一种三维存储器适应性操作装置以及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种三维存储器适应性操作装置以及方法，该三维存储器适应性操作装置包括：三维存储器、字线译码器、电压选通电路、电压产生电路以及控制电路；三维存储器具有存储阵列；电压产生电路依次通过电压选通电路以及字线译码器与存储阵列连接；控制电路分别与电压产生电路、电压选通电路、字线译码器以及存储阵列连接；控制电路用于调节电压产生电路的输出电压的幅值，并通过控制电压选通电路在所述输出电压中进行选择，控制选中输出电压的选通时间，以调节存储阵列的读取、编程和擦除信号的准确性。本发明专利技术技术方案通过调节输出电压的幅值以及选通时间，调节存储阵列的读取、编程和擦除信号的准确性，提高了存储数据的可靠性。

Three dimensional memory adaptive operation device and method

The invention discloses a three-dimensional memory device and a method for the adaptive operation, three-dimensional memory device includes: a 3D adaptive operating memory, word line decoder, voltage gating circuit, voltage generating circuit and a control circuit; three-dimensional memory with memory array; voltage generating circuit sequentially through the voltage gating circuit and a word line decoder memory array and connection; control circuit is respectively connected with the voltage generating circuit, voltage gating circuit, word line decoder and the memory array is connected; the control circuit is used to adjust the amplitude of the output voltage of the voltage generating circuit, and circuit to select the output voltage by controlling the voltage, the output voltage of the selected control strobe time to adjust the accuracy of storage array read, program and erase signal. The technical proposal of the invention regulates the accuracy of the read, program and erase signals of the storage array by adjusting the amplitude of the output voltage and the gating time, thereby improving the reliability of the stored data.

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器适应性操作装置以及方法
本专利技术涉及集成电路
，更具体的说，涉及一种三维存储器适应性操作装置以及方法。
技术介绍
随着科学技术的进步，半导体存储器件在人类社会中所起到的作用越来越重要，与此同时，人们对半导体存储器性能、成本等的要求也越来越高。由于半导体技术和工艺的发展，具有垂直沟道晶体管的半导体存储器被开发出并成功用于产业之中，这样的存储器件通常会被称为三维存储器。与之前仅仅具有平面沟道晶体管的存储器相比，三维存储器可以在相同芯片面积上获得更多的存储节点，从而增加存储器的集成度，降低成本。三维存储器在制造过程中，由于工艺误差，必然导致三维存储器的字线、位线以及沟道通孔的实际参数均与标准参数存在差异性，所述差异性将影响三维存储器的数据读取、编程和擦除操作的可靠性。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种三维存储器适应性操作装置以及方法，通过调节所述电压产生电路的输出电压的幅值，通过所述电压选通电路选择所述输出电压并且控制选中输出电压的选通时间，调节所述存储阵列的读取、编程和擦除信号的准确性，提高了存储器数据的可靠性。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维存储器适应性操作装置，其特征在于，包括：三维存储器、字线译码器、电压选通电路、电压产生电路以及控制电路；所述三维存储器具有存储阵列；所述电压产生电路依次通过所述电压选通电路以及所述字线译码器与所述存储阵列连接；所述控制电路分别与所述电压产生电路、所述电压选通电路、所述字线译码器以及所述存储阵列连接；其中，所述控制电路用于调节所述电压产生电路的输出电压的幅值，并通过控制所述电压选通电路在所述输出电压中进行选择，控制选中输出电压的选通时间，以调节所述存储阵列的读取、编程、擦除信号的准确性。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器适应性操作装置，其特征在于，包括：三维存储器、字线译码器、电压选通电路、电压产生电路以及控制电路；所述三维存储器具有存储阵列；所述电压产生电路依次通过所述电压选通电路以及所述字线译码器与所述存储阵列连接；所述控制电路分别与所述电压产生电路、所述电压选通电路、所述字线译码器以及所述存储阵列连接；其中，所述控制电路用于调节所述电压产生电路的输出电压的幅值，并通过控制所述电压选通电路在所述输出电压中进行选择，控制选中输出电压的选通时间，以调节所述存储阵列的读取、编程、擦除信号的准确性。2.根据权利要求1所述的三维存储器适应性操作装置，其特征在于，所述控制电路包括：可配置操作算法装置、核心控制器、页面缓冲器以及输入输出缓冲器；所述可配置操作算法装置分别与所述电压产生电路、所述电压选通电路、所述字线译码器以及所述核心控制器连接；所述页面缓冲器分别与所述电压选通电路、所述存储阵列、所述核心控制器以及所述输入输出缓冲器连接；所述核心控制器与所述输入输出缓冲器连接。3.根据权利要求2所述的三维存储器适应性操作装置，其特征在于，所述可配置操作算法装置包括：与所述电压产生电路连接的第一电路，所述第一电路用于通过第一信号调节所述电压产生电路的输出电压的幅值；与所述电压选通电路连接的第二电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹华敏，付祥，王颀，霍宗亮，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11