射频(RF)开关电路中的静电放电(ESD)保护制造技术

技术编号:40202374 阅读:34 留言:0更新日期:2024-02-02 22:15
本公开涉及射频(RF)开关电路中的静电放电(ESD)保护。提供了与射频(RF)开关电路中的静电放电(ESD)保护相关的系统、器件和方法。一种静电放电(ESD)保护射频(RF)开关电路包括:公共端口;至少一个终端端口;开关电路,耦合在所述公共端口和所述至少一个终端端口之间,其中所述开关电路包括以堆叠配置连接的一个或多个晶体管;和第一ESD保护电路,耦合在所述一个或多个晶体管中的第一晶体管的栅极与用于所述第一晶体管的驱动器电路之间。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般涉及电子器件,并且更具体地涉及射频(rf)开关电路中的静电放电(esd)保护。


技术介绍

1、无线电系统是以大约3千赫兹(khz)到300千兆赫(ghz)的rf范围内的电磁波形式发送和接收信号的系统。无线电系统通常用于无线通信,蜂窝/无线移动技术是一个突出的例子,但也可以用于诸如有线电视的有线通信。在这两种类型的系统中,其中各种部件的线性起着至关重要的作用。

2、rf开关通常用于无线电收发器和无线通信系统中,以通过传输路径路由rf信号。在一个示例中,诸如移动设备或基站的rf系统可以包括使用rf开关实现的天线开关模块。天线开关模块可用于将天线电连接到系统的特定发射或接收链,从而允许多个组件接入天线。在另一示例中,rf系统可以包括具有多个rf链(例如,具有功率放大器、滤波器、混频器等)的多模rf前端模块,并且可以包括用于将发射链或接收链连接到特定rf链的rf开关。通常,rf开关可用于在rf组件和/或rf子系统之间选择性地路由信号。

3、由于市场趋向于更高功率、更快的开关和更小的集成电路(ic)器件,电子和半导体行业中的esd问本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静电放电(ESD)保护射频(RF)开关电路,包括:

2.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路,其中所述第一ESD保护电路:

3.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路,其中:

4.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路,其中:

5.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路,其中:

6.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路,其中:

7.根据权利要求1所述的ESD保护RF开关电路,其中第一ESD电路包括以堆叠配置连接的多个晶体管。

8.根据权利要求7所述的ESD保护RF开关电路,...

【技术特征摘要】

1.一种静电放电(esd)保护射频(rf)开关电路,包括:

2.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路,其中所述第一esd保护电路:

3.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路,其中:

4.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路,其中:

5.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路,其中:

6.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路,其中:

7.根据权利要求1所述的esd保护rf开关电路,其中第一esd电路包括以堆叠配置连接的多个晶体管。

8.根据权利要求7所述的esd保护rf开关电路,其中在所述第一esd电路内以堆叠配置连接的所述多个晶体管包括p沟道金属氧化物半导体(pmos)、n沟道金属氧化半导体(nmos)或互补金属氧化物半导体晶体管中的至少一个。

9.根据权利要求7所述的esd保护rf开关电路,其中所述第一esd保护电路还包括电阻器,所述电阻器耦合到在所述第一静电放电保护电路内以堆叠配置连接的所述多个晶体管中的一个晶体管的栅极,并且其中所述多个晶体管中的一个的栅极放电时间常数长于esd脉冲持续时间。

10.根据权利要求7所述的esd保护rf开关电路,其中所述第一esd保护电路进一步包括:电阻器,所述电阻器与所述多个晶体管并联连接。

11.一种静电放电(esd)保护射频(rf)开关...

【专利技术属性】
技术研发人员:A·欧古兹T·考库格鲁C·阿维西A·厄尔高
申请(专利权)人:亚德诺半导体国际无限责任公司
类型:发明
国别省市:

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