译码方法、内存储存装置及内存控制电路单元制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种译码方法、内存储存装置及内存控制电路单元。此方法包括：程序化可复写式非易失性内存模块的第一记忆胞；基于第一硬决策电压准位读取第一记忆胞以获得第一硬位信息并据以执行硬译码程序；若硬译码程序失败且第一记忆胞属于第一类记忆胞，基于第二硬决策电压准位读取第一记忆胞以获得第二硬位信息并据以执行硬译码程序；若硬译码程序失败且第一记忆胞属于第二类记忆胞，基于多个软决策电压准位读取第一记忆胞以获得软位信息并据以执行软译码程序。藉此，可在译码速度与译码成功率之间取得平衡。

【技术实现步骤摘要】
译码方法、内存储存装置及内存控制电路单元
本专利技术涉及一种译码技术，尤其涉及一种译码方法、内存储存装置及内存控制电路单元。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性内存模块(例如，闪存)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。一般来说，为了确保可复写式非易失性内存模块所储存的数据的正确性，在将某一数据储存至可复写式非易失性内存模块之前，此数据会先被编码。编码后的数据(包含原始数据与错误更正码)会被储存至可复写式非易失性内存模块中。往后，编码后的数据可被从可复写式非易失性内存模块中读取并且被译码，以更正其中可能存在的错误。然而，在译码程序中，若所采用的译码算法的运算复杂度较低，则此译码程序的译码速度较快，但是译码成功率较低；若所采用的译码算法的运算复杂度较高，则此译码程序的译码速度较慢，但是译码成功率则较高。因此，如何在提高译码程序的译码成功率的前提下维持译码速度的稳定，实为所属
的技术人员所致力研究的课题之一。
技术实现思路
本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种译码方法，用于包括多个记忆胞的可复写式非易失性内存模块，其特征在于，所述译码方法包括：程序化所述多个记忆胞中的至少一第一记忆胞；基于第一硬决策电压准位读取所述至少一第一记忆胞以获得第一硬位信息；根据所述第一硬位信息执行硬译码程序并判断所述硬译码程序是否失败；若所述硬译码程序失败，判断所述至少一第一记忆胞属于第一类记忆胞或第二类记忆胞；若所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞，基于第二硬决策电压准位读取所述至少一第一记忆胞以获得第二硬位信息并根据所述第二硬位信息执行所述硬译码程序，其中所述第二硬决策电压准位与所述第一硬决策电压准位不同，其中所述第一硬位信息所包含的第一硬位的总数等于所述第二...

【技术特征摘要】
1.一种译码方法，用于包括多个记忆胞的可复写式非易失性内存模块，其特征在于，所述译码方法包括：程序化所述多个记忆胞中的至少一第一记忆胞；基于第一硬决策电压准位读取所述至少一第一记忆胞以获得第一硬位信息；根据所述第一硬位信息执行硬译码程序并判断所述硬译码程序是否失败；若所述硬译码程序失败，判断所述至少一第一记忆胞属于第一类记忆胞或第二类记忆胞；若所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞，基于第二硬决策电压准位读取所述至少一第一记忆胞以获得第二硬位信息并根据所述第二硬位信息执行所述硬译码程序，其中所述第二硬决策电压准位与所述第一硬决策电压准位不同，其中所述第一硬位信息所包含的第一硬位的总数等于所述第二硬位信息所包含的第二硬位的总数；以及若所述第一记忆胞属于所述第二类记忆胞，基于多个软决策电压准位读取所述至少一第一记忆胞以获得软位信息并根据所述软位信息执行软译码程序，其中所述第二硬位信息所包含的所述第二硬位的总数小于所述软位信息所包含的软位的总数。2.根据权利要求1所述的译码方法，其特征在于，判断所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞或所述第二类记忆胞的步骤包括：若所述至少一第一记忆胞的损耗程度符合预设条件，判定所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞；以及若所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度不符合所述预设条件，判定所述至少一第一记忆胞属于所述第二类记忆胞。3.根据权利要求2所述的译码方法，其特征在于，判断所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞或所述第二类记忆胞的步骤还包括：判断所述至少一第一记忆胞的损耗程度值是否小于默认值；若所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度值小于所述默认值，判定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度符合所述预设条件；以及若所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度值等于或大于所述默认值，判定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度不符合所述预设条件。4.根据权利要求3所述的译码方法，其特征在于，判断所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞或所述第二类记忆胞的步骤还包括：根据所述至少一第一记忆胞的损耗参数决定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度值，其中所述至少一第一记忆胞的所述损耗参数包括抹除计数、程序化计数、读取计数、位错误率、数据储存时间、程序化忙碌时间及重试计数的至少其中之一。5.根据权利要求4所述的译码方法，其特征在于，还包括：当程序化所述至少一第一记忆胞时，记录用于程序化所述至少一第一记忆胞的忙碌时间；以及根据所述忙碌时间决定所述程序化忙碌时间。6.根据权利要求4所述的译码方法，其特征在于，还包括：程序化所述多个记忆胞中的至少一第二记忆胞；读取所述至少一第二记忆胞并对应于所述至少一第二记忆胞执行第一次数的所述硬译码程序；以及根据所述第一次数决定所述重试计数。7.根据权利要求6所述的译码方法，其特征在于，映像至所述至少一第一记忆胞的第一逻辑单元是接续于映像至所述至少一第二记忆胞的第二逻辑单元。8.根据权利要求6所述的译码方法，其特征在于，所述至少一第一记忆胞与所述至少一第二记忆胞属于所述可复写式非易失性内存模块中的同一个实体抹除单元。9.根据权利要求2所述的译码方法，其特征在于，判断所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞或所述第二类记忆胞的步骤还包括：判断所述至少一第一记忆胞的临界电压分布是否符合默认分布；若所述至少一第一记忆胞的所述临界电压分布符合所述默认分布，判定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度符合所述预设条件；以及若所述至少一第一记忆胞的所述临界电压分布不符合所述默认分布，判定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度不符合所述预设条件。10.一种内存储存装置，其特征在于，包括：连接接口单元，用以连接至主机系统；可复写式非易失性内存模块，包括多个记忆胞；以及内存控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性内存模块，其中所述内存控制电路单元用以发送写入指令序列，其用以指示程序化所述多个记忆胞中的至少一第一记忆胞，其中所述内存控制电路单元更用以发送第一硬读取指令序列，其用以指示基于第一硬决策电压准位读取所述至少一第一记忆胞以获得第一硬位信息，其中所述内存控制电路单元更用以根据所述第一硬位信息执行硬译码程序并判断所述硬译码程序是否失败，其中若所述硬译码程序失败，所述内存控制电路单元更用以判断所述至少一第一记忆胞属于第一类记忆胞或第二类记忆胞，其中若所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞，所述内存控制电路单元更用以发送第二硬读取指令序列，其用以指示基于第二硬决策电压准位读取所述至少一第一记忆胞以获得第二硬位信息，其中所述内存控制电路单元更用以根据所述第二硬位信息执行所述硬译码程序，其中所述第二硬决策电压准位与所述第一硬决策电压准位不同，其中所述第一硬位信息所包含的第一硬位的总数等于所述第二硬位信息所包含的第二硬位的总数，其中若所述第一记忆胞属于所述第二类记忆胞，所述内存控制电路单元更用以发送软读取指令序列，其用以指示基于多个软决策电压准位读取所述至少一第一记忆胞以获得软位信息，其中所述内存控制电路单元更用以根据所述软位信息执行软译码程序，其中所述第二硬位信息所包含的所述第二硬位的总数小于所述软位信息所包含的软位的总数。11.根据权利要求10所述的内存储存装置，其特征在于，所述内存控制电路单元判断所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞或所述第二类记忆胞的操作包括：若所述至少一第一记忆胞的损耗程度符合预设条件，判定所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞；以及若所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度不符合所述预设条件，判定所述至少一第一记忆胞属于所述第二类记忆胞。12.根据权利要求11所述的内存储存装置，其特征在于，所述内存控制电路单元判断所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞或所述第二类记忆胞的操作还包括：判断所述至少一第一记忆胞的损耗程度值是否小于默认值；若所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度值小于所述默认值，判定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度符合所述预设条件；以及若所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度值等于或大于所述默认值，判定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度不符合所述预设条件。13.根据权利要求12所述的内存储存装置，其特征在于，所述内存控制电路单元判断所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞或所述第二类记忆胞的操作还包括：根据所述至少一第一记忆胞的损耗参数决定所述至少一第一记忆...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纬，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71