自刷新控制装置以及易失性半导体存储器装置制造方法及图纸

一种自刷新控制装置以及易失性半导体存储器装置。该自刷新控制装置，用于具备自刷新控制电路的易失性半导体存储器装置，所述自刷新控制电路用于基于来自自刷新计时器的第1控制信号来控制易失性半导体存储器装置的自刷新，所述自刷新控制装置包括：逻辑电路，在测试模式下，使外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路。此处，所述逻辑电路在测试模式下，取代所述第1控制信号而使所述外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路。而且，所述逻辑电路取代所述第1控制信号而使所述外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路，藉此来使所述自刷新计时器的动作无效。

【技术实现步骤摘要】
自刷新控制装置以及易失性半导体存储器装置
本专利技术例如涉及一种用于动态存取存储器(dynamicaccessmemory)(以下称作DRAM)等易失性半导体存储器装置的自刷新(selfrefresh)控制装置、以及使用该自刷新控制电路的易失性半导体存储器装置。
技术介绍
近来，移动电话等个人电子机器正在普及，这些电子机器一般利用电池(battery)来工作。个人电子机器内的DRAM必须藉由所述电池来保持使用自刷新而保存的数据。因而，必须提供一种能以进一步降低的耗电量来执行自刷新功能的电子机器。一般而言，在DRAM中，在藉由冗余存储器来进行修复(repair)之前无法进行自刷新的测试(test)。其原因在于，自刷新计时器(refreshtimer)必须藉由对芯片上(onchip)的计时器电路进行保险丝(fuse)电路的修复来最佳化。因而，保证自刷新的唯一方法是藉由暂停测试(pausetest)来进行测试。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]美国专利申请公开第2005/0068829号说明书[专利文献2]日本专利特开平5-274873号公报[专利文献3]日本专利特开平8-3155本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自刷新控制装置，用于具备自刷新控制电路的易失性半导体存储器装置，所述自刷新控制电路用于基于来自自刷新计时器的第1控制信号来控制所述易失性半导体存储器装置的自刷新，所述自刷新控制装置的特征在于包括：逻辑电路，在测试模式下，使外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路。

【技术特征摘要】
2016.03.01 JP 2016-0393401.一种自刷新控制装置，用于具备自刷新控制电路的易失性半导体存储器装置，所述自刷新控制电路用于基于来自自刷新计时器的第1控制信号来控制所述易失性半导体存储器装置的自刷新，所述自刷新控制装置的特征在于包括：逻辑电路，在测试模式下，使外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路。2.如权利要求1所述的自刷新控制装置，其中所述逻辑电路在所述测试模式下，取代所述第1控制信号而使所述外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：吉冈重实，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71