存储器读取方法及存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器读取方法。该存储器读取方法包含以下步骤：使用一第一电压电平执行一第一读取操作以从存储器阵列读取数据；决定对应于从存储器阵列中读取的数据的位的数目的一瞬时位计数；取得对应于被写入的数据的位的数目的一记录位计数，被写入的数据于一时间被写入到存储器阵列；取得瞬时位计数与记录位计数之间的一差值；一旦决定差值为小于或等于一第一临界值，输出从存储器阵列使用第一读取操作读取的数据；一旦决定差值为大于第一临界值，执行一第二读取操作以从存储器阵列读取数据，第二读取操作使用不同于第一电压电平的一第二电压电平。

Memory reading method and memory device

The invention provides a memory reading method. The memory reading method comprises the following steps: using a first voltage level first performs a read operation to read data from the memory array; decide corresponding to read from the memory array data in a number of instant count; made corresponding to be written according to the number of bits of the number one record counts, was a time to write data is written to the memory array; made a difference between the instantaneous bit count and record count; once the difference is equal to a first threshold value is less than or output from the memory array, using the first read operation reads the data; once the decision difference is greater than the first threshold, perform a read operation to second read data from the memory array, a second voltage level second read operation is different from the first voltage level.

【技术实现步骤摘要】
存储器读取方法及存储器装置
本专利技术是有关于存储器单元的读取。
技术介绍
存储在存储器阵列的存储器单元中的数据可通过施加一电压到存储器单元而被读取，此电压被称为读取电压电平或读取电平。在一些存储器阵列中，读取电平可以是一固定电压电平。存储器单元的临界电压可随着时间改变，使得使用一固定读取电平会造成从存储器单元中读取数据的不精确。
技术实现思路
本专利技术描述改善在存储器阵列存储器单元上执行的读取操作的精确性的装置、系统及技术。在一实施例中，当写入数据到存储器阵列中的存储器单元时，例如一闪存芯片时，计算数据中的「高临界电压」或者「低临界电压」的位的数目，并存储为一纪录计数数目(recordedcountnumber，rCN)。在一些实施例中，高临界电压位对应位‘0’，而低临界电压位对应位‘1’。然而，在其他实施例中，高临界电压位对应位‘1’，而低临界电压位对应位‘0’。当接收到一读取指令时，对从存储器单元中感应的数据使用一第一读取电平执行一第一读取操作，并再次基于感应数据计算高临界电压位或者低临界电压位的数目以产生一瞬时计数数目(instantcounternumber，iCN)。取得瞬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器读取方法，其特征在于，包含：使用一第一电压电平执行一第一读取操作以从一存储器阵列读取一数据；决定对应于从该存储器阵列中读取的该数据的位的数目的一瞬时位计数；取得对应于一被写入的数据的位的数目的一记录位计数，该被写入的数据于一时间被写入到该存储器阵列；取得该瞬时位计数与该记录位计数之间的一差值；一旦决定该差值为小于或等于一第一临界值，输出从该存储器阵列使用该第一读取操作读取的该数据；以及一旦决定该差值为大于该第一临界值，执行一第二读取操作以从该存储器阵列读取该数据，该第二读取操作使用不同于该第一电压电平的一第二电压电平。

【技术特征摘要】
2016.03.08 US 15/063,7561.一种存储器读取方法，其特征在于，包含：使用一第一电压电平执行一第一读取操作以从一存储器阵列读取一数据；决定对应于从该存储器阵列中读取的该数据的位的数目的一瞬时位计数；取得对应于一被写入的数据的位的数目的一记录位计数，该被写入的数据于一时间被写入到该存储器阵列；取得该瞬时位计数与该记录位计数之间的一差值；一旦决定该差值为小于或等于一第一临界值，输出从该存储器阵列使用该第一读取操作读取的该数据；以及一旦决定该差值为大于该第一临界值，执行一第二读取操作以从该存储器阵列读取该数据，该第二读取操作使用不同于该第一电压电平的一第二电压电平。2.根据权利要求1所述的方法，其中执行该第二读取操作的步骤包含：一旦决定该瞬时位计数小于该记录位计数，且该瞬时位与该记录位计数的一差距大于该第一临界值，使用大于该第一电压电平的该第二电压电平执行该第二读取操作；以及一旦决定该瞬时位计数大于该记录位计数，且该差距大于该第一临界值，使用小于该第一电压电平的该第二电压电平执行该第二读取操作。3.根据权利要求1所述的方法，其中执行该第二读取操作的步骤包含：一旦决定该瞬时位计数小于该记录位计数，且该瞬时位与该记录位计数的一差距大于该第一临界值，使用小于该第一电压电平的该第二电压电平执行该第二读取操作；以及一旦决定该瞬时位计数大于该记录位计数，且该差距大于该第一临界值，使用大于该第一电压电平的该第二电压电平执行该第二读取操作。4.根据权利要求1所述的方法，其中执行该第二读取操作的步骤包含：基于该差值大于该第一临界值，将该差值与一预选第二临界值比较；一旦比较的结果为该差值小于该预选第二临界值，选择以一第一量偏移该第一电压电平的一第二电压电平；以及一旦比较的结果为该差值大于该预选第二临界值，选择以一第二量偏移该第一电压电平的该第二电压电平，该第二量大于该第一量。5.根据权利要求1所述的方法，其中执行该第二读取操作的步骤包含：基于该差值大于该第一临界值，取得从该存储器阵列中读取的该数据执行的读取操作的一读取操作次数；基于该读取操作次数小于一读取操作的预选临界数目执行该第二读取操作。6.根据权利要求1所述的方法，其中决定瞬时位计数的步骤包含：从该存储器阵列中读取该数据的位的数目；取得对应于该数据的一错误校正码(ECC)值，其中该ECC值是基于该时间被写入到该存储器阵列的该被写入的资料；以及通过结合从该存储器阵列中读取该数据的位的数目以及该ECC值决定该瞬时位计数。7.根据权利要求1所述的方法，其中取得该记录位计数的步骤包含在该记录位计数上执行一ECC检查，该方法更包含：在该被写入的数据被写入到该存储器阵列时计算该记录位计数的一ECC值；在取得该记录位计数...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊雄，陈汉松，林明昭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71