半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构包括：贯通孔；模制件，围绕贯通孔；介电层，设置在管芯、贯通孔和模制件上方；以及导电构件，设置在介电层内、设置在贯通孔上方、以及与贯通孔电连接，其中，导电构件包括第一突出部分和第二突出部分，并且第一突出部分沿着第一方向从贯通孔横向突出第一长度，第二突出部分沿着第二方向从贯通孔横向突出第二长度，第一方向基本正交于第二方向，以及第一长度基本大于第二长度。本发明专利技术还提供了半导体结构的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术的实施例一般地涉及半导体
，更具体地，涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
使用半导体器件的电子设备对许多现代应用来说至关重要。随着电子技术的进步，半导体器件的尺寸正变得越来越小，同时具有更多的功能和更大量的集成电路。由于半导体器件的小型化的规模，晶圆级封装(WLP)由于其低成本和相对简单的制造操作而得到广泛应用。在WLP操作期间，许多半导体组件装配在半导体器件上。此外，在这种小半导体器件内实施多个制造操作。然而，半导体器件的制造操作涉及在这样的小且薄的半导体器件上的许多步骤和操作。缩小规模的半导体器件的制造变得更加复杂。制造半导体器件的复杂程度的增加会导致诸如不良电互连、裂缝的出现、组件的分层、组件的不正确放置或其他问题的缺陷，从而导致半导体器件的高产量损失。半导体器件产生为不期望的配置，这将使材料损耗进一步恶化并且因此增加制造成本。这样，修改半导体器件的结构和改进制造操作存在许多挑战。半导体器件装配有大量的集成部件，这些部件包括具有不同热性能的各种材料。由于涉及更多具有不同材料的不同部件，所述增加了半导体器件的制造操作的复杂程度。修改半导体器件的结构和改进制造操作方面具有更大的挑战。因此，需要不断地改进半导体的制造并解决以上缺陷。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体结构，包括：贯通孔；模制件，围绕所述贯通孔；介电层，设置在所述贯通孔和所述模制件上方；以及导电构件，设置在所述介电层内、设置在所述贯通孔上方、以及与所述贯通孔电连接，其中，所述导电构件包括第一突出部分和第二突出部分，并且所述第一突出部分沿着第一方向从所述贯通孔横向突出第一长度，所述第二突出部分沿着第二方向从所述贯通孔横向突出第二长度，所述第一方向正交于所述第二方向，以及所述第一长度大于所述第二长度。根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体结构，包括：管芯；贯通孔，设置为邻近所述管芯；模制件，围绕所述管芯和所述贯通孔；以及再分布层(RDL)，设置在所述管芯、所述模制件和所述贯通孔上方，其中，所述再分布层包括介电层和设置在所述介电层内的导电构件，所述介电层设置在所述管芯、所述模制件和所述贯通孔上方，所述导电构件设置在所述贯通孔上方并且与所述贯通孔电连接，所述导电构件的顶部截面的面积大于所述贯通孔的顶部截面的面积，并且所述导电构件包括轴，所述轴与所述导电构件的顶部截面的最长长度平行并且指向所述管芯。根据本专利技术的又一方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：提供管芯；邻近所述管芯形成贯通孔；在所述管芯和所述贯通孔周围设置模制件；以及在所述模制件、所述贯通孔和所述管芯上方设置介电层；以及在所述贯通孔上方形成导电构件以与所述贯通孔电连接，其中，所述导电构件包括第一突出部分和第二突出部分，并且所述第一突出部分沿着第一方向从所述贯通孔横向突出第一长度，所述第二突出部分沿着第二方向从所述贯通孔横向突出第二长度，所述第一长度大于所述第二长度，以及所述第一方向正交于所述第二方向。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本专利技术的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性截面图。图2是根据本专利技术的一些实施例的具有圆形贯通孔和椭圆形导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。图3是根据本专利技术的一些实施例的具有四边形贯通孔和椭圆形导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。图4是根据本专利技术的一些实施例的具有四边形贯通孔和四边形导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。图5是根据本专利技术的一些实施例的具有圆形贯通孔和四边形导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。图6是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的示意性截面图。图7是根据本专利技术的一些实施例的具有设置为邻近管芯的角部的导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。图8是根据本专利技术的一些实施例的具有设置为邻近管芯的边缘的导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。图9是根据本专利技术的一些实施例的具有设置在半导体结构中的导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。图10是根据本专利技术的一些实施例的半导体封装件的示意性截面图。图11是根据本专利技术的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。图11A至图11H是根据本专利技术的一些实施例的通过图11的方法制造半导体结构的示意图。具体实施方式以下公开内容提供了许多不同的实施例或实例，以用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅是实例并不意欲限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空间关系术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间关系术语旨在包括器件在使用或操作过程中的不同方位。装置可以以其他方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可以同样地作相应地解释。从半导体晶圆制造并且分割管芯。在分割之后，管芯被封装为半导体封装件并且与另一管芯或封装件集成。通过模制件(molding)包封(encapsulate)管芯，并且通过导线或其他导电结构对管芯的I/O端子进行布线。若干隔离层设置在管芯和模制件上方，并且在隔离层内，导线对I/O端子进行布线。半导体封装件的这种配置涉及具有不同热特性(如，不同的热膨胀系数(CTE)等)的不同种类的材料(如，管芯、模制件、隔离层、导电结构等)。在诸如加热处理、回流等的随后的热工艺期间，材料之间易于出现内部应力。CTE的这种不匹配会导致半导体封装件内出现裂缝。在随后的制造操作中，裂缝甚至可以传播穿过半导体封装件。裂缝的传播还将弱化半导体封装件的配置和管芯与导线之间的电连接，并且最终导致半导体封装件的不良的可靠性或故障。在本专利技术中，公开了改进的半导体结构。半导体结构包括延伸穿过模制件的贯通孔和与贯通孔电连接并且设置在贯通孔上方的导电构件，该导电构件具有预定的形状并且处于预定的方位。导电构件的这种配置可以降低半导体结构的内部应力，并且因此最小化或防止导电构件周围的裂缝的出现。提高了半导体结构的可靠性或性能。图1是根据本专利技术的各个实施例的半导体结构100的示意性截面图。在一些实施例中，半导体结构100包括管芯101、模制件102、贯通孔103、和再分布层(RDL)104。在一些实施例中，半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：贯通孔；模制件，围绕所述贯通孔；介电层，设置在所述贯通孔和所述模制件上方；以及导电构件，设置在所述介电层内、设置在所述贯通孔上方、以及与所述贯通孔电连接，其中，所述导电构件包括第一突出部分和第二突出部分，并且所述第一突出部分沿着第一方向从所述贯通孔横向突出第一长度，所述第二突出部分沿着第二方向从所述贯通孔横向突出第二长度，所述第一方向正交于所述第二方向，以及所述第一长度大于所述第二长度。

【技术特征摘要】
2015.12.30 US 14/984,3951.一种半导体结构，包括：贯通孔；模制件，围绕所述贯通孔；介电层，设置在所述贯通孔和所述模制件上方；以及导电构件，设置在所述介电层内、设置在所述贯通孔上方、以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈英儒，陈宪伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71