半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够防止基板的周边部的破裂、缺口的损伤，并且，防止突起电极的损伤的半导体装置及其制造方法。半导体装置（10）在半导体晶圆（12）的主面（12A）的中央部（14）具备元件形成区域（20）。在元件形成区域（20）配设有突起电极（44）。另一方面，在半导体晶圆（12）的主面（12A）的周边部（16）配设有虚拟突起电极（44D）。虚拟突起电极（44D）与元件形成区域（20）和周边部（16）的边界部分的三角形（60）重复地配设。虚拟突起电极（44D）在半导体晶圆（12）的背面的背面研磨处理中，防止周边部的破裂、缺口等损伤。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
专利文献1公开了晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP：WaferLevelChipSizePackage)的半导体装置的制造方法。在该半导体装置的制造方法中，最初，形成在有源面(表面)上排列了凸块电极的IC晶圆，在有源面上在IC晶圆的周边部分粘贴支承部件。并且，以覆盖凸块电极的方式在支承部件上粘贴背面研磨用保护带。在由保护带保护有源面的状态下通过背面研磨工序磨削IC晶圆的无源面(背面)，IC晶圆的厚度变薄。若背面研磨工序结束，则剥离保护带以及支承部件。根据这样的半导体装置的制造方法，在周边部分被支承部件机械地支承的状态下磨削IC晶圆的无源面，所以不容易产生IC晶圆的周边部分的破裂、缺口。专利文献1：日本特开2004－288725公报在上述半导体装置的制造方法中，在IC晶圆的有源面上形成了凸块电极之后，在IC晶圆的周边部分粘贴支承部件。在粘贴支承部件时，存在支承部件与凸块电极接触，而给予凸块电极损伤的可能性。另外，在上述半导体装置的制造方法中，除了保护带的粘贴工序之外还需要支承部件的粘贴工序，所以制造工序数目增加。因此，存在改善的余地。
技术实现思路
本专利技术考虑上述事实，提供能够防止基板的周边部的破裂、缺口的损伤且防止突起电极的损伤的半导体装置。另外，本专利技术提供能够防止基板背面的磨削所引起的基板的破裂、缺口的损伤，并使制造工序数目减少，能够实现基板的轻薄化的半导体装置的制造方法。本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置具备：基板，在主面的中央部，在第一方向配设n个矩形平面状的第一元件形成区域，并且，与上述第一元件形成区域在与第一方向交叉的第二方向上邻接来在第一方向配设n+m个与上述第一元件形成区域相同形状的第二元件形成区域；突起电极，在上述第一元件形成区域上以及上述第二元件形成区域上分别形成多个突起电极；以及虚拟突起电极，在上述主面的周边部，与三角形重复地形成多个虚拟突起电极，由与该周边部成为边界的上述第一元件形成区域的第一边和经由一角与该第一边邻接且与该周边部成为边界的上述第二元件形成区域的第二边确定上述三角形。另外，本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置的制造方法具备：准备基板，在上述基板主面的中央部，在第一方向形成有n个矩形平面状的第一元件形成区域，并与上述第一元件形成区域在与第一方向交叉的第二方向上邻接来在第一方向形成n+m个与上述第一元件形成区域相同形状的第二元件形成区域；在上述第一元件形成区域上以及上述第二元件形成区域上分别形成多个突起电极，并且在上述主面的周边部，与三角形重复地形成多个虚拟突起电极的突起电极形成工序，由与该周边部成为边界的上述第一元件形成区域的第一边和经由一角与该第一边邻接且与该周边部成为边界的上述第二元件形成区域的第二边确定上述三角形；在上述主面的整个区域粘贴覆盖上述突起电极以及上述虚拟突起电极的保护带的保护带粘贴工序；以及在粘贴了上述保护带的状态下，磨削上述基板的与上述主面对置的背面，使该基板的厚度变薄的薄膜化工序。根据本专利技术，能够提供能够防止基板的周边部的破裂、缺口的损伤且防止突起电极的损伤的半导体装置。另外，根据本专利技术，能够提供能够防止基板背面的磨削所引起的基板的破裂、缺口的损伤，并使制造工序数目减少，能够实现基板的轻薄化的半导体装置的制造方法。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式所涉及的半导体装置的主要部分剖视图(在图3的A－A线切割的剖视图)。图2是图1所示的半导体装置的整体的俯视图。图3是图2所示的半导体装置的主要部分的放大俯视图(在图2附加符号B并由虚线包围的区域的放大俯视图)。图4是说明第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的与图1对应的第一工序剖视图。图5是第二工序剖视图。图6是第三工序剖视图。图7是第四工序剖视图。图8是第五工序剖视图。图9是第六工序剖视图。图10是第七工序剖视图。图11是第八工序剖视图。图12是第九工序剖视图。图13是第十一工序剖视图。图14是第十二工序剖视图。图15是背面研磨处理时的第一实施方式所涉及的半导体装置的主要部分的放大工序剖视图。图16是说明在第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法中，通过背面研磨处理形成的切削痕与虚拟突起电极的配置位置的关系的与图2对应的半导体装置的示意俯视图。图17是背面研磨处理时的比较例所涉及的半导体装置的主要部分的放大工序剖视图。图18是表示在第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法中，背面研磨处理时的基板的厚度与损伤产生率的关系的图。图19是本专利技术的第二实施方式所涉及的半导体装置的与图3对应的主要部分的放大俯视图。符号说明：10…半导体装置，12…半导体晶圆(基板)，12A…主面，12B…背面，12D…磨削痕，14…中央部，16…周边部，20…元件形成区域，20A…第一边，20B…第二边，20C…一角，42…外部电极焊盘，42D…虚拟电极焊盘，44…突起电极，44D…虚拟突起电极，50…保护带，52…背面研磨轮，54…磨削磨石，60…三角形。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置及其制造方法进行说明。此外，在全部的实施方式中，对实质上具有同等功能的构成元件附加同一符号，并省略重复的说明。[第一实施方式]使用图1～图18，对本专利技术的第一实施方式所涉及的半导体装置及其制造方法进行说明。这里，第一实施方式所涉及的半导体装置及其制造方法以将本专利技术应用于具有晶圆级芯片尺寸封装结构的半导体装置及其制造方法为例进行说明。(半导体装置的结构)如图1～图3所示，本实施方式所涉及的半导体装置10具备作为基板的半导体晶圆12。在本实施方式中，半导体晶圆12使用单晶硅晶圆。如图2所示，半导体晶圆12在俯视时形成为圆形形状。而且，在半导体晶圆12的周边的一部分(图2下侧)形成有在制造、输送时作为定位使用的定向平面12C。半导体晶圆12在后述的背面研磨处理前例如设定为600μm～650μm的厚度。在背面研磨处理后，半导体晶圆12变薄至200μm以下，优选变薄至150μm以下的厚度。在半导体晶圆12的主面12A的中央部14在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向配设有多个重复具有成为图案的基本的相同的矩形平面状的元件形成区域20。在元件形成区域20安装有包含省略图示的逻辑电路以及存储电路的至少一个集成电路。另外，集成电路通过包含开关元件、电阻、电容以及布线而构建。多个元件形成区域20作为通过切割处理(切割加工)切断半导体晶圆12并芯片化的半导体装置10形成，或者将半导体晶圆12保持原样而作为晶圆级的半导体装置10形成。这里，第一方向是图2以及图3所示的X方向，例如是行方向。另外，第二方向是与X方向正交的Y方向，例如是列方向。如图2所示，在半导体晶圆12的中央部14的成为最上段的第一段，作为第一元件形成区域，在第一方向配设有n个元件形成区域20(1，1)～元件形成区域20(1，n)。这里，“n”是除了零之外的自然数，虽然并不限定于该数，但在本实施方式中设定为“6”。在与该第一元件形成区域在第二方向邻接的下一段的第二段，作为第二元件形成区域，在第一方向配设有n+m个元件形成区域20(2，1)～元件形成区域20(2，n+m)。这里，“m”是除了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板，在主面的中央部，在第一方向配设n个矩形平面状的第一元件形成区域，并且，与上述第一元件形成区域在与第一方向交叉的第二方向上邻接来在第一方向配设n+m个与上述第一元件形成区域相同形状的第二元件形成区域；突起电极，在上述第一元件形成区域上以及上述第二元件形成区域上分别形成多个突起电极；以及虚拟突起电极，在上述主面的周边部，与三角形重复地形成多个虚拟突起电极，由与该周边部成为边界的上述第一元件形成区域的第一边和经由一角与该第一边邻接且与该周边部成为边界的上述第二元件形成区域的第二边确定上述三角形。

【技术特征摘要】
2015.09.28 JP 2015-1902001.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板，在主面的中央部，在第一方向配设n个矩形平面状的第一元件形成区域，并且，与上述第一元件形成区域在与第一方向交叉的第二方向上邻接来在第一方向配设n+m个与上述第一元件形成区域相同形状的第二元件形成区域；突起电极，在上述第一元件形成区域上以及上述第二元件形成区域上分别形成多个突起电极；以及虚拟突起电极，在上述主面的周边部，与三角形重复地形成多个虚拟突起电极，由与该周边部成为边界的上述第一元件形成区域的第一边和经由一角与该第一边邻接且与该周边部成为边界的上述第二元件形成区域的第二边确定上述三角形。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在上述基板的与上述主面对置的背面，形成沿上述第一边或者上述第二边延伸的磨削痕。3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，在上述第一元件形成区域以及上述第二元件形成区域，分别在上述突起电极下配设多个与该突起电极电连接的外部电极焊盘，在上述周边部，在上述虚拟突起电极下配设多个与该虚拟突起电极连接的虚拟电极焊盘。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在上述周边部，在不...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤弘和，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP