【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，具体涉及一种半导体封装结构及制备方法。
技术介绍
1、高性能计算的蓬勃发展推动了对信号带宽、高速信号驱动能力等需求的日益增长，因此，半导体器件需要将具有不同功能的芯片高度集成封装在一起。当前2.5d封装中通过增大转接板尺寸来容纳更多的芯片，诸如将大量的soc(system on chip，即在一块芯片上集成的一整个信息处理系统)和hbm(high bandwidth memory，即内存芯片)集成设置在同一转接板上，以此实现对信号带宽的需求。
2、但随着soc和hbm数目增多，转接板的尺寸也逐渐增大，大尺寸转接板在制造过程中出现良率急剧降低和制造成本急剧增加等问题。此外，使用诸如soc和hbm的高级电路需要稳定的电压供应，因此常使用在2.5d封装的硅转接板中集成深沟槽电容的方式确保电容的快速响应，但是在转接板中制作深沟槽电容工艺较复杂，且成本较高。因此，为满足日益增长的对带宽、存储容量、芯片间高速互连和避免相互串扰的需求，亟需要能实现大量芯片间高速互连、性能稳定且结构简单的封装结构。
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【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装基板(1)包括位于中心的第一区域(13)；所述多个通孔(11)包括：沿第一方向相对设置在第一区域(13)两侧的两组通孔(11)，以及沿第二方向相对设置在第一区域(13)两侧的两组通孔(11)，所述第一方向与所述第二方向相垂直；每一组所述通孔(11)包括四个呈矩形分布的通孔(11)。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一重布线层(4)包括第一预设位置、第二预设位置、第三预设位置和第四预设位置，所述第一预设位置与所述第一区...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装基板(1)包括位于中心的第一区域(13)；所述多个通孔(11)包括：沿第一方向相对设置在第一区域(13)两侧的两组通孔(11)，以及沿第二方向相对设置在第一区域(13)两侧的两组通孔(11)，所述第一方向与所述第二方向相垂直；每一组所述通孔(11)包括四个呈矩形分布的通孔(11)。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一重布线层(4)包括第一预设位置、第二预设位置、第三预设位置和第四预设位置，所述第一预设位置与所述第一区域相对应，所述第二预设位置与所述通孔(11)相对应，所述第三预设位置与一组通孔(11)中相邻两个通孔(11)之间的区域相对应，所述第四预设位置与相邻两组通孔(11)之间的区域相对应；
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述集成无源芯片(701)的数量为四个且呈矩形分布；所述存储芯片(702)设置为四组，任一组设置为四个且呈矩形布置；所述运算芯片(703)的数量为四个，相邻的两组所述存储芯片(702)之间设置一个所述运算芯片(703)。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述硅桥结构(2)包括第一介电层(21)和第一金属线(22)，所述第一重布线层(4)包括第二介电层(41)和第二金属线(42)，部分所述第二金属线(42)与所述第一金属线(22)相连接；所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏鹏，徐成，孙鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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