半导体装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置以及电子设备，不增加像素尺寸而与以往相比能够增加电容元件的电容。像素(10)具备：形成在半导体基板(21)上且避开形成有光电二极管(11)的区域并且形成在形成有读出电路(12)的区域的下部金属电极(41)、上部金属电极(43)以及电容器绝缘膜(42)，至少一个接触件(44、45)，将下部金属电极(41)和金属布线(40)电连接；以及至少一个接触件(46)，将上部金属电极(43)和金属布线(40)电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置以及电子设备。

技术介绍

1、在光传感器元件中，采用在最上层形成遮光金属以使模拟电路部的晶体管不会错误动作的构造(参照专利文献1、2)。该构造是为了通过使光从表面侧入射，利用光电二极管接受光，并对其进行光电变换而对电信号进行处理。为了处理电信号，在传感器的像素内配置晶体管等，构成读出用的模拟电路，但若光入射到晶体管部，则晶体管错误动作，因此遮光金属形成为使光不入射到晶体管部。

2、专利文献1：日本特开2006-294963号公报

3、专利文献2：日本专利第6986857号公报

4、另一方面，来自光电二极管的电信号的储存、cds(相间二重采样)电路等需要电容元件，因此mos(metal-oxide-semiconductor：金属氧化物半导体)电容器或者mim(metal-insulator-metal：金属-绝缘体-金属)电容器等搭载在像素内。然而，这些元件需要硅上的面积或者布线区域的面积，因此像素尺寸变大。

技术实现思路

1、本专利技术是鉴于上述的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

9.一种电子设备，其具备：

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1至4中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷畑笃史，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：