晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供晶片的加工方法，能够抑制功能层的剥落。晶片的加工方法是对在基板上层叠有包含器件的功能层的晶片沿着分割预定线进行加工的晶片的加工方法，该晶片的加工方法具有如下的步骤：变质区域形成步骤(101)，将对于基板具有吸收性且对于功能层的吸收性比对于基板的吸收性低的波长的激光光线按照限制了对功能层实施烧蚀加工的输出沿着分割预定线进行照射，在功能层的内部形成沿着分割预定线延伸的两条变质区域；功能层去除步骤(102)，在实施变质区域形成步骤之后，向变质区域之间照射激光光线，形成将功能层去除的第1加工槽；以及基板加工步骤(103)，在实施功能层去除步骤之后，沿着第1加工槽对基板进行加工。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的加工方法。

技术介绍

1、一直以来采用对在硅等基板上层叠有包含器件的功能层的晶片沿着分割预定线进行加工的加工方法(例如，参照专利文献1)。

2、专利文献1：日本特开2007-173475号公报

3、例如，专利文献1所示的加工方法存在如下的问题：当对功能层照射激光光线而形成加工槽时，功能层会剥落。因此，为了防止功能层的剥落而采取减慢加工进给速度的解决方案。

4、但是，在该情况下，激光光线的热损伤变大，存在分割后的器件芯片的抗弯强度降低的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供能够抑制功能层的剥落的晶片的加工方法。

2、为了解决上述的课题并实现目的，本专利技术的晶片的加工方法对在基板上层叠有包含器件的功能层的晶片沿着分割预定线进行加工，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：变质区域形成步骤，将对于该基板具有吸收性且对于该功能层的吸收性比对于该基板的吸收性低的波长的激光光线按照限制了对该功能层连续地实施烧蚀加工的加工条件沿着分割预定本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶片的加工方法，对在基板上层叠有包含器件的功能层的晶片沿着分割预定线进行加工，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种晶片的加工方法，对在基板上层叠有包含器件的功能层的晶片沿着分割预定线进行加工，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方...

【专利技术属性】
技术研发人员：小原启太，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：