半导体装置制造方法及图纸

提供不具有接合不良的半导体装置。半导体装置具备与半导体芯片分离地配设的金属框架和经由第一接合材料与半导体芯片连接并经由第二接合材料与金属框架连接的金属连接器，金属框架具备配设有第二接合材料的配设面和与该配设面邻接且相对于该配设面以规定角度倾斜的倾斜面，金属连接器具备与第一接合材料连接且成为一个端部的第一部分、与该第一部分一体地连接且形成为朝向金属框架立起的第二部分、与该第二部分一体地连接且成为另一个端部的第三部分、形成于该第三部分且与第二接合材料连接的连接面、形成于该第三部分、与该连接面邻接且与金属框架的倾斜面对置的另一端侧面和开设于该另一端侧面并且沿该第三部分的厚度方向贯通的缺口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

1、以往，在使用焊料等接合材料将si半导体芯片等接合于由铜等形成的引线框架以及包含栅极连接器在内的各种连接器、之后利用树脂进行模塑密封而制造的半导体封装中，在接合工序中使用使焊料热粘的回流炉。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2010-123686号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、当在回流炉内对半导体芯片接合例如栅极连接器时，在栅极连接器的引线框架连接侧的端部的侧面和与该侧面对置的引线框架的倾斜面之间，有时会产生熔融而绕到该侧面的焊料的表面张力。并且，由于该表面张力作用于栅极连接器，因此栅极连接器的引线框架连接侧有时会被向下方拉拽。其结果是，有可能产生栅极连接器的与半导体芯片连接的一侧翘起的现象、即所谓曼哈顿现象，引起栅极连接器与半导体芯片的接合不良。

3、因此，存在如下课题：提供一种不具有由栅极连接器的曼哈顿现象引起的接合不良的半导体装置。

4、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口翔，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：