降低通孔阻值的金属填充方法技术

本发明专利技术提供一种降低通孔阻值的金属填充方法，提供衬底，衬底上形成集成电路器件；在半导体衬底上形成互连结构，其中，互连结构包括与集成电路器件连接的多个导电部件；形成覆盖互连结构的刻蚀停止层，在刻蚀停止层上形成第一层间介质层；在第一层间介质层上形成开口图形以定义出第一通孔的形成区域；在通孔上形成隔离层，去除开口图形侧壁之外的隔离层，刻蚀去除开口图形底部的刻蚀停止层，使其下的导电部件裸露；利用择性生长工艺形成覆盖裸露导电部件的第一金属层，之后利用淀积、研磨形成填充开口图形的第二金属层。本发明专利技术使器件的可靠性和稳定性得到了提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种降低通孔阻值的金属填充方法。

技术介绍

1、随着制程的微缩，中段的工艺尺寸越来越小。在深微纳米半导体工艺之前的技术节点，cmos器件本身的尺寸和特性对器件的电性性能影响最大，随着尺寸的微缩，中后段的接触电阻及金属连线的本身电阻对器件性能的影响越来越大。为了减少对电性的影响，后端从最初的al连接工艺，到cu连接工艺，中段进一步加入了co连接工艺，使得金属连线的电阻越来越低，减少了金属连线对器件性能的影响。但是随着金属连接工艺的变化及尺寸微缩，制造过程越来越复杂，难度越来越高，良率提升变得越来越困难。

2、为了降低中段连接电阻，tsmc(台湾积体电路制造股份有限公司)在7nm的第零层via(通孔)引入了选择性生长钨工艺，删掉了金属填充必须要的tin作为绝缘层和粘结层。由于tin是高阻材料，没有tin的存在，通孔的阻值可以降低50％左右，对器件性能有明显的提升。但是由于选择性生长钨工艺的生长工艺难度较大，并且由于没有tin的存在，w和氧化层界面结合较差。因此在w cmp(化学机械平坦化研磨)的时候，研磨液容易沿着w本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低通孔阻值的金属填充方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的降低通孔阻值的金属填充方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。

3.根据权利要求1所述的降低通孔阻值的金属填充方法，其特征在于：步骤一中的所述导电部件包括第二包括第二层间介质层以分离和隔离各种所述导电部件。

4.根据权利要求1所述的降低通孔阻值的金属填充方法，其特征在于：步骤一中的所述导电部件包括接触件；金属线；和第二通孔中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的降低通孔阻值的金属填充方法，其特征在于：步骤二中的所述刻...

【技术特征摘要】

1.一种降低通孔阻值的金属填充方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的降低通孔阻值的金属填充方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。

3.根据权利要求1所述的降低通孔阻值的金属填充方法，其特征在于：步骤一中的所述导电部件包括第二包括第二层间介质层以分离和隔离各种所述导电部件。

4.根据权利要求1所述的降低通孔阻值的金属填充方法，其特征在于：步骤一中的所述导电部件包括接触件；金属线；和第二通孔中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的降低通孔阻值的金属填充方法，其特征在于：步骤二中的所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐文胜，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：