一种MEMS器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆，所述底部晶圆包括检测区域，其中，在所述底部晶圆上形成有MEMS器件以及图案化的掩膜层；步骤S2：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述检测区域，以在所述检测区域中形成若干相互间隔的虚拟凹槽，作为清洗通道；步骤S3：提供顶部晶圆，并与所述底部晶圆接合为一体；步骤S4：对所述顶部晶圆的顶部进行划片切割，以形成开口，露出所述虚拟凹槽；步骤S5：执行清洗步骤，以清除所述检测区域中的碎片。本发明专利技术的优点在于：1、减小顶部晶圆切割工艺中的缺陷，完全清除了检测区域中形成的碎片。2、避免了检测探针损坏(Probe Card damage)的发生，降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，在各种传感器(motion sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类产品的发展方向是更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。在MEMS领域中，在晶圆接合之后(Bonding Wafer)需要进行可靠性测试，例如WAT/CP测试等，在该步骤中通常只切断顶部晶圆(Top Wafer)露出底部晶圆(Bottom Wafer)的器件进行WAT/CP测试等即可，在切割所述顶部晶圆时通常会出现一些颗粒(Particle)或碎片跌落在底部晶圆，导致在检测时探针(Probe Card)接触到颗粒或碎片后损坏。因此需要对目前半导体器件的制备方法和/或检测方法作进一步的改进，以便消除上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术为了克服目前存在问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，所述底部晶圆包括检测区域，其中，在所述底部晶圆上形成有MEMS器件以及图案化的掩膜层；步骤S2：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述检测区域，以在所述检测区域中形成若干相互间隔的虚拟凹槽，作为清洗通道；步骤S3：提供顶部晶圆，并与所述底部晶圆接合为一体；步骤S4：对所述顶部晶圆的顶部进行划片切割，以形成开口，露出所述虚拟凹槽；步骤S5：执行清洗步骤，以清除所述检测区域中的碎片。可选地，在所述步骤S4中，对所述顶部晶圆的顶部进行若干次切割，以形成尺寸较小的所述碎片。可选地，所述虚拟凹槽的底部到所述顶部晶圆的垂直距离大于所述碎片的尺寸。可选地，所述虚拟凹槽的底部到所述顶部晶圆的垂直距离为30-40um，所述碎片的尺寸小于30um。可选地，在所述步骤S2中，所述虚拟凹槽的深度为4-6um。可选地，在所述步骤S5之后，所述方法还进一步包括对所述检测区域进行检测的步骤。可选地，在所述步骤S3和所述步骤S4之间还进一步包括对所述顶部晶圆进行研磨打薄的步骤。可选地，在所述步骤S1中，所述MEMS器件包括图案化的金属焊盘，并且所述掩膜层覆盖所述金属焊盘。本专利技术还提供了一种基于上述的方法制备得到的MEMS器件。本专利技术还提供了一种电子装置，包括上述的MEMS器件。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，在所述方法中在底部晶圆和顶部晶圆接合之前对所述底部晶圆中的检测区域进行图案化，以形成虚拟凹槽，作为后续步骤的清洗通道，在底部晶圆和顶部晶圆接合之后，对所述顶部晶圆进行切割，在切割过程中进行多次切割，以形成粒度较小的碎片，所述虚拟凹槽和粒度较小的碎片为后续的清洗步骤提供足够的工艺余裕，以保证所述碎片完全去除。本专利技术的优点在于：1、减小顶部晶圆切割工艺中的缺陷，完全清除了检测区域中形成的碎片。2、避免了检测探针损坏(Probe Card damage)的发生，降低了制造成本。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中，图1a-1d为现有技术中所述MEMS器件的制备过程示意图；图2a-2e为现有技术中所述MEMS器件的制备过程示意图；图3为本专利技术一具体实施方式中所述MEMS器件的制备工艺流程图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，
当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。现有技术中所述MEMS器件的制备方法如图1a-1d所示，首先，如图1所示，提供底部晶圆101和顶部晶圆102，然后将所述底部晶圆101和顶部晶圆102接合为一体，如图1b所示，然后执行背部研磨工艺，以减小顶部晶圆102的厚度，如图1c所示，最后切断顶部晶圆(Top Wafer)，以露出底部晶圆(Bottom Wafer)的器件进行WAT/CP测试，在切割所述顶部晶圆时通常会出现一些颗粒(Particle)跌落在底部晶圆，导致在检测时探针(Probe Card)接触到颗粒后损坏，如图1d右侧图形所示。因此需要对目前半导体器件的制备方法和/或检测方法作进一步的改进，以便消除上述问题。实施例1本专利技术为了解决目前MEMS器件制备过程中存在的问题，提供了一种MEMS器件的制备，下面结合附图2a-2e对所述方法作进一步的说明，其中，图2a-2e为本专利技术所述MEMS器件的制备过程示意图。首先，执行步骤201，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，所述底部晶圆包括检测区域，其中，在所述底部晶圆上形成有MEMS器件以及图案化的掩膜层；步骤S2：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述检测区域，以在所述检测区域中形成若干相互间隔的虚拟凹槽，作为清洗通道；步骤S3：提供顶部晶圆，并与所述底部晶圆接合为一体；步骤S4：对所述顶部晶圆的顶部进行划片切割，以形成开口，露出所述虚拟凹槽；步骤S5：执行清洗步骤，以清除所述检测区域中的碎片。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，所述底部晶圆包括检测区域，其中，在所述底部晶圆上形成有MEMS器件以及图案化的掩膜层；步骤S2：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述检测区域，以在所述检测区域中形成若干相互间隔的虚拟凹槽，作为清洗通道；步骤S3：提供顶部晶圆，并与所述底部晶圆接合为一体；步骤S4：对所述顶部晶圆的顶部进行划片切割，以形成开口，露出所述虚拟凹槽；步骤S5：执行清洗步骤，以清除所述检测区域中的碎片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，对所述顶部晶圆的顶部进行若干次切割，以形成尺寸较小的所述碎片。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述虚拟凹槽的底部到所述顶部晶圆的垂直距离大于所述碎片的尺寸。4.根据权利要求1或2...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，郑超，闾新明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31