晶片生成方法技术

本发明专利技术提供晶片的生成方法，能够从钽酸锂锭高效率地生成晶片并减少被舍弃的锭的量。一种晶片生成方法，从钽酸锂锭生成晶片，该晶片生成方法包含从具有与Y轴平行地形成的定向平面的42°旋转Y切锭即钽酸锂锭的端面将对于钽酸锂具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在锭内部而进行照射并一边对锭进行加工进给一边在锭内部形成改质层的工序、以及对锭施加外力而将板状物从锭剥离从而生成晶片的工序。在形成改质层的工序中，在与定向平面平行或垂直的方向上对锭进行相对地加工进给。

Wafer generation method

The present invention provides a method for producing wafers capable of efficiently generating wafers from a lithium tantalate ingot and reducing the amount of ingot being discarded. A wafer generation method, generation of lithium tantalate wafers from ingots, the wafer generating method contains from 42 degree rotation Y with directional plane formation and the Y axis of the ingot is Lithium Tantalum ingot surface will have through the focal point of the wavelength of the laser beam position in the Department of radiation in the ingot and while on the side of the modified ingot processing feed layer, and the applied force and the ingot plate to generate the wafer process from the ingot formed in the ingot stripping for lithium tantalate. In the process of forming a modified layer, the ingot is processed in a relatively parallel direction or in a vertical direction to feed the ingot.

【技术实现步骤摘要】
晶片生成方法
本专利技术涉及晶片生成方法，从钽酸锂锭高效率地生成晶片。
技术介绍
SAW(表面弹性波：SurfaceAcousticWave)器件通过以下方式形成：在以钽酸锂(Lithiumtantalate：LiTaO3)为原料的晶片的正面上层叠功能层并通过分割预定线来进行划分。然后，通过切削装置和激光加工装置沿着晶片的分割预定线实施加工而分割成各个SAW器件，并在应用于移动电话等移动通信设备、个人计算机、影像媒体设备等的高频滤波器等中使用。并且，关于形成器件的晶片，一般公知利用线切割机对锭进行切片而生成晶片，并对切片得到的晶片的正背面进行研磨而精加工成镜面(例如，参照专利文献1。)。专利文献1：日本特开2000-094221号公报在利用线切割机将锭切断并对正背面进行研磨而生成晶片的情况下，为了应对器件的薄型化、轻量化而使要生成的晶片的厚度变薄是很不容易，并且，所生成的晶片的厚度越薄，在切断、研磨时被削掉的锭的比例越多，产生了不经济的问题。特别是钽酸锂锭的莫氏硬度较高，由线切割机进行的切断需要相当长的时间而存在生产性差的问题，并且由于单价较高的锭在加工时被切削舍弃而造成浪费，所以优选开发出不使钽酸锂锭浪费的、将钽酸锂锭高效率地切断而生产出较薄的晶片的方法。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供晶片的生成方法，能够从钽酸锂锭高效率地生成晶片，并且减少被舍弃的锭的量。为了解决上述课题，根据本专利技术，提供晶片生成方法，从被称为42°旋转Y切锭的钽酸锂锭生成晶片，该42°旋转Y切锭具有相对于中心轴被垂直切断的端面并且具有与Y轴平行地形成的定向平面，该Y轴与钽酸锂的晶体轴垂直，该中心轴被设定为相对于Y轴具有42°的旋转角，该晶片生成方法的特征在于，具有如下的工序：改质层形成工序，从该钽酸锂锭的该端面将对于钽酸锂具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在深度相当于要生成的晶片的厚度的位置而照射激光光线，一边相对于激光光线对该钽酸锂锭相对地进行加工进给一边在该钽酸锂锭内部形成改质层；以及晶片生成工序，在实施了该改质层形成工序之后，对该钽酸锂锭施加外力而将板状物从该钽酸锂锭剥离从而生成晶片，当在该改质层形成工序中在钽酸锂锭内部形成改质层时，在相对于该定向平面平行或呈直角的方向上相对于激光光线对该钽酸锂锭相对地进行加工进给。优选该晶片生成方法还包含如下的磨削步骤：对所生成的晶片的剥离面和钽酸锂锭的剥离面进行磨削而使它们平坦化。根据本专利技术，当在改质层形成工序中形成改质层时，通过使激光光线在与定向平面平行的方向或呈直角(垂直)的方向上相对地加工进给，由于相对于形成有改质层的方向，断裂方向存在于横向，所以裂纹能够与钽酸锂锭的端面平行地成长而能够容易地将晶片从钽酸锂锭剥离。因此，能够从钽酸锂锭高效率地生成晶片并且减少被舍弃的量。附图说明图1是激光加工装置的整体立体图。图2是示出将作为被加工物的钽酸锂锭安装在图1所示的激光加工装置的保持工作台上的状态的立体图。图3是示出形成钽酸锂锭的钽酸锂的1个晶体结构的示意图。图4的(a)、(b)和(c)是示出对钽酸锂锭照射脉冲激光光线的状态的图。图5是示出使晶片从钽酸锂锭剥离的状态的立体图。图6的(a)和(b)是对根据钽酸锂锭的定向平面与加工进给方向之间的角度的效果进行说明的说明图。标号说明1：激光加工装置；2：静止基台；3：保持工作台机构；4：激光光线照射单元；5：激光光线照射构件；6：拍摄构件；7：钽酸锂锭；8：晶片剥离构件；31：导轨；34：保持工作台；82：剥离单元臂；84：晶片吸附构件。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的钽酸锂的晶片的生成方法的优选的实施方式进行说明。在图1中示出了用于实施本专利技术的钽酸锂的晶片的生成方法的激光加工装置1的立体图。图1所示的激光加工装置1具有：静止基台2；保持工作台机构3，其以能够在箭头X所示的X轴方向上移动的方式配设在该静止基台2上，并用于对被加工物进行保持；以及激光光线照射单元4，其作为配设在静止基台2上的激光光线照射构件。上述保持工作台机构3具有：一对导轨31、31，它们沿着X轴方向平行地配设在静止基台2上；第1滑动块32，其以能够在X轴方向上移动的方式配设在该导轨31、31上；第2滑动块33，其以能够在与X轴方向垂直的箭头Y所示的Y轴方向上移动的方式配设在该第1滑动块32上；以及保持工作台34，其在该第2滑动块33上形成为圆筒形状并通过在内部具有脉冲电动机而构成为能够旋转。在图1所示的激光加工装置中，在该保持工作台34上载置有图2所示的作为被加工物的钽酸锂锭7。在上述第1滑动块32的下表面设置有与上述一对导轨31、31嵌合的一对被引导槽321、321，并且在上表面上设置有沿着Y轴方向平行形成的一对导轨322、322。这样构成的第1滑动块32通过被引导槽321、321与一对导轨31、31嵌合而构成为能够沿着一对导轨31、31在X轴方向上移动。保持工作台机构3具有X轴方向移动构件35，该X轴方向移动构件35用于使第1滑动块32沿着一对导轨31、31在X轴方向上移动。X轴方向移动构件35包含平行配设在上述一对导轨31与31之间的外螺纹杆351和用于旋转驱动该外螺纹杆351的脉冲电动机352等驱动源。外螺纹杆351的一端旋转自如地支承于在上述静止基台2上固定的轴承块353，其另一端与上述脉冲电动机352的输出轴传动连结。另外，外螺纹杆351与形成在朝向第1滑动块32的中央部下表面突出设置的未图示的内螺纹块中的贯通内螺纹孔螺合。因此，通过脉冲电动机352对外螺纹杆351进行正转和反转驱动，由此，使第1滑动块32沿着导轨31、31在X轴方向上移动。在上述第2滑动块33的下表面设置有一对被引导槽331、331，该一对被引导槽331、331与设置于上述第1滑动块32的上表面的一对导轨322、322嵌合，通过使该被引导槽331、331与一对导轨322、322嵌合，上述第2滑动块33构成为能够在Y轴方向上移动。保持工作台机构3具有Y轴方向移动构件36，该Y轴方向移动构件36用于使第2滑动块33沿着设置于第1滑动块32的一对导轨322、322移动。Y轴方向移动构件36包含平行配设在上述一对导轨322、322之间的外螺纹杆361和用于旋转驱动该外螺纹杆361的脉冲电动机362等驱动源。外螺纹杆361的一端旋转自如地支承于在上述第1滑动块32的上表面上固定的轴承块363，另一端与上述脉冲电动机362的输出轴传动连结。另外，通过使形成在朝向第2滑动块33的中央下表面突出设置的未图示的内螺纹块中的贯通内螺纹杆361正转和反转，外螺纹杆361使第2滑动块33沿着导轨322、322在Y轴方向上移动。上述第1滑动块32、第2滑动块33分别具有未图示的对X轴方向位置进行检测的X轴方向位置检测构件、对Y轴方向位置进行检测的Y轴方向位置检测构件，能够通过后述的控制构件并根据检测出的各第1、第2滑动块32、33的位置，对上述各驱动源发送驱动信号而将保持工作台34控制在希望的位置处。上述激光光线照射单元4具有：支承部件41，其配设在上述静止基台2上；外壳42，其被该支承部件41支承且实际上水平延伸；激光光线照射构件5，其配设在该外壳42上；以及拍摄构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片生成方法，从被称为42°旋转Y切锭的钽酸锂锭生成晶片，该42°旋转Y切锭具有相对于中心轴被垂直切断的端面并且具有与Y轴平行地形成的定向平面，其中，该Y轴与钽酸锂的晶体轴垂直，该中心轴被设定为相对于Y轴具有42°的旋转角，该晶片生成方法的特征在于，具有如下的工序：改质层形成工序，从该钽酸锂锭的该端面将对于钽酸锂具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在深度相当于要生成的晶片的厚度的位置而照射激光光线，一边相对于激光光线对该钽酸锂锭相对地进行加工进给一边在该钽酸锂锭内部形成改质层；以及晶片生成工序，在实施了该改质层形成工序之后，对该钽酸锂锭施加外力而将板状物从该钽酸锂锭剥离从而生成晶片，当在该改质层形成工序中在钽酸锂锭内部形成改质层时，在相对于该定向平面平行或呈直角的方向上相对于激光光线对该钽酸锂锭相对地进行加工进给。

【技术特征摘要】
2016.01.07 JP 2016-0016471.一种晶片生成方法，从被称为42°旋转Y切锭的钽酸锂锭生成晶片，该42°旋转Y切锭具有相对于中心轴被垂直切断的端面并且具有与Y轴平行地形成的定向平面，其中，该Y轴与钽酸锂的晶体轴垂直，该中心轴被设定为相对于Y轴具有42°的旋转角，该晶片生成方法的特征在于，具有如下的工序：改质层形成工序，从该钽酸锂锭的该端面将对于钽酸锂具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在深度相当于要生成的晶片的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP