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本发明提供晶片的加工方法，能够抑制功能层的剥落。晶片的加工方法是对在基板上层叠有包含器件的功能层的晶片沿着分割预定线进行加工的晶片的加工方法，该晶片的加工方法具有如下的步骤：变质区域形成步骤(101)，将对于基板具有吸收性且对于功能层的吸收...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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