【技术实现步骤摘要】
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及其制造方法。本专利技术的一个方式涉及一种晶体管及其制造方法。本专利技术的一个方式涉及一种包括半导体装置的显示装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。作为本专利技术的一个方式的的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如触摸传感器)、输入输出装置(例如触摸面板)以及上述装置的驱动方法或制造方法。在本说明书等中，半导体装置是指利用半导体特性的装置以及包括半导体元件(晶体管、二极管、光电二极管等)的电路及包括该电路的装置等。此外，半导体装置是指能够利用半导体特性而发挥作用的所有装置。例如，作为半导体装置的例子，有集成电路、具备集成电路的芯片、封装中容纳有芯片的电子构件。此外，有时存储装置、显示装置、发光装置、照明装置以及电子设备等本身是半导体装置，或者包括半导体装置。
技术介绍
1、包括晶体管的半导体装置广泛应用于电子设备。例如，通过在显示装置中缩小晶体管的占有面积，可以缩小像素尺寸来实现高清晰化。因此，有晶体管的微型化的需求。
2、作为需要高清晰显示装置的设备，例如用于虚拟现实(vr：virtual reality)、增强现实(ar：augmented reality)、替代现实(sr：substitutional reality)或者混合现实(mr：mixed reality)的设备的开发非常活跃。
3、作为显示装置，例如对具备有机el(electro luminescence：电致发光)元件或发光二
4、专利文献1公开了使用有机el元件的高清晰显示装置。
5、[专利文献1]国际专利申请公开第2016/038508号
技术实现思路
1、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种微细的晶体管。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种沟道长度小的晶体管。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种通态电流(on-state current)大的晶体管。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种电特性良好的晶体管。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种占有面积小的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种布线电阻低的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的半导体装置或显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的晶体管、半导体装置或显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种容易实现高清晰化的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种生产率高的半导体装置或显示装置的制造方法。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的晶体管、半导体装置、显示装置及它们的制造方法。
2、注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。
3、本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括：半导体层；第一导电层；第二导电层；第三导电层；第一绝缘层；第二绝缘层；第三绝缘层；第四绝缘层；第五绝缘层；以及第六绝缘层。其中，第一绝缘层与第一导电层的顶面接触，第二绝缘层与第一绝缘层的顶面接触，第三绝缘层与第二绝缘层的顶面接触，第四绝缘层与第三绝缘层的顶面接触，第五绝缘层与第四绝缘层的顶面接触，第二导电层位于第五绝缘层上，半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层的侧面、第三绝缘层的侧面、第四绝缘层的侧面、第五绝缘层的侧面及第二导电层接触，第六绝缘层位于半导体层上，第三导电层位于第六绝缘层上且隔着第三导电层与半导体层之间的第六绝缘层与半导体层重叠，第一绝缘层具有其氢含量比第二绝缘层高的区域，第五绝缘层具有其氢含量比第四绝缘层高的区域，并且，第三绝缘层包含氧。
4、本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括：半导体层；第一导电层；第二导电层；第三导电层；第一绝缘层；第二绝缘层；第三绝缘层；第四绝缘层；第五绝缘层；以及第六绝缘层。其中，第一绝缘层与第一导电层的顶面接触，第二绝缘层与第一绝缘层的顶面接触，第三绝缘层与第二绝缘层的顶面接触，第四绝缘层与第三绝缘层的顶面接触，第五绝缘层与第四绝缘层的顶面接触，第二导电层位于第五绝缘层上，第一绝缘层至第五绝缘层及第二导电层包括到达第一导电层的开口，半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层的侧面、第三绝缘层的侧面、第四绝缘层的侧面及第五绝缘层的侧面在开口内侧接触且与第二导电层接触，第六绝缘层位于半导体层上，第三导电层位于第六绝缘层上，在与开口重叠的位置上第三导电层隔着第三导电层与半导体层之间的第六绝缘层与半导体层重叠，第一绝缘层具有其氢含量比第二绝缘层高的区域，第五绝缘层具有其氢含量比第四绝缘层高的区域，并且，第三绝缘层包含氧。
5、在用扫描透射电子显微镜得到的透射电子图像中，第一绝缘层的明度优选比第二绝缘层高。
6、在用扫描透射电子显微镜得到的透射电子图像中，第五绝缘层的明度优选比第四绝缘层高。
7、优选的是，第一绝缘层及第五绝缘层都是通过加热释放氢的层，并且第三绝缘层是通过加热释放氧的层。
8、第三绝缘层优选具有其含氧量比第二绝缘层高的区域。第三绝缘层优选为氧化绝缘层或氧氮化绝缘层。
9、优选的是，第一绝缘层、第二绝缘层、第四绝缘层及第五绝缘层分别是氮化硅层或氮氧化硅层，并且第三绝缘层是氧化硅层或氧氮化硅层。
10、优选的是，第一绝缘层及第五绝缘层分别是氮化硅层或氮氧化硅层，第二绝缘层及第四绝缘层分别是氧化铝层，并且第三绝缘层是氧化硅层或氧氮化硅层。
11、半导体层优选与第二导电层的顶面及侧面接触。
12、半导体层优选包含金属氧化物。
13、本专利技术的一个方式是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一导电层；在第一导电层上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；在第二绝缘膜上形成第三绝缘膜；在第三绝缘膜上形成第四绝缘膜；在第四绝缘膜上形成第五绝缘膜；在第五绝缘膜上形成在与第一导电层重叠的区域包括第一开口的第二导电层；通过加工第一绝缘膜至第五绝缘膜，形成包括到达第一导电层的第二开口的第一绝缘层至第五绝缘层；形成与第一导电层的顶面、第一绝缘层至第五绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触的半导体层；在半导体层上形成第六绝缘层；在第六绝缘层上形成第三的导电层；第一绝缘膜的沉积气体中的nh3气体的流量比率比第二绝缘膜的沉积气体高；第五绝缘膜的沉积气体中的nh3气体的流量比率比第四绝缘膜的沉积气体高。
14、优选的是，在形成第三绝缘膜之后形成金属氧化物层来对第三绝缘膜供应氧，并且在去除金属氧化物层之后形成第四绝缘膜。
15、优选的是，在形成第三绝缘膜之后，以不暴露于大气的方式在含n2o气体的气氛下进行等离子体处理。
16、根据本专利技术的一个本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.一种半导体装置，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，
11.根据权利要求1所述的半导体装置，
12.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：
14.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，还包括在形成所述第三绝缘膜之后以不暴露于大气的方式在含N2O气体的气氛下进行等离子体处理的步骤。
15.根据权利要求2所述的半导体装置，
16.根据权利要求2所述的半导体装置，
17.根据权利要求2所述的半导体装置，
18
19.根据权利要求2所述的半导体装置，
20.根据权利要求2所述的半导体装置，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.一种半导体装置，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，
11.根据权利要求1所述的半导体装置，
12.一种半导体装置的制造方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：大野正胜，中田昌孝，岛行德，土桥正佳，肥塚纯一，神长正美，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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