一种精准获取LLR信息的应用方法技术

本发明专利技术公开了一种精准获取LLR信息的应用方法,其特征在于包括统计样本选取，计算每个样本的Optimal Vref,通过设置多级多bit的读电压，分别计算每级读电压对应的LLR信息，并进行多bit LDPC译码，通过比较不同读电压对应的多bit LDPC译码的迭代次数和译码结果，将迭代次数最少且译码正确的读电压记录为多bit的最优读电压，对应的LLR信息为该批次产品的初始LLR信息,该批次产品默认有限采用该最优读电压读取数据，采用所述初始LLR信息对数据进行译码。通过增加统计获取经验值，作为正常译码时的参数，保证正常的读写NAND的效率，当正常译码失败需要进行数据恢复时，该方案可以估计更准确的多bit LLR信息，降低误码率，实现数据恢复。

An application method of precise access to LLR information

The invention discloses a method to obtain precise information of LLR, which is characterized by comprising the statistical sample, calculated for each sample Optimal Vref, by reading the voltage setting multistage bit, were calculated for each level read voltage corresponding to the LLR information, and multi bit LDPC decoding, through iterative multi bit comparison of different LDPC decoding read voltage corresponding to the number of times and the decoding results will read voltage record minimum number of iterations for decoding is correct and optimal bit read voltage corresponding to the LLR information for the initial batch of the product LLR information, the batch of products using the default limited optimal read voltage read data, using data decoding the initial LLR information. By increasing the statistical value of gaining experience, as the parameters of normal decoding efficiency, ensure the normal read and write NAND, when the normal decoding failure data recovery, the scheme can estimate bit LLR information more accurately, reduce the error rate, achieve data recovery.

【技术实现步骤摘要】
一种精准获取LLR信息的应用方法
本专利技术涉及信息存储领域，尤其涉及一种精准获取NANDFLASH的LLR信息的应用方法。
技术介绍
目前的NANDFLASH控制器NFC(NandFlashControler)中已经开始使用低密度奇偶校验码LDPC(Low-densityParity-check)码作为纠错码。与BCH码(Bose、Ray-Chaudhuri与Hocquenghem的缩写，BCH码是用于校正多个随机错误模式的多级、循环、错误校正、变长数字编码)相比，LDPC码在纠错能力方面有更大的优势，尤其是多bitLDPC。从NandFLASH中获取对数似然比LLR(LogLikelihoodRatios)信息的精准度直接影响LDPC译码的效果。目前是根据NandFlash厂商提供的LLR进行译码，或者不断尝试用不同的LLR进行译码，并没有一套有效获取LLR的解决方案，获取的LLR的精度都不高，因此也影响了LDPC的译码效果。
技术实现思路
针对以上缺陷，本专利技术目的在于如何精准的获取NandFLASH中的LLR信息，进而实现估算多bitLLR信息的。为了实现上述目的，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种精准获取LLR信息的应用方法,其特征在于包括统计样本选取，计算每个样本的Optimal Vref,通过设置多级多bit的读电压，将cell电压分布分为多个区域，计算每个区域对应的LLR信息，并进行多bit LDPC译码，通过比较不同读电压对应的多bit LDPC译码的迭代次数和译码结果，将迭代次数最少且译码正确的读电压记录为多bit的最优读电压，对应的LLR信息为该批次产品的初始LLR信息,该批次产品默认有限采用该最优读电压读取数据，采用所述初始LLR信息对数据进行译码。

【技术特征摘要】
1.一种精准获取LLR信息的应用方法,其特征在于包括统计样本选取，计算每个样本的OptimalVref,通过设置多级多bit的读电压，将cell电压分布分为多个区域，计算每个区域对应的LLR信息，并进行多bitLDPC译码，通过比较不同读电压对应的多bitLDPC译码的迭代次数和译码结果，将迭代次数最少且译码正确的读电压记录为多bit的最优读电压，对应的LLR信息为该批次产品的初始LLR信息,该批次产品默认有限采用该最优读电压读取数据，采用所述初始LLR信息对数据进行译码。2.根据权利要求1所述的精准获取LLR信息的应用方法，其特征在于当对某个字线的数据读取时，采用初始LLR信息对数据进行译码失败时，则增加数据恢复操作，所述数据恢复操作包括选取出现译码失败字线的同一个物理块中可以译码成功的其它字线作为恢复参考样本，计算恢复参考样本的OptimalVref,通过设置多级多bit的读电压，将cell电压分布分为多个区域，计算每个区域对应的LLR信息，并进行多bitLDPC译码，通过比较不同读电压对应的多bitLDPC译码的迭代次数和译码结果，将迭代次数最少且译码正确的读电压记录为该字线对应的多bit的最优恢复读电压，对应的LLR信息为恢复LLR信息,采用所述恢复LLR信息和最优恢复读电压对译码失败的字线进行读取和译码。3.根据权利要求2所述的精准获取LLR信息的应用方法，其特征在于多bit同一个存储单元的电压根...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭超，伦建坤，
申请(专利权)人：记忆科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44