布线基板、具有布线基板的半导体封装件及其制造方法技术

本发明专利技术提供能够施加大电流的厚的布线层与能够进行精密加工的薄的布线层共存于同一层的布线基板及其制造方法。本发明专利技术提供布线基板，上述布线基板具有：绝缘膜，位于第一布线上，且具有通孔；以及绝缘膜上的第二布线。第二布线具有包括第一层和位于第一层上且与第一层相接的第二层的层叠结构。第二层在通孔中与第一布线直接相接。与第一层重叠的区域中的第二层的厚度与在通孔内的第二层的厚度不同。

【技术实现步骤摘要】
布线基板、具有布线基板的半导体封装件及其制造方法
本专利技术涉及布线基板、具有上述布线基板的半导体封装件或层叠型半导体封装件及它们的制造方法。例如，本专利技术涉及由大电流驱动的功率器件用的布线基板、具有上述布线基板的半导体封装件或层叠型半导体封装件、以及它们的制造方法。
技术介绍
功率器件是以电力的转换和控制为基本功能的半导体器件。上述功率器件不仅用于家电或OA(办公自动化)机器所使用的逆变器或小型电机中，而且在发电厂的电力系统、电车或汽车等的电机驱动系统等中的电力的转换或控制的方面也承担重要的作用。与显示器等中使用的薄膜晶体管等的半导体器件不同，功率器件由高电压驱动，并要施加大电流。因此，一直在进行关于由大电流引起的布线的发热的对策研究(参见日本特开2013-219267号公报、日本特开2005-79462号公报及日本特开2015-162516号公报)。
技术实现思路
在本专利技术的一个实施方式中，布线基板具有：绝缘膜，位于第一布线上，且具有通孔(via)；以及绝缘膜上的第二布线。第二布线具有包括第一层及覆盖第一层的第二层的层叠结构。第二层在通孔处与第一布线直接相接。与第一层重叠的区域中的第二层的厚度与在通孔内的第二层的厚度不同。在上述实施方式中，在通孔内的第二层的膜厚可以大于与第一层重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层的膜厚可以大于与第一层重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层和第二层可以包含铜。第一层与第二层的电导率可以互不相同。绝缘膜的上表面在通孔与第一层之间可以具有凹部。在本专利技术的一个实施方式中，布线基板具有：绝缘膜，位于第一布线上，且具有通孔；以及绝缘膜上的第二布线。第二布线具有层叠结构，上述层叠结构包括：第二层，在通孔中与第一布线直接相接；以及第一层，位于第二层，且与第二层电连接。与绝缘膜重叠的区域中的第二层的厚度与在通孔内的第一层的厚度不同。在上述实施方式中，通孔内的第二层的膜厚可以大于与绝缘膜重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层的膜厚可以大于与绝缘膜重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层和第二层可以包含铜。第一层与第二层的电导率可以互不相同。在本专利技术的一个实施方式中，半导体封装件具有：半导体器件，具有端子；绝缘膜，位于上述端子上，且具有通孔；以及绝缘膜上的布线。布线具有包括第一层和覆盖第一层的第二层的层叠结构。第二层在通孔中与端子直接相接，与第一层重叠的区域中的第二层的厚度与在通孔内的第二层的厚度不同。在上述实施方式中，通孔内的第二层的膜厚可以大于与第一层重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层的膜厚可以大于与第一层重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层和第二层可以包含铜。第一层与第二层的电导率可以互不相同。绝缘膜的上表面在通孔与第一层之间可以具有凹部。在本专利技术的一个实施方式中，半导体封装件具有：半导体器件，位于第一布线上，且具有第一端子和第二端子；绝缘膜，位于第二端子上，且具有通孔；以及绝缘膜上的第二布线。第二布线具有层叠结构，上述层叠结构包括：第二层，在通孔中与第二端子直接相接；以及第一层，位于第二层，且与第二层电连接。与绝缘膜重叠的区域中的第二层的厚度与在通孔内的第二层的厚度不同。在上述实施方式中，通孔内的第二层的膜厚可以大于与绝缘膜重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层的膜厚可以大于与绝缘膜重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层和第二层可以包含铜。第一层与第二层的电导率可以互不相同。本专利技术的一个实施方式提供布线基板的制造方法。上述布线基板的制造方法包括以下步骤：在第一布线上形成绝缘膜；以及在上述绝缘膜上形成具有第一层和第二层的第二布线层。第二布线的形成包括以下步骤：通过将金属板接合于上述绝缘膜来形成上述第二层；在上述第二层中形成开口部来露出上述绝缘膜；在上述绝缘膜中形成通孔来露出上述第一布线；以及以位于上述第一布线和上述第二层上且与上述第一布线和上述第二层直接相接的方式，利用电解镀法形成上述第一层。在上述实施方式中，通孔内的第二层的膜厚可以大于与第一层重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层的膜厚可以大于与第一层重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层和第二层可以包含铜。第一层与第二层的电导率可以互不相同。本专利技术的一个实施方式提供布线基板的制造方法。上述布线基板的制造方法包括以下步骤：在第一布线上形成绝缘膜；在上述绝缘膜中形成通孔来露出上述第一布线；以及在上述绝缘膜上形成具有第一层和第二层的第二布线。第二布线的形成包括以下步骤：以位于上述第一布线和上述绝缘膜上且与上述第一布线和上述绝缘膜相接的方式，利用电解镀法形成上述第二层；以及通过在上述第二层之上设置金属板，以与上述第二层电连接的方式形成上述第一层。在上述实施方式中，通孔内的第二层的膜厚可以大于与绝缘膜重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层的膜厚可以大于与绝缘膜重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层和第二层可以包含铜。第一层与第二层的电导率可以互不相同。本专利技术的一个实施方式提供半导体封装件的制造方法。上述半导体封装件的制造方法包括以下步骤：在第一布线上设置具有第一端子和第二端子的半导体器件；在上述第二端子上形成绝缘膜；以及在上述绝缘膜上形成具有第一层和第二层的第二布线。第二布线的形成包括以下步骤：通过将金属板接合于上述绝缘膜来形成上述第二层；在上述第二层中形成开口部来露出上述绝缘膜；在上述绝缘膜中形成通孔来露出上述第一布线；以及以位于上述第一布线和上述第二层上且与上述第一布线和上述第二层直接相接的方式，利用电解镀法形成上述第一层。在上述实施方式中，在通孔内的第二层的膜厚可以大于与第一层重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层的膜厚可以大于与第一层重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层和第二层可以包含铜。第一层与第二层的电导率可以互不相同。绝缘膜的上表面在通孔与第一层之间可以具有凹部。本专利技术的一个实施方式提供半导体封装件的制造方法。上述半导体封装件的制造方法包括以下步骤：在第一布线上形成具有第一端子和第二端子的半导体器件；在上述第二端子上形成绝缘膜；以及在上述绝缘膜上形成具有第一层和第二层的第二布线。第二布线的形成包括以下步骤：以位于上述第一布线和上述绝缘膜上且与上述第一布线和上述绝缘膜相接的方式，利用电解镀法形成上述第二层；以及通过在上述第二层之上设置金属板，以与上述第二层电连接的方式形成上述第一层。在上述实施方式中，通孔内的第二层的膜厚可以大于与绝缘膜重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层的膜厚可以大于与绝缘膜重叠的区域中的第二层的膜厚。第一层和第二层可以包含铜。第一层与第二层的电导率可以互不相同。附图说明图1A至图1E为示出本专利技术的一个实施方式的布线基板及其制造方法的图。图2A至图2D为示出本专利技术的一个实施方式的布线基板及其制造方法的图。图3A至图3D为示出本专利技术的一个实施方式的布线基板及其制造方法的图。图4A、图4B为示出本专利技术的一个实施方式的布线基板及其制造方法的图。图5A至图5C为示出本专利技术的一个实施方式的半导体封装件及其制造方法的图。图6A至图6C为示出本专利技术的一个实施方式的半导体封装件及其制造方法的图。图7A至图7C为示出本专利技术的一个实施方式的半导体封装件及其制造方法的图。图8A至图8C为示出本专利技术的一个实施方式的半导体封装件及其制造方法的图。图9A、图9B为示出本专利技术的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种布线基板，具有：第一布线；绝缘膜，位于上述第一布线上，且具有通孔；以及上述绝缘膜上的第二布线，上述第二布线具有层叠结构，上述层叠结构包括第一层和覆盖上述第一层的第二层，上述第二层在上述通孔处与上述第一布线直接相接，与上述第一层重叠的区域中的上述第二层的膜厚与上述通孔内的上述第二层的膜厚不同。

【技术特征摘要】
2015.12.11 JP 2015-2419071.一种布线基板，具有：第一布线；绝缘膜，位于上述第一布线上，且具有通孔；以及上述绝缘膜上的第二布线，上述第二布线具有层叠结构，上述层叠结构包括第一层和覆盖上述第一层的第二层，上述第二层在上述通孔处与上述第一布线直接相接，与上述第一层重叠的区域中的上述第二层的膜厚与上述通孔内的上述第二层的膜厚不同。2.根据权利要求1所述的布线基板，其中，上述通孔内的上述第二层的膜厚大于与上述第一层重叠的上述区域中的上述第二层的膜厚。3.根据权利要求1所述的布线基板，其中，上述第一层的膜厚大于与上述第一层重叠的上述区域中的上述第二层的膜厚。4.根据权利要求1所述的布线基板，其中，上述绝缘膜的上表面在上述通孔与上述第一层之间具有凹部。5.一种布线基板，具有：第一布线；绝缘膜，位于上述第一布线上，且具有通孔；以及上述绝缘膜上的第二布线，上述第二布线具有层叠结构，上述层叠结构包括：第二层，在上述通孔中与上述第一布线直接相接；以及第一层，位于上述第二层上，且与上述第二层电连接，与上述绝缘膜重叠的区域中的上述第二层的膜厚与上述通孔内的上述第一层的膜厚不同。6.根据权利要求2所述的布线基板，其中，上述通孔内的上述第二层的膜厚大于与上述绝缘膜重叠的上述区域中的上述第二层的膜厚。7.根据权利要求2所述的布线基板，其中，上述第一层的膜厚大于与上述绝缘膜重叠的上述区域中的上述第二层的膜厚。8.一种半导体封装件，具有：半导体器件，具有端子；绝缘膜，位于上述端子上，且具有通孔；以及上述绝缘膜上的布线，上述布线具有层叠结构，上述层叠结构包括第一层和覆盖上述第一层的第二层，上述第二层在上述通孔处与上述端子直接相接，与上述第一层重叠的区域中的上述第二层的膜厚与上述通孔内的上述第二层的膜厚不同。9.根据权利要求8所述的布线基板，其中，上述通孔内的上述第二层的膜厚大于与上述第一层重叠的上述区域中的上述第二层的膜厚。10.根据权利要求8所述的布线基板，其中，上述第一层的膜厚大于与上述第一层重叠的上述区域中的上述第二层的膜厚。11.根据权利要求8所述的布线基板，其中，上述绝缘膜的上表面在上述通孔与上述第一层之间具有凹部。12.一种半导体封装件，具有：半导体器件，具有端子；绝缘膜，位于上述端子上，且具有通孔；以及上述绝缘膜上的布线，上述布线具有层叠结构，上述层叠结构包括：第二层，在上述通孔中与上述端子直接相接；以及第一层，位于上述第二层上，且与上述第二层电连接，与上述绝缘膜重叠的区域中的上述第二层的膜厚与上述通孔内的上述第二层的膜厚不同。13.根据权利要求12所述的布线基板，其中，上述通孔内的上述第二层的膜厚大于与上述绝缘膜重叠的上述区域中的上述第二层的膜厚。14.根据权利要求12所述的布线基板，其中，上述第一层的膜厚大于与上述绝缘膜重叠的上述区域中的上述第二层的膜厚。15.一种布线基板的制造方法，包括以下步骤：在第一布线上形成绝缘膜；以及在上述绝缘膜上形成具有第一层和第二层的第二布线，上述第二布线通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：林直毅，
申请(专利权)人：株式会社吉帝伟士，
类型：发明
国别省市：日本,JP