一种DAF芯片的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种DAF芯片的制备方法，包括：将切割后的若干芯片放置于DAF膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；对DAF膜按照横向切割线和纵向切割线进行切割。该种制备方法将切割后的芯片以任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交的方式放置于DAF膜上，之后根据每个芯片的位置确定切割线，按照切割线对芯片进行切割，这样可以采用刀片切割方式进行切割，降低生产成本。

Preparation method of DAF chip

The present invention provides a method for preparing a DAF chip, including several chips after cutting is placed in the DAF film, in which any two chip in the horizontal and vertical direction are disjoint; according to the position of each chip to determine the transverse cutting line and vertical cutting line; on the DAF membrane according to the transverse cutting line and the longitudinal cutting line cutting. The preparation method after cutting chips to any two chip in the horizontal and vertical direction are disjoint placed in the DAF film, after the cutting line is determined according to the position of each chip, the chip is cut according to the cutting line, which can be used for cutting blade cutting way, reduce the production cost.

【技术实现步骤摘要】
一种DAF芯片的制备方法
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种DAF芯片的制备方法。
技术介绍
晶圆切割(Dicing)，也叫划片(DieSawing)，将做好芯片的整片晶圆通过切割工艺进行分割，形成若干个独立的单颗芯片(Die)，为后续工序做准备。它是半导体芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序，在晶圆制造中属于后道工序。目前，常用的切割工艺有刀片切割(bladesaw)和激光切割。激光切割利用激光进行切割，在切割过程中晶圆不易破碎，切割后的芯片光滑平整，但是所需的激光切割机价格昂贵，成本较高。刀片切割利用划片系统进行切割，在晶圆切割市场仍然占据较大份额。目前，晶圆切割主要是晶圆粘接在蓝膜或者紫外线(UltraViolet，UV)膜等胶膜上，这种胶膜在切割时具有高粘着力，保证芯片不飞散、不脱落，减少切割中所产生的晶圆崩碎，保持晶圆的完整，同时确保晶圆在正常传送过程中芯片不会有位移、掉落的情形，在切割完成后对胶膜进行特定处理，粘着力降低，便于芯片与胶膜的分离。芯片正装贴片一般采用2种方式，Epoxy贴片和DAF(DieAttachFilm)贴片。Epoxy贴片将去除胶膜的芯片粘贴于覆盖Epoxy结合材料的基片上；DAF贴片由于芯片背面具有DAF，可以直接与基片进行粘贴，不需要在基片上涂覆Epoxy结合材料。贴UV胶膜或者NONUV胶膜的晶圆在晶圆切割后，形成一颗颗单独的芯片，芯片正装贴片时还需要在芯片和基片之间涂覆Epoxy结合材料，结合材料的涂覆面积通常大于芯片本身的面积，导致封装尺寸较大。由于DAF贴片使用时非常便捷，同时还能降低封装尺寸，因此，还希望将切割后的芯片采用DAF方式进行贴片，需将UV胶带或者NONUV胶带揭掉，再重新贴DAF胶膜，但此时芯片已经完全分开，与整面晶圆的方式加工相比，将芯片再按照切割前进行排布，很难达到切割前的排布精度，因此即使将上述切割后的芯片放置在DAF胶膜上，也无法使用传统的bladesaw工艺将其切开，因为传统的bladesaw切割方式为刀片切割，刀片切割的方式可以整行或整列切割，但是在每行切割时无法随时调整切割位置，由于切割后的芯片放置在DAF胶膜上无法保持整行整列的对齐精度，因此刀片切割后芯片的成品率很低，对芯片造成了浪费。目前可采用的切割方式是激光切割，由于激光切割可以精确控制切割的位置，但是激光切割机价格高昂，成本较高。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的已切割芯片转化成DAF芯片成本高的缺陷。为此，本专利技术提供一种DAF芯片的制备方法，包括以下步骤：将切割后的若干芯片放置于DAF膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割。可选地，所述对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤中，采用刀片切割的方式进行切割。可选地，所述将切割后的若干芯片放置于DAF膜上的步骤中，相邻的两个芯片在横向和纵向上的间隙大于切割刀片的厚度。可选地，所述将切割后的若干芯片放置于DAF膜上的步骤中，所述芯片排列于DAF膜直径所在直线上，芯片的贴片方向与所述直径方向呈45度角。可选地，所述对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤中，所述刀片切割的切割速度为30-90mm/s。可选地，所述对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤中，所述刀片切割的切割速度为70mm/s。可选地，所述将切割后的若干芯片放置于DAF膜上的步骤之前，还包括将所述DAF膜固定于具有收纳及固定晶圆作用的框架上。可选地，所述对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤之前，还包括对所述DAF膜进行烘烤处理，使所述芯片和所述DAF膜上的DAF完全贴附。本专利技术还提供一种使用上述DAF芯片的制备方法制备的芯片。本专利技术技术方案，具有如下优点：本专利技术提供的DAF芯片的制备方法，包括：将切割后的若干芯片放置于DAF膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；对DAF膜按照横向切割线和纵向切割线进行切割。该种制备方法将切割后的芯片以任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交的方式放置于DAF膜上，之后根据每个芯片的位置确定切割线，按照切割线对芯片进行切割，这样可以采用刀片切割方式进行切割，降低生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中DAF芯片的制备方法的一个具体示例的流程图；图2为本专利技术实施例中DAF芯片的制备方法的一个具体优化示例的流程图；图3-图9为本专利技术实施例中DAF芯片的制备方法的具体步骤的示意图。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。实施例本实施例提供一种DAF芯片的制备方法，用于将切割后的芯片采用DAF方式进行贴片后再重新切割，具体流程图如图1所示。作为本实施例的一个优选方案的具体流程图，如图2所示，包括如下步骤：S00：将DAF膜10固定于具有收纳及固定晶圆作用的框架20上，DAF膜10包括胶膜11和位于胶膜11上的DAF12，如图3所示。一片晶圆需要经过复杂的工艺制作而成，之后还需要对晶圆进行多道工序的处理以得到最终产品，刚制作好的晶圆的厚度通常为几百微米，如果不对晶圆进行保护在运输或者加工过程中对晶圆造成划伤、缺口等损伤，则会对下一道工序影响非常的大，甚至造成整片晶圆的报废，所以在晶圆切割的过程中对晶圆的保护显得格外的重要，晶圆框架可以避免晶圆随意滑动，避免胶带的皱摺及晶粒之间相互碰撞，能够有效地保护晶圆的完整度，同时便于周转搬运。S01：将切割后的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DAF芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将切割后的若干芯片放置于DAF膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割。

【技术特征摘要】
1.一种DAF芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将切割后的若干芯片放置于DAF膜上，其中任意两个芯片在横向和纵向延伸方向上均不相交；根据每个芯片的位置确定横向切割线和纵向切割线；对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割。2.根据权利要求1所述的DAF芯片的制备方法，其特征在于，所述对所述DAF膜按照所述横向切割线和纵向切割线进行切割的步骤中，采用刀片切割的方式进行切割。3.根据权利要求2所述的DAF芯片的制备方法，其特征在于，所述将切割后的若干芯片放置于DAF膜上的步骤中，相邻的两个芯片在横向和纵向上的间隙大于切割刀片的厚度。4.根据权利要求1-3任一所述的DAF芯片的制备方法，其特征在于，所述将切割后的若干芯片放置于DAF膜上的步骤中，所述芯片排列于DAF膜直径所在直线上，芯片的贴片方向与所述直径方向呈45度角。5.根据权利要求2-...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁学山，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32