【技术实现步骤摘要】
本公开一般涉及电子器件，并且更具体地涉及射频(rf)开关电路中的静电放电(esd)保护。
技术介绍
1、无线电系统是以大约3千赫兹(khz)到300千兆赫(ghz)的rf范围内的电磁波形式发送和接收信号的系统。无线电系统通常用于无线通信，蜂窝/无线移动技术是一个突出的例子，但也可以用于诸如有线电视的有线通信。在这两种类型的系统中，其中各种部件的线性起着至关重要的作用。
2、rf开关通常用于无线电收发器和无线通信系统中，以通过传输路径路由rf信号。在一个示例中，诸如移动设备或基站的rf系统可以包括使用rf开关实现的天线开关模块。天线开关模块可用于将天线电连接到系统的特定发射或接收链，从而允许多个组件接入天线。在另一示例中，rf系统可以包括具有多个rf链(例如，具有功率放大器、滤波器、混频器等)的多模rf前端模块，并且可以包括用于将发射链或接收链连接到特定rf链的rf开关。通常，rf开关可用于在rf组件和/或rf子系统之间选择性地路由信号。
3、由于市场趋向于更高功率、更快的开关和更小的集成电路(ic)器件，电子和半导体行业中的esd问题正在增加。esd是通过直接接触或感应电场在不同静电电位的两个物体之间进行的静电瞬态放电。esd可以在各种条件下发生，例如，当带电的人体接触ic时，当带电ic接触接地表面时，当充电的机器接触ic时和/或当静电场在电介质上感应出足以使其击穿的电压时。esd可能对半导体ic和/或电子器件具有严重的有害影响。例如，半导体中esd引起的故障可以以泄漏、短路、烧坏、接触损坏、栅极氧化物断
技术实现思路
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种静电放电(ESD)保护射频(RF)开关电路，包括：
2.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路，其中所述第一ESD保护电路：
3.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路，其中：
4.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路，其中：
5.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路，其中：
6.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路，其中：
7.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路，其中第一ESD电路包括以堆叠配置连接的多个晶体管。
8.根据权利要求7所述的ESD保护RF开关电路，其中在所述第一ESD电路内以堆叠配置连接的所述多个晶体管包括p沟道金属氧化物半导体(PMOS)、n沟道金属氧化半导体(NMOS)或互补金属氧化物半导体晶体管中的至少一个。
9.根据权利要求7所述的ESD保护RF开关电路，其中所述第一ESD保护电路还包括电阻器，所述电阻器耦合到在所述第一静电放电保护电路内以堆叠配置连接的所述多个晶体管中的一个晶体管的栅极，并且其中所述多个晶体管中的一个的
10.根据权利要求7所述的ESD保护RF开关电路，其中所述第一ESD保护电路进一步包括：电阻器，所述电阻器与所述多个晶体管并联连接。
11.一种静电放电(ESD)保护射频(RF)开关集成电路(IC)器件，包括：
12.根据权利要求11所述的ESD保护RF开关IC器件，其中所述第一ESD保护电路是耦合在所述第一驱动器电路和所述第一多个堆叠晶体管的每个栅极之间的公共ESD保护电路。
13.根据权利要求11所述的ESD保护RF开关IC器件，其中所述第一ESD保护电路包括：
14.根据权利要求11所述的ESD保护RF开关IC器件，其中：
15.根据权利要求11所述的ESD保护RF开关IC器件，其中所述第一ESD保护电路包括晶体管、二极管或电阻器中的至少一个。
16.根据权利要求11所述的ESD保护RF开关IC器件，其中所述第一ESD保护电路包括多个堆叠的通过栅极晶体管，并且其中所述多个堆叠的通过栅极晶体管中的每一个响应于所述ESD脉冲从导通状态转变到截止状态。
17.根据权利要求11所述的ESD保护RF开关IC器件，其中所述第一多个堆叠晶体管中的单独晶体管的栅极放电时间常数短于ESD脉冲的持续时间。
18.一种用于在射频(RF)开关器件中提供静电放电(ESD)保护的方法，所述RF开关器件包括公共端口、至少一个终端端口、所述公共端口和所述至少一个终端端口之间的开关电路以及控制所述开关电路的驱动器电路，所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
20.根据权利要求18所述的方法，其中：
...【技术特征摘要】
1.一种静电放电(esd)保护射频(rf)开关电路，包括：
2.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路，其中所述第一esd保护电路：
3.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路，其中：
4.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路，其中：
5.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路，其中：
6.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路，其中：
7.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路，其中第一esd电路包括以堆叠配置连接的多个晶体管。
8.根据权利要求7所述的esd保护rf开关电路，其中在所述第一esd电路内以堆叠配置连接的所述多个晶体管包括p沟道金属氧化物半导体(pmos)、n沟道金属氧化半导体(nmos)或互补金属氧化物半导体晶体管中的至少一个。
9.根据权利要求7所述的esd保护rf开关电路，其中所述第一esd保护电路还包括电阻器，所述电阻器耦合到在所述第一静电放电保护电路内以堆叠配置连接的所述多个晶体管中的一个晶体管的栅极，并且其中所述多个晶体管中的一个的栅极放电时间常数长于esd脉冲持续时间。
10.根据权利要求7所述的esd保护rf开关电路，其中所述第一esd保护电路进一步包括：电阻器，所述电阻器与所述多个晶体管并联连接。
11.一种静电放电(esd)保护射频(rf)开关...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·欧古兹，T·考库格鲁，C·阿维西，A·厄尔高，
申请(专利权)人：亚德诺半导体国际无限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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