闪速存储器制造技术

本发明专利技术提供一种闪速存储器。为了降低制造成本，该闪速存储器包括：存储器单元阵列，由以矩阵形状布置的多个存储器单元形成；多条字线，设置在所述存储器单元阵列的各列中；第一字线驱动器，向各条字线输出第一电压组；以及第二字线驱动器，与所述第一字线驱动器一起向各条字线输出第二电压组。

Flash memory

The present invention provides a flash memory. In order to reduce the manufacturing cost, the flash memory includes a memory cell array formed by a plurality of memory cells arranged in a matrix shape; a plurality of word lines arranged in the array of memory cells in each column; the first word line driver output voltage, the first group to each of the word lines; and a second word line driver. The driver and the first word line to the word line voltage output second groups.

【技术实现步骤摘要】
闪速存储器相关申请的交叉引用于2016年2月16日提交的日本专利申请No.2016-026690的公开，包括说明书、附图和摘要，整体以引用方式并入本文。
本专利技术涉及闪速存储器，例如，一种适合于降低制造成本的闪速存储器。
技术介绍
在闪速存储器中，必须对存储器单元施加高压以便重写存储在存储器单元中的数据。因此，必须利用具有足以承受高压的耐压的MOS晶体管(高击穿电压晶体管)来形成诸如用于驱动高压的字线驱动器的外围电路。
技术实现思路
当形成使用高击穿电压的字线驱动器时，与形成大部分外围电路中所使用的低击穿电压晶体管的工艺分离地，安装有闪速存储器的半导体器件的制造工艺需要形成高击穿电压晶体管的工艺。因此，存在诸如在形成使用高击穿电压晶体管的字线驱动器的方法中制造成本增加的问题。根据闪速存储器的面积占据半导体器件的芯片面积的比率减小，制造成本的增加变得显著。其它问题和新颖特征将从说明书和附图的描述显而易见。根据一个实施方式，一种闪速存储器包括：存储器单元阵列，其由以矩阵形状布置的多个存储器单元形成；多条字线，其被设置在存储器单元阵列的各列中；第一字线驱动器，其向各条字线输出第一电压组；以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪速存储器，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列由以矩阵形状布置的多个存储器单元形成；多条字线，所述多条字线设置在所述存储器单元阵列的每列中；第一字线驱动器，所述第一字线驱动器向所述字线的每条字线输出第一电压组；以及第二字线驱动器，所述第二字线驱动器与所述第一字线驱动器一起向所述字线的每条字线输出第二电压组。

【技术特征摘要】
2016.02.16 JP 2016-0266901.一种闪速存储器，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列由以矩阵形状布置的多个存储器单元形成；多条字线，所述多条字线设置在所述存储器单元阵列的每列中；第一字线驱动器，所述第一字线驱动器向所述字线的每条字线输出第一电压组；以及第二字线驱动器，所述第二字线驱动器与所述第一字线驱动器一起向所述字线的每条字线输出第二电压组。2.根据权利要求1所述的闪速存储器，其中，所述第一字线驱动器和所述第二字线驱动器相对地布置，所述存储器单元阵列介于所述第一字线驱动器和所述第二字线驱动器之间。3.根据权利要求1所述的闪速存储器，其中，形成所述第一字线驱动器和所述第二字线驱动器的每个晶体管的耐压小于形成所述存储器单元阵列的每个晶体管的耐压。4.根据权利要求1所述的闪速存储器，其中，形成所述第一字线驱动器和所述第二字线驱动器的每个晶体管的耐压与形成除所述存储器单元阵列以外的外围电路的每个晶体管的耐压相同。5.根据权利要求1所述的闪速存储器，其中，所述第一字线驱动器包括多个第一电平移位器，所述多个第一电平移位器各自设置在对应的所述字线中；多个反相器，所述多个反相器驱动各第一电平移位器的输出，以及多个第一电压缓和晶体管，所述多个第一电压缓和晶体管使施加至各反相器的电压缓和。6.根据权利要求5所述的闪速存储器，其中，所述第一电压缓和晶体管是设置在各反相器的输出级中的N沟道型MOS晶体管。7.根据权利要求6所述的闪速存储器，其中，所述反相器被分别地形成在多个P阱上，所述多个P阱单独地设置在作为存储器数据同时擦除的目标的所述存储器单元的每一个单位中，并且其中，所述第一字线驱动器包括所述P阱，并且还包括多个第二电平移位器，所述多个第二电平移位器向各PMOS和NMOS晶体管当中的所述NMOS晶体管的每个源极供应公共电位，所述PMOS和NMOS晶体管用于形成在上述P阱上形成的各反相器。8.根据权利要求6所述的闪速存储器，其中，所述反相器全部形成在公共的P阱上，并且其中，公共电位被供应给所述公共的P阱以及形成各反相器的各PMOS和NMOS晶体管当中的所述NMOS晶体管的每个源极。9.根据权利要求5所述的闪速存储器，其中，所述反相器被分别地形成多个P阱上，所述多个P...

【专利技术属性】
技术研发人员：松原谦，岩濑贵司，中西悟，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP