具备作为半导体层的第1层和包含形成在所述第1层的所述第1主面一侧的绝缘膜的第2层，所述基板具备多个元件区域和划定所述元件区域的分割区域；激光划片工序，对所述分割区域从所述第1主面一侧照射激光，从而在所述分割区域形成具备露出所述第1层的露出部的开口，并且在包含所述露出部的所述第1层的表层部形成第1损伤区域，在所述第1损伤区域的附近且被所述第2层覆盖的所述第1层的表层部形成第2损伤区域；各向同性蚀刻工序，在所述激光划片工序之后，通过使所...

【专利技术属性】
技术研发人员：水野文二，置田尚吾，广岛满，樱井努，松原功幸，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP