温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种降低通孔阻值的金属填充方法，提供衬底，衬底上形成集成电路器件；在半导体衬底上形成互连结构，其中，互连结构包括与集成电路器件连接的多个导电部件；形成覆盖互连结构的刻蚀停止层，在刻蚀停止层上形成第一层间介质层；在第一层间介质层上形...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。